Перейти к содержанию
    

Стек 8 слойной платы

Здравствуйте.

вот пример стека платы

TOP-PWR(3.3V)-GND-SIGN-SIGN-GND-PWR(5V;1.9V)-BOT

Сигнальные дорожки есть и на ТОПе тоже(в небольшом кол-ве). 

Отсюда у меня и возник вопрос. Получается что в этом случае опорный полигон для дорожек на топе будет PWR(3.3V). Сам полигон этот цельный, не рваный.

Нормально ли вообще что опорный для сигнальных дорожек является полигон питания?

Не навредит ли обратным токам? Или они по нему так же протекают как и в случае если это был бы GND?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

2 часа назад, def_rain сказал:

Нормально ли вообще что опорный для сигнальных дорожек является полигон питания?

Опорный для чего? Для линии передачи? Ей пофигу, главное что металл и цельный.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Для высокочастотных сигналов, слои питания можно считать эквивалентными.

Но в вашем случае можно ведь сделать чередование Top-Gnd- sign-pwr- pwr1-sign-gnd-bot, тогда для всех сигнальных слоев земляной слой.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

14 hours ago, Arlleex said:

Опорный для чего? Для линии передачи? Ей пофигу, главное что металл и цельный.

Да, для линии передач. Спасибо

3 hours ago, Александр77 said:

Для высокочастотных сигналов, слои питания можно считать эквивалентными.

Но в вашем случае можно ведь сделать чередование Top-Gnd- sign-pwr- pwr1-sign-gnd-bot, тогда для всех сигнальных слоев земляной слой.

Да, я думал над таким стеком как Вы предлагаете. Но у него, как мне кажется, есть недостатки по сравнению с тем что я предлагаю:

1. Это два распределенных конденсатора, которые образуются парами слоёв 2-3 и 6-7 (PWR и GND через тонкий препрег = высокочастотный конденсатор)

2. В моем варианте слой 3.3В ближе к ТОПу, что лучше для питания микросхем. (GND тоже не глубоко)

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Если всю трассировку внутри можно сделать ортогональной, то хороший стэк. Если есть BGA, из-под которой нужно будет выходить одинаково на разных слоях, то уже все далеко не так хорошо.

Ну и вопрос импедансов на внутренних слоях. Чтобы они были вменяемыми сигнал-плэйн нужен в районе 100-200мкм.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

если pwr=3.3v, то пофиг что-где и в каких слоях.

20 hours ago, def_rain said:

Нормально ли

нормально

20 hours ago, def_rain said:

Не навредит

не навредит

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

31 minutes ago, Uree said:

Если всю трассировку внутри можно сделать ортогональной, то хороший стэк. Если есть BGA, из-под которой нужно будет выходить одинаково на разных слоях, то уже все далеко не так хорошо.

Ну и вопрос импедансов на внутренних слоях. Чтобы они были вменяемыми сигнал-плэйн нужен в районе 100-200мкм.

Да, вот я тоже всё думал об ортогональности, вроде должно получиться в целом по плате, она далеко не маленькая будет... но, Вы правы, не подумал как буду из под BGA выводить! Поэтому всё таки разделю эти два сигнальных слоя полигоном. Заодно получится как полноценная симметричная полосковая линия.

TOP-GND-PWR(3V3)-Sign-GND-Sign-PWR(5V0;1V9)-BOT

Расстояние сигнал-полигон 125мкм (FR4 2116) 

Ядро FR4 0.3мм

Как раз типовая резонитовская сборка стека.

 

steck.jpg

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Один момент по поводу питаний. Если предполагается именно так их раскладывать, как описано в стэке, то я бы советовал подумать над перемещением 1V9 на 3-й слой. Если я правильно догадываюсь, это похоже на питание ядра проца, а такие вещи лучше размещать как можно ближе к потребителю. Тут слой уже может иметь значение.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

18 minutes ago, Uree said:

Один момент по поводу питаний. Если предполагается именно так их раскладывать, как описано в стэке, то я бы советовал подумать над перемещением 1V9 на 3-й слой. Если я правильно догадываюсь, это похоже на питание ядра проца, а такие вещи лучше размещать как можно ближе к потребителю. Тут слой уже может иметь значение.

1V9 Это питание ядра BGA проца. Спасибо за совет. Перемещу как Вы сказали.

TOP-PWR(5V0;1V9)-GND-Sign-GND-Sign-PWR(3V3)-BOT

PWR(5V0;1V9) сделал вторым слоем он рваныйна ТОПе все равно дорог мало. Вторая причина, чтобы была связка GND-(125мкм)-Sign-(300мкм)-GND-(125мкм)-Sign для нужного импеданса

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

19 часов назад, def_rain сказал:

TOP-PWR(5V0;1V9)-GND-Sign-GND-Sign-PWR(3V3)-BOT

Я бы все-таки переставил 2 и 3 слои -- GND важнее, а также позволит иметь один неразрывный опорный полигон под сигналами на TOP, Вы же не будете тянуть полигон 1V9 по всей длине своих сигналов и у Вас будут разрывы в опоре.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

9 minutes ago, vladec said:

GND важнее, а также позволит иметь один неразрывный опорный полигон под сигналами

Имхо, очень правильное утверждение.

Второй и предпоследний слой GND позволяют спрятать всю "электромагнитную жизнь" проводников от внешнего мира и обеспечить качественную опору для скоростных дифпар.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

32 minutes ago, vladec said:

Я бы все-таки переставил 2 и 3 слои -- GND важнее, а также позволит иметь один неразрывный опорный полигон под сигналами на TOP, Вы же не будете тянуть полигон 1V9 по всей длине своих сигналов и у Вас будут разрывы в опоре.

Вообще получается без разрывов  в опоре, сам полигон маленький DC-DC преобразователь рядом с процом... Дело в том, что на топе почти нет дорожек. Они во внутренних слоях, поэтому я и думаю переместить землю ближе к ним. Чтобы у сигнальных слоев опорный был GND.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Пожалуй, не буду создавать тему ради вопроса около. Теоретически-практический вопрос. С точки зрения обеспечения неизменности импеданса (и его контроля) между сигнальным и его опорным слоями должно быть ядро или препрег? Сейчас у меня на верхнем слое расположены высокоскоростные диффпары, под ним через препрег в 70мкм (специальный LDP препрег для HDI плат) - опорный GND. Все рассчиталось практически до идеальных 100Ом, однако голову взболомутил дядька на ютубе с альтиум-тусовки, сказав, что для high-speed-ов пара "сигнальный/опорный" должна разделяться ядром. Это действительно так?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

2 hours ago, Arlleex said:

практически до идеальных 100Ом,

Не на то ты тратишь свое время. Разница между 80, 100 и 120 Омами имеет значение не больше, чем с какой ноги с утра вставать, ну если ты не суеверен конечно.

А этот "дядька" напомнил мне одновременно обоих персонажей из анекдота про сантехников ("учись, студент, а то так и будешь всю жисть ключи подавать").

Не хочешь ни ключи подавать, ни в говно нырять? Тогда научись расставлять приоритеты и определять что важно, а что нет.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
К сожалению, ваш контент содержит запрещённые слова. Пожалуйста, отредактируйте контент, чтобы удалить выделенные ниже слова.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...