[Zuse 0]

37 minutes ago, Den64 said:

Любой FR "открывается" моментально, но "закрывается" раза в два медленнее.

Интересно. Спасибо за информацию. Нужно будет попробовать FR105

[Zuse 0]

On 4/30/2020 at 12:23 PM, Plain said:

90 мм дорожка — порядка 70 нГн, ну и внутри алюминиевого столько же

а почему вы учитываете индуктивность электролита? Ведь в данном переходном процессе должна работать керамика.

Я понимаю, что керамика X7R-0.1 мкФ выше 10 МГц начинает хуже работать, но всяко лучше электролита, у которого внутри вы предполагаете наличие паразитной индуктивности в 70 нГн 

[Plain 168]

Я не предполагаю, а почитал данные производителей. Пусть там ноль — оставшиеся 70 нГн всё равно будут давать этот эффект.

[Zuse 0]

6 minutes ago, Plain said:

оставшиеся 70 нГн всё равно будут давать этот эффект.

ну, эффект они определенно должны давать, но выброс должен быть значительно слабее. Если транзистор, допустим, закрывается за 10 нс (время за которое прекращает течь ток), а начальный ток равен 1.5 А, то E=L*di/dt=70нГн*1.5А/10нс= 10.5В

[Plain 168]

К чему всплыли транзистор и некое время, тогда как это типовой контур: I² · L = U² · C

 

C= 1,5 А ^2 · 70 нГн / 75 В ^2 = 28 пФ

[Zuse 0]

14 hours ago, Plain said:

К чему всплыли транзистор и некое время

Вы, насколько я понимаю, приводите расчет, в котором пренебрегаете временем закрытия ключа, считая, что вся накопленная в паразитной индуктивности энергия сбрасывается в паразитную емкость. Так можно было бы считать, имей мы существенно бОльшую индуктивность с существенно большей энергией. Например, так можно было бы считать, если бы в схеме не было снаббера и мы рассчитывали выброс, вызванный индуктивностью рассеяния.

Но в случае с малой паразитной индуктивностью печатных проводников, амплитуда выброса должна быть связана со скоростью закрывания транзистора, и скорость закрывания транзистора так или иначе должна быть учтена в расчете 

Изменено 15 мая, 2020 пользователем Zuse

[Plain 168]

[Zuse 0]

 Честно говоря слабоват в лтспайс. Поясните, пожалуйста, параметры импульса на затворе

[Plain 168]

Импульс одинаковый, 20 нс 400 мА, а индуктивность монтажа L2 разная, 1 пГн и 70 нГн — итого, прекрасно видно, что лишь она влияет на дополнительный выброс, а в остальном, т.е. до точки, где должен начинать свою работу диод, оба графика одинаковые.

[Zuse 0]

15 hours ago, Plain said:

Импульс одинаковый, 20 нс 400 мА, а индуктивность монтажа L2 разная, 1 пГн и 70 нГн — итого, прекрасно видно, что лишь она влияет на дополнительный выброс, а в остальном, т.е. до точки, где должен начинать свою работу диод, оба графика одинаковые.

а начальный ток L1 какой?

транзистор у меня FCP13N60N, у него Qgs в три раза выше

Изменено 18 мая, 2020 пользователем Zuse

[Plain 168]

Конечный 1,5 А, естественно,— строго тот самый, который был озвучен Вами в соответствующем сообщении подтемы. Ну Вы же последовательную цепь видите? Ток L2 всегда равен току стока.

[Zuse 0]

но транзистор заменить нужно

Изменено 18 мая, 2020 пользователем Zuse

[Plain 168]

Какие изменения Вы планируете увидеть?

[Zuse 0]

1 hour ago, Plain said:

Какие изменения Вы планируете увидеть?

ввиду меньшей скорости запирания (у FCP Qgs в три раза больше) планирую увидеть меньший выброс 

[Plain 168]

Т.е. мне никчёмный драйвер поставить? Как я сказал, сейчас 400 мА — вроде хреновее уже не бывает.

 

Но повторю, даже с таким драйвером, к моменту увеличения напряжения на стоке до 10 В, на затворе уже ноль, транзистор безусловно закрыт, и порассеивать в линейном режиме Ваш выброс ну никак не сможет.