[Herasim 0]

Там где ставим, мощностей нет, клеим на ПП (керамика). Если нужно поставить два транзистора близко друг к другу, то альтернатив нет. Корпуса большие и много лишних соединений, кристаллы можно соединить напрямую бондами.

 

 

Это транзистор, напряжение любое, хоть от 0. С согласованием вопрос открытый, ток побольше задать, сопротивление меньше станет, при меньшем напряжении конечно. Не знаю, где автор собирается использовать транзистор: как ключ, или на длинную линию или ...

 

 

использовать как предварительный каскад, для работы на более мощные каскады либо на антенну.

Друзья , спасибо за ответы!

 

Только надо учитывать, что это транзисторный кристалл.

Чем плохи GaAs pHEMT для этих целей?

 

Да, забыл уточнить что на данном этапе интересует именно в корпусе. с кристаллами пока нет возможности работать.

[Valentin Go 0]

Возможно GaN FMM5061VF подойдет? 9,5-13 ГГц (По факту от 9 ГГц)

Внутренне согласованный,

P1=24-26 dBm

Имел дело с подобными транзисторами

http://www.sedi.co.jp/file.jsp?/pdf/FMM5061VF_ED1-3.pdf

[mepavel 0]

Мне казалось, у GaN при сравнимых мощностях и напряжениях емкость затвора будет меньше GaAs и проходная тоже.

Так и должно быть, потому для достижения тех же мощностей GaN HEMT должен иметь ток насыщения стока в несколько раз меньше, по сравнению с GaAs pHEMT из-за разницы в напряжении питания. Следовательно периметр затвора у GaN HEMT существенно меньше, чем у GaAs pHEMT на единицу выходной мощности. Емкость затвор-исток активной части структуры линейно зависит от периметра, отсюда и такие соотношения емкостей на единицу мощности.

Другое дело, что транзисторы на GaN и GaAs работают при разных напряжениях питания, поэтому вряд ли Вы найдете такие транзисторы с "сравнимыми напряжениями".

И вообще так просто нельзя утверждать, что если ёмкость затвора меньше, то во всех случаях такой транзистор будет легче согласовать по входу. К примеру, у СВЧ транзистора, работающего в активном режиме, входной коэффициент отражения может быть больше единицы, несмотря на то, что емкость затвора у него маленькая. Такой транзистор вообще не получится использовать без преднамеренного рассогласования.

Входной импеданс транзистора зависит от многих факторов и ёмкость затвора всего лишь один из них.

 

 

Возможно GaN FMM5061VF подойдет? 9,5-13 ГГц (По факту от 9 ГГц)

Внутренне согласованный,

P1=24-26 dBm

Имел дело с подобными транзисторами

http://www.sedi.co.jp/file.jsp?/pdf/FMM5061VF_ED1-3.pdf

Ну это совсем слишком просто. ;) И это не транзистор, а трёхкаскадная микроволновая интегральная схема.

[saab 2]

Ищите Экселик. Китайсы еще торгуют. EPA 18A , EPA 20 EPA 40 EPA 60 EPA 120и в таком духе.

Вобще с PHEMT aми какой то заговор. Спрос есть а все хором сняли с производства.

Перешли на китайщину, ширпотреб. А как жеж ваакумная микроэл и еже с ним звездные

войны. Нет элементной базы ИМХО.

[alver 0]

Так и должно быть

Вопрос больше ироничный был.

[sanyc 0]

Transcom TC2384