[hik 0]

Думаю что это оно 1666РЕ014. Ни у кого АЕЯР.431220.981 ТУ не завалялось?

[novikovfb 17]

13 hours ago, hik said:

Думаю что это оно 1666РЕ014. Ни у кого АЕЯР.431220.981 ТУ не завалялось?

Вы лучше с Интегралом свяжитесь, получилось у них или нет, они 1666РЕ014 с 2013 года обещают сделать, пару лет назад заявили, что еще не готово

[copov 2]

По рад. стойкости есть справочник от издетельства Дейтон.

ftp://ftp.electronics-portal.org/pub/DOC/ Параметры радиационной стойкости отечественных ЭРИ

ftp://ftp.electronics-portal.org/pub/DOC/ Перечень ЭКБ-2019

 

26.10.2020 в 13:45, hik сказал:

0,5*1К (К1), 0,1*1К (К4) минимум

Это вообще фигня

 

 

[hik 0]

10 minutes ago, copov said:

По рад. стойкости есть справочник от издетельства Дейтон.

ftp://ftp.electronics-portal.org/pub/DOC/ Параметры радиационной стойкости отечественных ЭРИ

ftp://ftp.electronics-portal.org/pub/DOC/ Перечень ЭКБ-2019

 

Это вообще фигня

 

 

Это минимум-минимум. По фактору 7.К1 не менее 1К, по фактору 7.К4 не менее 0,5х1К.

У меня нет доступа к ftp.

[copov 2]

Глянул по диагонали, самое лучшее из РР-шек 7.K4 порядка 0.05x1K. По параметру 7.K1 намного лучше.

P.S. Заполнять последовательно однократную ПЗУ нормальный вариант, сам так делал когда-то.

[hik 0]

4 minutes ago, copov said:

Глянул по диагонали, самое лучшее из РР-шек 7.K4 порядка 0.05x1K. По параметру 7.K1 намного лучше.

P.S. Заполнять последовательно однократную ПЗУ нормальный вариант, сам так делал когда-то.

Проблема в том, что по ТЗ требуется перепрошивка на борту.

Изменено 14 ноября, 2020 пользователем hik

[copov 2]

На луну что-ли собрались? Для орбиты 400 км в приборном отсеке такой стойкости не требуется.

У НИИЭТ есть микроконтроллеры с небольшим объемом EEPROM. Там как раз 7.K4 порядка 0.5x1K

[EUrry 3]

23 часа назад, copov сказал:

На луну что-ли собрались?

Венера же анонсирована! А там солнушко...

[vladec 7]

14.11.2020 в 23:01, hik сказал:

Проблема в том, что по ТЗ требуется перепрошивка на борту.

Обычная флешь от радиации постепенно стирается как от ультрафиолета. Как вариант, может Вам попробовать взять память с невысокой стойкостью и сделать ее с  корректирующими кодами, хоть по Хеммингу. Периодически сканировать память и по мере обнаружения сбоев ее регенерировать.

[hik 0]

2 minutes ago, vladec said:

Обычная флешь от радиации постепенно стирается как от ультрафиолета. Как вариант, может Вам попробовать взять память с невысокой стойкостью и сделать ее с  корректирующими кодами, хоть по Хеммингу. Периодически сканировать память и по мере обнаружения сбоев ее регенерировать.

С флеш все понятно. Это дохлый номер. С невысокой стойкостью памяти тоже не густо. Да у микрона есть слабенькая "рад.стойкая память", но вариант с постоянным контролем может не плох как идея, но это все затраты энергии коей нет. + неизвестно при каком накопленном заряде, в каком режиме и когда память сбойнет. Есть пару контор которые занимаются MRAM в РФ, но у них все в дровах и когда они это дело доведут до ума неизвестно. Интеграл FRAM серийно выпускает, купить можно через приемку. Но это так себе вариант. Единственная рад. стойкая память у НЗПП с ОКБ, но там объем совсем мелкий. Так, что увы пока альтернативы импорту нет и врят ли появится в ближайшее время.

[EUrry 3]

5 часов назад, hik сказал:

Так, что увы пока альтернативы импорту нет и врят ли появится в ближайшее время.

Вопрос какому? Наткнулся на некого поставщика китайской космической ЭКБ. Насколько понял каким-то образом они связаны с ИРЗ.

Вопрос, что они могут поставить и какого качества и стойкости (допустим проведение сертификационных испытаний) и насколько это соответствует позиции импортозамещения)))

Просто полюбопытствовать, к сожалению, нельзя. Только конкретный заказ видимо. Возможно кто-то знаком.

[vladec 7]

22 часа назад, hik сказал:

но вариант с постоянным контролем может не плох как идея, но это все затраты энергии коей нет. + неизвестно при каком накопленном заряде, в каком режиме и когда память сбойнет.

Если речь о сбоях то коррекцию ошибок надо вести в реальном времени "на лету", а если нужна защита от отказов типа "стирания" под действием радиации, то верификацию памяти вполне достаточно проводить достаточно редко, скажем раз в неделю, а также после обнаружения ошибки.

[AlexRayne 7]

мне чет казалось что от воздействия радиации, помимо накопления подзатворного заряда еще и копятся дефекты в кристале и в диэлектрике. А у флеши - диэлектрик собственно носитель. Потому стирание облученной флешки может и не пройти - сбойные участки все равно останутся. тоесть какието дефекты перешивка может и исправит, но наверно много и неисправимых будет. Поэтому только многократное и резервирование и иправление кодов на лету имхо выручит.

Насколько я помню ренесас по такому пути пошел - они сделали линейку в которой 2 копии флеши работают. Если в одной сбой обнаруживается - данные из копии восстанавливаются. Так что это не такой уж и тупиковый путь.

[copov 2]

3 часа назад, AlexRayne сказал:

помимо накопления подзатворного заряда еще и копятся дефекты в кристале и в диэлектрике.

7.K1, 7.K4 это про протоны, которые прошивают микросхему насквозь. А отличии от воздействия гамма и нейтронного излучений оно плохо изучено. Часто вред от него - кратковременный сбой.

[vladec 7]

12 часов назад, copov сказал:

Часто вред от него - кратковременный сбой.

А от этого защита -- исправление одиночных ошибок на лету по Хеммингу