Skandalli

У меня есть две схемы, соответственно, мне нужно взять Y-par в одной и другой, вычесть их, потом преобразовать в Z и опять вычесть в разных комбинациях. (open-short de-embedding). А потом построить какие-то графики/таблицы. Просто в ADS такие функции преобразования есть, и неужели их нет в AWR... В крайнем случае, можно, конечно, и по формуле все сделать, но там формула километровая.

С Праздником! Господа, а как перегнать Z-par в Y-par? То есть, я что-то делаю в Output Equation с z-par, а результат нужно сконвертировать.

Спасибо. А если схему видоизменить в однопортовую схему? AITT не работает с s1p, то есть S-par второго порта должен быть, но если он будет показывать какой-то рандом, то это может как-то сказаться на деембеддинге S11?

Результат какой-то удручающий. Что-то я упускаю, судя по всему. Был взят Genesys, был взят файл S-param конденсатора Murata. Собрал "структуру" типа DUT+что-то вокруг. Снял S-par. Нарисовал еще одну схему, без S-par, но с удвоенной длиной полоска. Снял S-par. Запихал это все в AITT, получил что-то бредовое. По моим представлениям, я должен бы получить что-то очень похожее на исходные данные Murata. Но нет. Скрины прилагаю. В том числе и сравнительные графики (последний скрин).

Да, есть печатная плата с точно таким же полоском, как и на плате с кристаллом. Кристалл одним контактом сидит на земле. То есть: 1) Устанавливаем на плату разъемы (получается некая линия на проход) 2) Калибруемся 2) Измеряем плату - S11 3) Измеряем кристалл - S11 и на ПК это дело обрабатываем? В чем это можно быстро обработать (никогда не приходилось таким заниматься)? P.S. 2x Thru - это просто линия на проход же? или речь идет об удвоенной длине. То есть если от разъема к DUT идет МПЛ длиной L, то тут 2L?

То есть, подводящие к конденсатору полоски оставляем разомкнутыми? Если линия будет не равна lambda/4? Это сильно искажает измерения? Это loss, delay - все то, что можно посчитать Txline или AWR, верно?

Здравствуйте. Помогите советом. Случилась неприятность, понадобилось замерить конденсатор (кристалл). Диапазон измерений от 1ГГц до "как можно больше". "Замерять надо было еще вчера, срочно, на том, что есть" (с) начальство. Ситуация осложняется тем, что в практике подразделения таких измерений никогда не было в силу специфики работы. Кристалл очень маленький - разваривается на ПП. Поэтому нужно делать, как я понимаю, TRL калибровку. В наличии есть две ПП на каждой три равные МПЛ на 10 ГГц. Вопросы: 1) Достаточно ли сделать меру Match (например, установив на плату 50 ом) и меру Short (закоротка МПЛ)? Мера Line, насколько я понимаю, может быть заменена Match. 2) Можно ли не проводить калибровку Thru (структура платы не позволяет это сделать), или заменить ее просто SMA-переходом? Да, это погрешность, насколько она большая в случае с переходом? 3) Был скалиброван VNA с помощью Ecal, а потом проведено измерение S11 обычного керамического конденсатора известной емкости. В AWR по S11 на основании эквивалентной модели L-C-R емкость подобрать не удалось. В принципе, это понятно - разъемы, МПЛ и т.д. То есть, вариант стандартной калибровки не работает. 4) Как правильно задать новый набор в VNA? Есть ли там какие-то нюансы, типа классов калибровки S11A, S11 и и тд.?

Еще такой вопросик: есть какая-то электромагнитная структура. Как посмотреть излучение структуры? Меня интересует, как влияет расстояние до нескольких via на поведение полоска. Чтоб можно было как-то это оценивать. Пример в аттаче Em.rar

Спасибо. А если я использую в качестве модели подложки CPW_SUB? STACKUP вместо него подсовывать в каждый элемент ?

Здравствуйте. 1) Рисуем в схематике некоторую копланарную линию. Можем посмотреть топологию этой линии. 2) Дальше в EM-структуре определяем металл, подложку, толщины, сетку. Как правильно скопировать в em стуктуру то, что нарисовано в схематике? Пробовал вставлять напрямую (copy-paste) - при попытке просмотреть 3D - AWR валится. В свойства вставленной структуры заходил, свой металл выбирал.

Еще вопрос. Берем порт 1, соединяем с портом 2. Между портами на землю вешаем конденсатор. Получаем ошибку типа PORT.P2 : Duplicate port index found (1). Port numbers must be unique. Ports may not be connected together. То есть, в отличие от Genesys, AWR не переносит КЗ между портами. Как это правильно поправить? Сейчас решил вопрос, вставив элемент short. А насколько это грамотно?

Здравствуйте. Можно ли средствами AWR вычесть данные S-par из других S-par ?

В.Д. Разевиг, Ю.В. Потапов, А.А. Курушин, "Проектирование СВЧ-устройств с помощью Microwave Office" - тут что-то было Такой вопрос, в AWR есть блок лимитера/ограничителя ВЧ-сигнала? Нужно бюджет ППУ посчитать.

Я в свое время задавал подобный вопрос в саппорт. Только речь шла про Генезис и адс. Ответ был примерно такой: "это программы разного класса, разного назначения, сравнивать их не совсем корректно". Имхо, Genesys и Vue более человекопонятны, чем ads, с совершенно безумным интерфейсом (особенно когда приходится работать с топологией). Кроме того, расчет бюджета в ADS ощутимо слабее, чем в Genesys/Vue. Ну и есть отличия в цифрах. Кстати, что именно вы хотите моделировать?

1) С ATC все печально. Я особо не занимался этим вопросом, но у них вроде как все модели в Modelitics. 2) У murata на сайте есть куча библиотек для awr/genesys/ADS (со справкой). Беглое сравнение даташитов ATC и Murata говорит о том, что можно, в принципе, использовать для моделирования мюрату. 3) Немного библиотек есть в архивах внутри установленной ADS. Инструкция по подключению тут

У Genesys есть мастер, который закладывает все основные размеры, а потом перенастройкой optimize переключаемся на momentum и "дооптимизируем" то, что посчитал мастер. В ads будет примерно так же, только там интерфейс и "стык" схематик-layout менее понятен. Особенно неприятно работать с переменными. Куча всяких окошечек и менюшечек, и нужно помнить, что к чему и куда. Я бы начал с генезиса. Да, и там и там есть в help примеры синтеза фильтров, поэтому можно сравнить. Кстати, в библиотеке ADS эпсилон для RO4350, тот, что доктор прописал.

Первое, что приходит в голову - проверять в базе параметры подложки. Rogers для, например, RO4350 рекомендует при разработке использовать эпсилон = 3.66, тогда как в библиотеке используется 3.48. Я делал BPF Hairpin на 11 ГГц с полосой 800 МГц, сходимость реального фильтра с моделью оценочно 95%. А вот LPF на 8,5 ГГц не сработал. АЧХ получилась с провалами. Правда, был нюанс - измерения были на "боевой" плате, через ВЧ-разъемы для тестирования. Возможно, дело было не в фильтре, а в чем-то еще, что располагалось в тракте. Тогда изготовить макеты фильтров не получилось по финансовым причинам.

Здравствуйте. Подскажите еще такой момент. По книге Дмитриева разбираюсь с AWR, с EM Structure. И в свойствах ENCLOSURE есть вкладка Line Type Tab. Зачем она нужна? Во всех примерах, которые я видел, настройки этой вкладки не используют. Ведь задать материал на каждом слое я могу из вкладки layout и просто в свойствах фигуры.

Спасибо за отзывчивость) Меня интересовал больше идеологический вопрос задания слоев и портов в Genesys, так как CST на моем рабочем компе не работает (не хватает мощности). Вопрос решился двумя вариантами.

1) Вы имеете ввиду Sig-GND - сделать cover ? 2) А если взять RF-GND и Sig_GND нарисовать полигоном, потом на Top повесить порты Normal, а на GND-слои повесить порты Ref GND?

Еще здесь спрошу. Можно ли в MWO смоделировать такую структуру, на уровне линейного анализа (без EM-layout) ? Черным на рисунке отмечены via.

Как правильно промоделировать структуру, наподобие той, что на рисунке (сорри за корявость, САПРА со скриншотами под рукой нет)? ВЧ-сигнал идет по microstrip на слое top, потом через via уходит во внутренний слой и чуть погодя опять выходит на top. Как правильно задать порты? Относительно чего их задавать? У меня есть полигоны RF-gnd и Sig-GND, связанные между собой via (эти via не показаны). Как правильно указать, что они - земля? Попробовал на них навесить порты Ref GND, указав, что относятся к Normal портам на Top (красные стрелки на рис.) - получил потерь около 60 dB. Что я делаю не так?

Возник вопрос по моделированию многослойной ПП. Как правильно промоделировать структуру, наподобие той, что на рисунке (сорри за корявость, САПРА со скриншотами под рукой нет)? ВЧ-сигнал идет по microstrip на слое top, потом через via уходит во внутренний слой и чуть погодя опять выходит на top. Как правильно задать порты? Относительно чего их задавать? У меня есть полигоны RF-gnd и Sig-GND, связанные между собой via (эти via не показаны). Как явно указать, что они - земля?

Ну визуально, я отличий не углядел. Другое дело, что может, они поправили то, чем я, в силу особенностей работы, не пользуюсь, или какие-то баги выловили. Тут лучше читать описание версий и сравнивать. Недавно наткнулся на такую штуку, что библиотеки для старых версий не подходят к новым. Не получилось диод для ads2002 вытащить в последнюю ads. Мануал, который нашёл, не работает. А так и в 2016, и в 2019 базовые анализы есть - по постоянному, переменному току, S-параметры, электромагнитный, гармонический, временной... впрочем, как и в awr.

Посмотрите, какие модели есть для ads и awr. Большая библиотека есть по умолчанию в ads, ее нужно только распаковать и подключить. Я бы исходил из наличия моделей в первую очередь, и личных предпочтений к софту. У ads побольше всяких example.