Тоха

Максим, еще раз огромное спасибо за помощь в решение данной проблемы! Получается температура в форсированном режиме и есть температура 50 градусов?

Я ее считаю для форсированного режима, что получить температуру окружающей среды, при которой нужно испытывать транзистор. А условия его работе в плате ток-50А, окружающая среда-50 градусов. Делаю, как в ГОСТ показано. Формула из ГОСТ: Токруж форсирован= Тперехода в форсорованном режиме- Rпереход-окружающая среда*Pфорсирован режим. Я так понял, что ГОСТ меня в дебри какие-то завел)

у меня ток 50А и температура 50 градусов)

110 Вт получились из формулы: Pфорсирован. режим= I*I*R= 100*100*0,011=110Вт.

Сорян, тепловое сопротивление радиатор-воздух получилось 1,27. и Сопротивление кристалл-окружающая среда равно: 0,12+0,15+1,27=1,54С/W Рассеиваемая мощность получается: (21*21)*(1,2*0,011)=5,8Вт. Температура перехода: 50+1,54*5,8=58,9C. Температура окружающей среды в форсированном режиме: 150-1,54*110=-19, что соответствует перегреву((((

Сорян, тепловое сопротивление радиатор-воздух получилось 1,27. и Сопротивление кристалл-окружающая среда равно: 0,12+0,15+1,27=1,54С/W

Макс , привет . Какая-то фигня получается при рассчетах. Оказалось , что данный транзистор работает при температуре окруж среды 50 градусов, Id=21A, Vgs=12V и Vds=58. Работает данный транзистор как ключ. Рассеиваемая мощность на транзисторе: 21*21*0,011=4,8Вт. Радиатор сделан из Амг3 . Его тепловое сопротивление- 1,54C/W. Температура перехода равна: 50+1,54*4,8=57,39С. схема подключения выглядит следующим образом: источник напряжения затвор-исток. Источник питания сток-исток. И вольтметр между стоком и истоком. Нагрузка в данном случае не нужна , т.к она будет очень маленькая. где ошибка в рассчетах или все посчитано верно ? Спасибо!

Спасибо !

Исходя из показаний мощности в форсированном режиме , считаю дальше температуру окруж. среды в форсированном режиме по формуле: Tокруж.ф=Tпер-ф-Rпер-окруж.*Pрас-фор. Получается: Tокруж-ф=150- 1,54*110. Получается отрицательная температура. Такое допустимо ?

Назрел еще вопрос. Последний ахахаха) . Нужно рассчитать мощность в форсированном режиме P(рас-ф). Получается по DataSheet- 200A*200A*0,11=440 Вт. Верно или тут есть ошибка ?

Максим , получается мощность , которая выделяется на транзисторе равна= (50*50)*0.018=45 Вт?

Максим , возник вот такой вопрос. Как посчитать R(ds)on, при напряжении Vgs=12V, Vds=30V и Id=50A? Спасибо

Макс , огромное спасибо !

Добрый вечер, друзья. Занимаюсь разработкой оснастки для проведения ускоренных испытаний на безотказность транзистора IXTK200N10L2. Для хорошего проектирования оснастки нужно тепловое сопротивление переход(кристалл)-окружающая среда данного транзистора. Расчеты провожу по ГОСТ 57394-2017. В DATASHEET не указано тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда. Подскажите, пожалуйста, как его можно посчитать, имея другие исходные данные в DATASHEET? Спасибо!