Лидеры

Заказал ПП вот здесь: https://aliexpress.ru/store/5791867?spm=a2g0o.order_detail.order_detail_item.1.f6314f03ZKDzlu Быстрое изготовление 3 дня и доставка 2 недели до Татарстана. 2300руб. 5 шт. Платы на ISA шину. Качество хорошее.

Добрый день. Коллеги, подскажите пожалуйста, есть ли форумы, ТГ каналы, где можно найти контакты закупщиков электронных компонентов например из ДКО «Электронщик», Амперка...... Такие форумы точно есть у пищевиков для где можно найти контакты закупщика торговой сети, а есть ли такие же в нашей отрасли?

Никаких, но речь о различии шумов в зависимости от сопротивления источника. Не факт, что при 0 собственные шумы минимальны.

Нет, вплотную нельзя. Этот размер регламентируется производителем ПП, т.к. как не крути, а смещение маски относительно металла все равно будет. Производитель может гарантировать минимум 0.025мм. Максимум можно сколь угодно, иногда на площадки натягивается полигон и тогда вообще границы по металлу как таковой нету. Мы однажды применили такую NSMD площадки на LGA корпусах, в итоге даже при допуске +0.05 производитель ПП все равно умудрился сместить маску более, чем на это расстояние. Короче. Наши технологи попросили так больше не делать и мы убрали NSMD.

Про оверлеи слышали? Функционал изделия довольно часто можно разбить на независимые части, которым не обязательно работать всегда одновременно...

Приложенная схема на 146% выполняет ваши пожелания. Сопротивление R3 линейно уменьшается и на 10-й секунде переходит через значение 10 Мом. Выскакивает 1-ца.

Я разобрался. И.... Мы все были не правы! 😃 Я нашел у микрона в отдельной документации (csn33) разъяснения, в которых как раз объясняется мой вопрос.Смотрите фото, я там объединил две картинки. Ранее я писал: "96х0.47 Dimensions apply to solder balls post-reflow on Ø0.42 SMD ball pads." переводим: 96х0.47мм данные размеры применимы для шарика припоя после монтажа на контактную площадкой платы которая 0.42 SMD типа. Но это не так, оказывается, здесь речь идет не о печатной плате, а о подложке BGA. Что теперь стало очевидным и таким логичным 😃 0.42мм SMD типа это контактная площадка подложки BGA (а не КП на плате для этого BGA), в табличке она называется Package interconnect diameter. И далее уже зная это значение мы видим (красная стрелка) рекомендуемое значение для recomended PCB interconnect diameter, т.е. КП на плате. Вывод: Micron вообще не привязывается к диаметру ball, а просто указывается тип и диаметр КП на подложке BGA.

Эквивалентная цепь LNA в простейшем случае может быть представлена как добавочные сопротивление (Rb и Re на примере транзистора с ОЭ) Это R будет разным, и чем лучше усилитель тем они меньше (и напрямую не связаны с 50 Ом, согласование выполняет блок помеченный как "noise free block" и его собственные S-параметры) Нет фундаментальных ограничений чтобы оно приближалось к нулю. До 1990-ых годов особо малошумящие LNA делали криогенными (охлаждали жидким гелием), потом научились делать ещё более малошумящие LNA при комнатной температуре. Транзистор это не резистор Джонсона-Найквиста, это некоторое квантовомеханическое устройство и шумы связаны со степенями свободы носителей заряда и влиянием на количество этого движения температуры. в HEMT транзисторах облако вырожденного электронного газа двумерное, имеет меньше степеней свободы чем свободные электроны в кристаллической решетке металла. Тепловые шумы этого облака не являются шумом абсолютно черного тела и не подчиняются статистике Больцмана/Джонсона/Найквиста. Для более детального изучения эквивалентную цепь LNA рисуют более распределенно, т.к. разные источники шума связаны с остальными элементами конструкции различными паразитными связями, и для более тщательного проектирования таких транзисторов могут применять более сложную модель На рисунке модель для изучения свойства InP-InGaAs HBTs транзисторов. GaoMTT2004.pdf Для умозрительных целей можно представить как один нагрузочный резистор равный входному импедансу с эквивалентной шумовой температурой T. У современных транзисторов эта температура давно ниже комнатной. Если бы транзистор давал столько же шума сколько тепловой резистор, то энергия шума на выходе суммируется по правилу статистики RSS Erss² = E1² + E2² Erss = sqrt(E1² + E2²) Два источника шума по E в сумме дадут sqrt(2)*E = 1.414E = +1.5 дБ Транзисторы с Nf менее чем 1.5 дБ уже существуют, их эквивалентная температура шумов давно ниже комнатной Здесь показаны другие эквивалентные схемы и связанные с ними формулы: https://www.microwaves101.com/encyclopedias/noise-notes это такая метрика, в ней показывают вклад усилителя. этот вклад теоретически может быть близкий к нулю. у него тоже есть S-параметры, а его эквивалентная цепь будет содержать тепловой резистор шума. PhotodiodesSParameter.pdf решатели принципиальных схем (SPICE simulator) умеют решать общий Nf системы если в него в качестве входных данных подать S-параметры и Nf параметры источника, усилителя. P.S. Заметьте что в реалистичных схемах замещения - используется и сосредоточенный источник шума по напряжению, и по току В модели Джонсона-Найквиста без разницы как определять шум, можно и так и так (по теореме Нортона есть простая зависимость) https://en.wikipedia.org/wiki/Johnson–Nyquist_noise В эквивалентной схеме транзистора используют и то и другое, потому что разные режимы работы по разному влияют на эти составляющие. Чтобы симулятор смог корректнее считать в разных режимах работы - ставят вольтажный источник шума и токовый (как на второй картинке в самом начале)

Вкладки меню исправили по ширине и эргономике и в меню Edit Simulation Command появилась долгожданная вкладка Transient Frequency Response. Ну а долгожданное появление моделей и схем для микросхем Maxim IC вообще трудно переоценить.

Надо разработать низкоуровневый язык для СЧЁТ (деревянных)?? Что-то более высокотехнологичное мы произвести не в состоянии (мне жаль, но это тоже надо! понять).. Нас не то, что на "стоп" поставили, нас с размаху ёкнули об стену.. Конечно эмигрировать, точнее БЕЖАТЬ!!!

вариантов два както так примерно и высокоточный референс 0.001%