MSprut 0 21 октября, 2013 Опубликовано 21 октября, 2013 · Жалоба Если есть встроеный обратный диод, то он как раз защищает. Он включен между стоком и истоком? Если да, то не надо ставить быстродействующих диодов параллельно каналу. Да, между С-И, и часто встречается информация о том что лучше поставить обратный диод внешний. Пометьте транзисторы номерами. ... а когда один сгорит, то не будет ли это тот у которого оно ниже? Тут придется неизвестно сколько ждать, может день, а может месяц до сгорания. И схема вроде вполне нормальная получается из всех рассуждений, т.е. стабилитроны в затворах есть, но нужно уровень понизитьдо 15-16В, обратные диоды внутри мосфетов есть, обратные диоды параллельно нагрузке есть. Единственное чего нет во второй схеме, так это ограничения по питанию. И снова мысль возвращается к началу. Ещё пара вопросов. 1.Почему преобразователь запитан не через диод? Ведь при обратном выбросе в сети ёмкость С8 будет просто моментально разряжена. 2.Какой номинал у С10? Диод там есть, его в этом куске схему нет. Номинал С10 - 47мкФх35В Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 168 21 октября, 2013 Опубликовано 21 октября, 2013 · Жалоба С каждым ответом все меньше соображаю что делать, схема растет как снежный ком. Она просто не может быть меньше, чем требуют законы природы. Ранее Вам уже предлагалось изучить готовые решения, и если бы Вы последовали этому совету, то увидели, что все они сделаны по топологии источника тока, потому что это единственное, что может гарантировать ОБР. Если всё же надумаете поставить готовое, то вот ориентир: http://www.digikey.com/product-search/en?F...amp;pageSize=25 Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
terio007 0 21 октября, 2013 Опубликовано 21 октября, 2013 · Жалоба Диод там есть, его в этом куске схему нет. Номинал С10 - 47мкФх35В Ну что же, тогда резко поднять устойчивость по затвору можно уменьшением номиналов R22 и R23 с 10 К до 1К и менее, сколько позволит схема управления и источник 24В по току. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MSprut 0 21 октября, 2013 Опубликовано 21 октября, 2013 · Жалоба Если всё же надумаете поставить готовое... Все устройство стОит как один драйвер, но все равно спасибо. Все же хочется домучить то что есть, а не кидатся от решения к решению. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Tarbal 4 21 октября, 2013 Опубликовано 21 октября, 2013 · Жалоба Тут придется неизвестно сколько ждать, может день, а может месяц до сгорания. зато в следующий раз сгорит не нахаляву, а даст информацию. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MSprut 0 22 октября, 2013 Опубликовано 22 октября, 2013 · Жалоба А почему мосфет не сгорает в КЗ, а с каким-то сопротивлением остается? Или это особенности производства мосфет? Характер сгорания как-то зависит от того по какой цепи он сгорел, З-И, С-И, встроенный диодили еще как-то? Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Tarbal 4 22 октября, 2013 Опубликовано 22 октября, 2013 · Жалоба Есть возможность проверьть насколько одинаково греются полевики? Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MSprut 0 22 октября, 2013 Опубликовано 22 октября, 2013 · Жалоба Устройства по схеме 2 у меня нет собранного, а по схеме 1 разница в температуре мосфетов в каждом канале 3-4°С. Измерял термопарой и тестером, чем богаты, как говорится. p-mosfetы греются чуть больше. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
terio007 0 22 октября, 2013 Опубликовано 22 октября, 2013 · Жалоба А почему мосфет не сгорает в КЗ, а с каким-то сопротивлением остается? Или это особенности производства мосфет? Характер сгорания как-то зависит от того по какой цепи он сгорел, З-И, С-И, встроенный диодили еще как-то? Любой мосфет состоит из нескольких тысяч параллельных маленьких мосфетиков. Когда часть их отгорает, сопротивление канала растёт. Чем больше сгорит - тем больше сопротивление... :crying: Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
sKWO 0 22 октября, 2013 Опубликовано 22 октября, 2013 · Жалоба А почему мосфет не сгорает в КЗ, а с каким-то сопротивлением остается? Большой ток МОСФЕТА достигается за щёт каскадирования нескольких полевиков в одном корпусе,это получается при "подгорании" одного или нескольких транзисторов. Характер сгорания как-то зависит от того по какой цепи он сгорел, З-И, С-И, встроенный диодили еще как-то? Таки да. Кроме того что Вы параллельно включили МОСФЕТЫ для достижения нужного тока И-С он то у Вас и выгорает. А выгорает почему - ток большой, транзисторов на его пропуск "пашет много и кого-то сдают нервы". из Вики: MOSFET - полевой транзистор с изоляцией затвора окислом кремния - соответственно он управляется как полевик напряжением и при превышении макс. напряжения на затворе тоже может приводить к подгоранию и приводит. Прочитав топик, ИМХО, каскадировать каскадированое я бы не стал, а посмотрел бы впринцыпе в сторону IGBT, хоть дороже но и напряжение повыше ну и ток поприличнее. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MSprut 0 22 октября, 2013 Опубликовано 22 октября, 2013 · Жалоба ИМХО, каскадировать каскадированое я бы не стал, а посмотрел бы впринцыпе в сторону IGBT А рассеиваемая мощность на IGBT? Мосфеты без радиаторов у меня работают, да и как-то же оно должно работать, ведь параллельное включение мосфетов часто используется. Если не параллелить, то в схеме 2 можно использовать вместо 2-х IRF3205 один IRFB3306, а в схеме 1 вместо IRF4905 даже не знаю что можно использовать, он в своем роде по соотношению цена/параметры чуть-ли не уникальный. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Integrator1983 0 22 октября, 2013 Опубликовано 22 октября, 2013 · Жалоба Когда часть их отгорает, сопротивление канала растёт. Чем больше сгорит - тем больше сопротивление... А Вы видели когда-нибудь MOSFET, сгоревший на обрыв? Кроме того что Вы параллельно включили МОСФЕТЫ для достижения нужного тока И-С он то у Вас и выгорает. Что Вы хотели этим сказать? Для сомневающихся в возможности параллельной работы MOSFET - рекомендую обратить внимание на зависимость Rds_on от TJunction. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MSprut 0 23 октября, 2013 Опубликовано 23 октября, 2013 · Жалоба ...рекомендую обратить внимание на зависимость Rds_on от TJunction. Получается параллельные мосфеты должны быть еще и термосбалансированными между собой, иначе какой-то один все равно будет тащить на себе гораздо больше? Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Integrator1983 0 23 октября, 2013 Опубликовано 23 октября, 2013 · Жалоба Получается параллельные мосфеты должны быть еще и термосбалансированными между собой, иначе какой-то один все равно будет тащить на себе гораздо больше? Наоборот, они сами между собой выравниваются. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MSprut 0 23 октября, 2013 Опубликовано 23 октября, 2013 · Жалоба Наоборот, они сами между собой выравниваются. А разница в температуре между параллельными мосфетами из-за чего, если самовыравниваются? Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться