Перейти к содержанию
    

Драйвер P-канального MOSFET

Всем привет!

 

Хочу обсудить схему драйвера P-канального MOSFET.

 

Схема работает, но имеет недостаток, иногда какой-то полевик остается открытым и подскакивает потребляемый ток. Я связываю это с тем, что U2 ловит помеху по цепи питания и отпирается, но подтвердить эту догадку пока не могу.

 

Токи перезаряда емкости затовора верхнего полевика показаны стрелками, мне не понравилось, что после того, как входная емкость затвора U3 перезаряжена, потенциал эмиттера U2 повисает в воздухе и зависит от токов утечек в цепи затвора U3. Чтобы исключить это я добавил резисторы R3, R4, однако лучше не стало.

 

Какие будут мнения?

 

post-18458-1366109687_thumb.jpg

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Всем привет!

 

Хочу обсудить схему драйвера P-канального MOSFET.

 

 

Какие будут мнения?

Можете нарисовать схему вместе с MOSFETом? Что-то вы тут перемудрили.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Можете нарисовать схему вместе с MOSFETом? Что-то вы тут перемудрили.

Как-то Вы странно шутите, U3, U4 есть MOSFET :rolleyes: .

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

у U3 исток и сток не перепутаны местами?

Блин, перепутан, но только на бумаге, увлекся рисованием в AutoCAD'е, в жизни подключено правильно. Сейчас попробую картинку в исходном сообщении подправить.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

потенциал эмиттера U2 повисает в воздухе и зависит от токов утечек в цепи затвора U3.

U2 открыт через 3кОм, Б и Э соединены встречным диодом, Э "висеть" не будет, ищите в другом месте, например, кто из U3 и U4 когда открыт, всмыле проверьте на ТТЛ входе, и U4 лучше взять с упр. логическим уровнем и верхнии тоже если питание низковольтное

Изменено пользователем _Vova

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

U2 открыт через 3кОм, Б и Э соединены встречным диодом, Э "висеть" не будет, ищите в другом месте, например, кто из U3 и U4 когда открыт, всмыле проверьте на ТТЛ входе, и U4 лучше взять с упр. логическим уровнем и верхнии тоже если питание низковольтное

Если возможно управлять одним сигналом сделал бы вот так

 

Не, у меня МК будет ШИМом управлять, сейчас имульсы длительностью 5 mS, а пауза между ними 20mS (запас для ШИМ) это прекрасно видно на осциллографе, то есть сквозной ток от неправильного управления сигналом TTL практически исключен.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Если возможно управлять одним сигналом сделал бы вот так

на входе резистор база-эмитер, чтобы при включении было понятно, к чему притянута база. VT2, VT3 лучше как эмитерные повторители использовать,

а не добавлять усиление как у вас.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

на входе резистор база-эмитер, чтобы при включении было понятно, к чему притянута база. VT2, VT3 лучше как эмитерные повторители использовать,

а не добавлять усиление как у вас.

согласен, рисовал поторопился, биполярные транзисторы используются как повторители, такой драйвер использовался в преобразователе с ШИМ вторичного питания с управлением от микроконтроллера только с одним полевым ключем, базу VT1 можно подтянуть к земле для гарантии.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

согласен, рисовал поторопился, биполярные транзисторы используются как повторители, такой драйвер использовался в преобразователе с ШИМ вторичного питания с управлением от микроконтроллера только с одним полевым ключем, базу VT1 можно подтянуть к земле для гарантии.

Есть и более серьезные недостатки.

1) Сквозной ток VT2-VT3 в момент переключения по принципу "как повезет"

2) Чтобы обеспечить хорошую скорость переключения нужен большой ток в цепи коллектора V2, соответственно возрастает необходимый ток в цепи базы V2, значит резистор R2 достаточно низкоомный. При открывании V1 получаем лишние тепловые потери в цепи V1-R2. Именно с этим я боролся, включая верхний каскад U2 с диодом (это я уже о своей схеме). К стати, какой у Вас номинал R2?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Вот пожалуйста схема, базу транзистора (здесь VT2) подтягивать к земле не следует, т.к. при отсутствии сигнала управления откроется ключ.

post-56269-1366181058_thumb.png

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

при отсутствии сигнала управления откроется ключ.

а дальше?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Вот пожалуйста схема, базу транзистора (здесь VT2) подтягивать к земле не следует, т.к. при отсутствии сигнала управления откроется ключ.

N-канальный MOSFET прекрасно управляется TTL сигналом, проблема всегда с "верхним", P-канальным ключом.

Помимо этого, с одним ключом в цепи нагрузки нет опасности сквозных токов как в мостовых схемах.

В общем, Ваша последняя схема к теме топика вообще никак не относится.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Обеспечить быстрое включение выключение полевого ключа можно заряжая разряжая повторителем емкость затвора, составляющую порядка 1500-2000 пФ. Тогда в моствой схеме применить повторитель отдельно для каждого P и N ключа, управляя двумя сигналами с защитным временным интервалом между включениями. Идея простая заряжать и разряжать затвор ключа двутактным повторителем.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...