Перейти к содержанию
Поиск
    

Nikkolaj

Участник
 Профиль  Обзор контента

  • Постов

    206

  • Зарегистрирован

  • Посещение

 Тип контента 

Сообщения, опубликованные Nikkolaj

  2. Опубликовано · Пожаловаться

    Спасибо всем за ответы.

    Вы правы, вначале надо изучить теорию, этим и займусь.

     

    SPACUM Дата Mar 6 2012, 15:12

    А какой период измерения нужен?

    Результат надо получать за каждый период сети, т.е. 20мс.

     

     

    SPACUM Дата Mar 6 2012, 15:12

    3.Совершенно не обязательно делать все на микропроцессоре. Достаточно связать Ваше устройство с ПК и сделать обработку там или воспользоваться готовыми программами.

    Да, Вы правы, действительно делать обработку на ПК удобнее.

    Так и сделаю.

    О каких готовых программах обработки Вы пишете, и где их можно посмотреть?

     

  3. Опубликовано · Пожаловаться

    Спасибо всем за советы и желание помочь.

     

     

    SPACUM

    Так что сначала должна быть база для экспериментов с трехканальным вводом на частоте раз в 20 выше частоты промышленной сети. А после уже книги и сами эксперименты.

    О базе для экспериментов.

    Думаю что для начала можно отработать алгоритм и на одном канале,

    не обязательно сразу браться за все три канала.

    Сейчас у меня под руками есть:

    стандартный генератор синусоидальных сигналов,

    12 разрядный АЦП,

    контроллер ATmega128 с LCD индикатором 2X16.

    Неужели этого не хватит для начала ?

    По крайней мере, для отработки алгоритма измерения действующего напряжения одной фазы.

    Для отработки измерения сдвига фазы, наверное без второго канала уже не обойтись.

    А три канала понадобятся уже в самом конце.

    Или я заблуждаюсь?

     

     

    SPACUM

    на частоте раз в 20 выше частоты промышленной сети.

    Я правильно Вас понял,

    что для измерения достаточно за период сети сделать 20 измерений мгновенных значений каждой фазы,

    и обработать их по определённому алгоритму ?

     

     

    SPACUM

    Многое зависит от требуемой точности.

    Точность измерения действующего значения 1% вполне устроит.

    Повидимому точность измерения будет сильно зависеть от количества измерений за период,

    или она больше зависит от точности измерения мгновенных значений, т.е. от точности АЦП.

    Для точности 1%, 20 измерений за период, и 12 разрядного АЦП будет достаточно?

     

     

    SPACUM

    настоящее понимание у меня появилось только после реальных экспериментов с реальными АЦП и БПФ на реальном микропроцессоре.

    Скажите, вычислительных возможностей контроллера ATmega128, при частоте 16МГц,

    для такой задачи будет достаточно, или придётся осваивать ещё и сигнальный процессор?

    При условии, что результат измерения нужно получать за каждый период сети.

     

     

     

    SPACUM

    Графический экран и логарифмический масштаб тоже требуются.

    Обьясните пожалуйста, почему обязательно будет нужен графический экран и логарифмический масштаб.

    Без них никак нельзя обойтись?

     

     

  4. Опубликовано · Пожаловаться

    to Pavel_SSS

     

    Измерением занимаюсь давно, но ДПФ-БПФ ранее не занимался.

     

    Спасибо за совет, посмотрю.

     

    Я рекомендую начинающим книжку Отнес, Эноксон. Прикладной анализ временных рядов.

    Там детально популярно объясняется и спектральный анализ с пом. ДПФ-БПФ.

     

     

    Спасибо за рекомендацию, посмотрю.

  5. Опубликовано · Пожаловаться

    Добрый день.

    Мне впервые досталась задача, для решения которой надо применить ЦОС.

    Вообще с електроникой и контроллерами работаю давно.

     

    Задача такая: измерение трёхфазного напряжения промышленной частоты.

    Надо выделить из напряжения каждой фазы основную частоту,

    и измерить её действующее значение и фазу.

     

    Посоветуйте пожалуйста, с чего лучше начать изучение алгоритмов ЦОС.

    Что почитать, какие сайты посмотреть.

  6. Опубликовано · Пожаловаться

    Добрый день.

    Для вывода информации сейчас применяю модуль LCD 16*2 Winstar WH1602b.

    Для улучшения качества изображения хочу перейти на аналогичный OLED модуль.

    Какие трудности в такой замене?

    Надёжны ли OLED модули?

    Какого производителя лучше выбрать?

    Нужно ли изменять программу?

     

  9. Опубликовано · Пожаловаться

    To Proffessor.

     

    Да, использовать ОУ с охваченным обратной связью диодом, повидимому должно подойти.

    Спасибо за ответ.

     

    To kovigor.

     

    Если в системе есть МК, то, возможно, было бы лучше реализовать на нем цифровой фильтр ...

     

    МК в системе конечно есть, но как на нём реализовать подобный фильтр, честно говоря, я не знаю.

     

    Подскажите...

     

    Спасибо за ответ.

  10. Опубликовано · Пожаловаться

    Добрый день.

    Посоветуйте пожалуйста, как решить следующий вопрос.

     

    Измеряю переменное напряжение, частота 50Гц.

    После активного выпрямителя получаю выпрямленное напряжение в диапазоне от0 до1В.

    Теперь это напряжение нужно отфильтровать,

    но отфильтровать так, что бы время заряда конденсатора было примерно 5мс, а время разряда примерно 100мс.

    Напряжение измерительное, поэтому допустить падение на диоде конечно нельзя.

  11. Опубликовано · Пожаловаться

    Всё правильно. Проблема возникает тогда, когда Вы хотите закрыть ключ. В случае с переменным напряжением сделать это получится лишь частично, ведь одну из полуволн всё равно будет пропускать через себя боди-диод.

    Разумеется, если речь идёт о коммутации напряжений больших, чем падение напряжения на диоде.

     

    Да, спасибо, я и сам это уже понял.

    Спасибо за терпеливое разьяснение.

  12. Опубликовано · Пожаловаться

    Потому, что у МОСФЕТ-а есть паразитный боди-диод. Одной из полуволн переменного напряжения - значит - Вы управлять не сможете.

     

    Я правильно понимаю, что этот боди-диод включен паралельно каналу, анод диода на истоке ?

     

    Если по открытому каналу протекает ток,

    котрый создаёт падение напряжения меньшее, чем напряжение открытия боди-диода,

    то боди-диод будет закрыт, и на работу канала влиять не должен.

    Тогда в этом диапазоне токов можно управлять обеими полуволнами переменного напряжения.

    Боди-диод то, всегда будет закрыт.

     

    Если падение напряжения на канале превысит напряжение открытия боди-диода,

    тогда боди-диод открывается, и естественно управлять одно из полуволн переменного напряжения будет нельзя.

     

    Или я опять что-то не так понял?

     

  13. Опубликовано · Пожаловаться

    Прекрасно.

    Тогда почему нельзя реализовать такой ключ просто на одном МОСФЕТ ?

    Взять МОСФЕТ с сопротивлением канала 50мОм.

    При максимальном токе 5А, ( амплитуда тока = 7А ) падение напряжения на ключе < 0,4V.

    Диод будет надёжно закрыт.

    МОСФЕТ будет коммутировать ток в обоих направлениях.

    Соответственно, ключ можно использовать как в в цепи переменного, так и в цепи постоянного тока.

    Рассеиваемая мощность минимальная.

    Что сдесь неправильно ?

     

    Да, МОСФЕТ на 400-600В с сопртивлением канала 50мОм дорогой 15-20 $, и достать их наверно будет не просто.

    Но они есть, например IPW60R045CP.

    Но зато не надо делать радиаторы и рассеивать тепло.

     

     

  14. Опубликовано · Пожаловаться

    Сток и исток у полевого транзистора - понятия почти условные. Поэтому его открытый канал может проводить ток в любом направлении.

     

    И при этом сопротивление открытого канала в обоих направлениях остаётся одинаковым ?

  15. Опубликовано · Пожаловаться

    Имелось в виду, видимо, что второй МОСФЕТ тоже можно открыть.

     

    Второй МОСФЕТ конечно будет открыт.

    И затворы, и истоки обоих МОСФЕТ соединены между собой.

    Поэтому открываться оба МОСФЕТ будут одновременно.

    Только на одном МОСФЕТ напряжение сток-исток будет прямой полярности, а на другом обратной.

    Возможно я не верно понимаю работу МОСФЕТ при обратном напряжении сток-исток.

  16. Опубликовано · Пожаловаться

    Подскажите пожалуйста,

    Как работает N канальный MOSFET, находящийся в открытом состоянии ( например, U затвор-исток = 10V )

    при отрицательном напряжении сток-исток.

    Понятно, что при отрицательном напряжении сток-исток > 0,7В MOSFET работает как диод.

    А как он работает при отрицательном напряжении сток-исток от 0В до 0,7В, когда диод ещё закрыт ?

    Он полностью закрыт как диод,

    или его характеристика симметрична относительно 0, и он пропускает ток через канал в обратную сторону?

     

  17. Опубликовано · Пожаловаться

    Когда два MOSFET включены последовательно, встречно ( соединены истоки MOSFET),

    то при любой полярности напряжения ток проходит через канал одного MOSFET и защитный диод другого MOSFET.

    Падение напряжения на ключе будет MOSFET + Диод.

    При этом достаточно одной транзисторной оптопары и DC/DC.

     

    Вы предлагаете другое включеник MOSFET ?

    Пожалуста, обясните какое, из Вашего сообщения я этого не понял.

  18. Опубликовано · Пожаловаться

    Согласен, пропайка поверх сильноточных дорожек медного провода - это самый надёжный метод.

    Тем более что дорожки будут максимально короткими.

    Повидимому так и поступлю.

  19. Опубликовано · Пожаловаться

    Если прямого падения на ключе не жалко- то mosfet в диагонали диодного моста.

     

    Самого прямого падения напряжения на ключе конечно не жалко, его аж 220В.

    А вот рассеивать лишнее тепло внутри прибора, вызванное этим падением конечно не хочется.

  21. Опубликовано · Пожаловаться

    Спасибо за ответ

    Да, это возможный вариант.

    Падение напряжения на ключе: Два диода и MOSFET.

     

    Сейчас рассматриваю вариант на двух MOSFET, включённых последовательно, встречно.

    Здесь падение напряжения на ключе: Один диод + Один MOSFET.

×
×
  • Создать...