[Метценгерштейн 0]

Еще раз перечитал о работе транзистора, стал задаваться вопросом- как происходит, что при схеме с ОЭ (n-p-n возьмем для примера), при подаче тока в БЭ, электроны из Э идут не только в Б, но и в К потекли? Какая физика происходит на переходе КБ, что электроны и в К текут? Как бы поле тоже положительное, как и у Б, более высоковольтное, поэтому они текут в К. Так что -ли? А зачем коллектор делать из полупроводника? Нельзя ли сделать из металла? Там еще больше свободных электронов?

Не могли бы как-то попонятней объяснить этот момент?

[haker_fox 61]

Еще раз перечитал о работе транзистора, стал задаваться вопросом- как происходит, что при схеме с ОЭ (n-p-n возьмем для примера), при подаче тока в БЭ, электроны из Э идут не только в Б, но и в К потекли? Какая физика происходит на переходе КБ, что электроны и в К текут? Как бы поле тоже положительное, как и у Б, более высоковольтное, поэтому они текут в К. Так что -ли? А зачем коллектор делать из полупроводника? Нельзя ли сделать из металла? Там еще больше свободных электронов?

Не могли бы как-то попонятней объяснить этот момент?

Площадь коллектора больше площади базы, следовательно коллектор больше захватывает носителей заряда. Но что-то и базе перепадает, хотя у неё роток и поменьше будет :rolleyes:

 

Про металл ничего не могу сказать, не компетентен в этой области. Неплохо про физику полупроводников написано у Айсберга "Транзистор - это просто". Правда эта книга так сказать популяризаторская, что не отменяет её простой и доходчивый стиль изложения.

[Метценгерштейн 0]

я уже раз 3-й ее перечитываю, но фишку просечь не могу в этом моменте. Там у Айсберга очень все поверхностно расписано, не вглубляясь именно в сами физические процессы. Возможно, я не внимательно прочитал это место.

[Smoky 0]

Для простоты объяснения, слой базы очень тонкий, менее свободного пробега электронов около 10 мкм. Поэтому большая часть носителей пролетает слой базы и попадает в слой коллектора. Чем меньше носителей зарядов остаются в слое базы тем больше коэффициент усиления по току. Удивительная штука, переход база-коллектор закрыт а ток коллектора есть...

[Метценгерштейн 0]

хорошо, а почему бы тогда коллектор из металла не делать? На примере диода Шотки? Думаю, что тогда к безе сразу бует и U базы приложено и U коллектора. А так, U коллектора не приложено к базе. Но это догадки только.

[Smoky 0]

хорошо, а почему бы тогда коллектор из металла не делать? На примере диода Шотки? Думаю, что тогда к безе сразу бует и U базы приложено и U коллектора. А так, U коллектора не приложено к базе. Но это догадки только.

 

Как же это напряжение коллектора к базе не приложено? Приложено и составляет Uкб=Uкэ-Uбэ, напряжение на базе всегда ниже напряжения коллектора и переход база-коллектор всегда закрыт этим напряжением.

[alexvu 5]

Как я себе это представляю.

Коллекторный переход как диод закрыт обратным полем, т.е. в нем неоткуда взяться подвижным зарядам и тока нет.

Но эмиттерный переход при прямом напряжении (и токе) заполняется движ. зарядами.

Дальше часть этих зарядов попадает тонкий базовый слой (который вплотную граничит с эмиттерным переходом).

Далее часть этих зарядов попадает в запирающий слой коллекторного перехода и уж там захватываются полем и "летят" к коллектору, т.е. создают ток.

А так как эмиттер делается маленьким, а коллектор большим, а слой базы тоньше длины свободного пробега, то бОльшая часть зарядов "улетает" к коллектору.

(например, у npn-транзистора эмиттер выглядит как узкая площадка в центре полуцилиндра, слой базы вокруг него, а еще дальше по радиусу - коллекторный слой и далее "тело" кристалла-подложки).

Примечание. Под движущимися зарядами понимать электроны и дырки соответственно, направление - условное в зависимости от структуры транзистора.

[haker_fox 61]

переход база-коллектор всегда закрыт этим напряжением.

В режиме насыщения биполярного транзистора, переход база-коллектор будет открыт

 

Как я себе это представляю.

Вчера вечером, уже поздно, прочитал что люди именно представляют как рабтает p-n переход, но точно никто не знает :laughing: :laughing: :laughing:

 

[MrYuran 29]

хорошо, а почему бы тогда коллектор из металла не делать? На примере диода Шотки? Думаю, что тогда к безе сразу бует и U базы приложено и U коллектора. А так, U коллектора не приложено к базе. Но это догадки только.

А из чего же его по-вашему делают?

Ещё и с корпусом соединяют частенько

[Метценгерштейн 0]

ну т.е. я в точку попал- ясности как и у меня, ни у кого нет )))

база тонкая- да, но это только облегчает задачу перехода в коллектор из базы. Была бы толще, нужно было бы напряжение побольше, скорее всего. Я хочу сказать, что не из-за того, что база тонкая, электроны в npn залетаю в базу, и, как на картинке, не налево в базу идут, а прямо, по инерции )) Их затягивает поле. Более сильное. А почему?

[ViKo 1]

Работает, и ладно. И вообще, нет никаких электронов. Есть только кварки. Но их тоже никто не видел.

[Abell 0]

Интересная тема, почти как про общий коллектор. Понаблюдаю

[V_G 11]

Я хочу сказать, что не из-за того, что база тонкая, электроны в npn залетаю в базу, и, как на картинке, не налево в базу идут, а прямо, по инерции )) Их затягивает поле. Более сильное. А почему?

Как раз базу тонкой делают специально, чтобы концентрация неосновных носителей вблизи коллекторного перехода была выше. Чем тоньше база, тем больше этих носителей, эмиттированных из эмиттерного перехода (пардон за тавтологию), перейдет в коллектор, тем больше коэффициент усиления транзистора. Если база толстая (или вы пытаетесь сделать транзистор из двух диодов), то носители уйдут в базовый электрод.

И по площади: эмиттерный переход сейчас стараются сделать возможно большей площади, и с меньшим падением напряжения вдоль перехода, особенно у мощных ВЧ транзисторов (фактически там многоэмиттерный транзистор), с той же целью: инжектировать в область базы по возможности больше неосновных носителей.

Не знаю, учат ли этому радиоинженеров в современных вузах, но это основы...

[Raven 11]

А для начала взять и почитать, ну, скажем, какого-нибудь Батушева ("Электронные приборы", кажется, называется),- не судьба?

[IlCF 0]

Если есть базовые знания физики полупроводников, то попробуйте почитать книгу "Твердотельная электроника. 2004 - Гуртов В.А". Можно сразу со страницы 78 про биполярные транзисторы. По-моему, это очень неплохая книга, несмотря на то, что обычно учебные пособия вузовских преподавателей как раз на редкость непонятные и паршивые. А эту книгу не портит даже обилие формул - они все объясняются на словах.

А если физику полупроводников вы не знаете вообще, то понять работу транзистора не получится.