[Herz 4]

Подключал оба вывода к минусу питания, когда луч по сетке выставлял, ничего не видел, никаких выбросов.

Это хорошо. Если только подключение было максимально близко к тому месту, где при измерениях наблюдаются выбросы. Тогда надо определиться, насколько эти выбросы Вам мешают. Если величина их приемлема, то слишком много сил на борьбу с ними прикладывать не стоит. Так или иначе, рассеивание снабберами энергии этих выбросов КПД не добавит. Существенно повлиять на ситуацию может только топология монтажа, минимизирующая паразитные реактивности.

[MSprut 0]

Тогда надо определиться, насколько эти выбросы Вам мешают. Существенно повлиять на ситуацию может только топология монтажа, минимизирующая паразитные реактивности.

Мне они не мешают, но подсознательно понимаю что так быть не должно или если должно, то не так явно выражено, и в авто наверно могут возникнуть проблемы из-за работы устроства, хотя по цепи питания помехи не большие. Вот кусок топологии платы с мосфет. Короче, прямее, ближе и кучнее уже вроде некуда в данном случае, в моем скромном разумении

[MSprut 0]

Сделал немного фоток с осциллографа, за качество не пинайте сильно, что есть. На фото "сток n-мосфет (OUT-)" пришлось выкрутить яркость луча и сдвинуть луч вниз, чтобы хоть как-то выброс разглядеть, амплитуда 25-30В сверх напряжения питания, а может и больше, дальше уже не видно. И на фото "Затвор n-мосфет c наргрузкой..." непонятный изгиб на нижней полке. Вход осциллографа закрытый, "0" по центральной оси сетки. Размытость на полках это недофильтрованные 50Гц от БП.

[НЕХ 4]

Периодически выходит из строя один из VT11, VT12. Сопротивление И-С становится порядка 10-12Ом и транзистор плавит все вокруг, причем все компоненты в затворных цепях и второй транзистор целые. Один из транзисторов может выйти из строя сразу после включения или проработать неделю, месяц, а потом сгорает. Подскажите, пожалуйста, физику процесса выхода из строя MOSFET в данной схеме и как это можно предотвратить и увеличить надежнось схемы?

Силовые ключи с авторским драйвером при выключении оказываются в линейном режиме длительно...

VT5 выходит из насыщения медленно - может BSS84 вместо биполярного ?

Зачем двойной драйвер ?

R18, R19 не к истоку, но к минусу питания.

[MSprut 0]

 

И? Прокомментировали бы как-то...

Убрал двойной драйвер, переподключил R19 к минусу питания. VT5 должен быстрее из насыщения выходить, хотя и раньше по осциллографу сильно затянутых фронтов не было. Добавил в затворы по стабилитрону в соответствии с более ранними рекомендациями.

Изменено 2 ноября, 2013 пользователем MSprut

[terio007 0]

А на к.1 XT4 выброс в плюс, но там уже 15-20В сверх напряжения питания, а может и больше, очень узкий выброс, плохо видно верхнюю границу. Длина проводов до нагрузки 1-1.5м не больше, сечение 1.5мм.кв. Убрать этот выброс никак не получается, никакими резисторами, диодами и супрессорами.

 

Явно больше 15-20 В сверх питания.

Выброс естественен.Сколь не коротки и толсты провода идущие к лампе, но таки небольшую индуктивность имеют.

А ток большой. Соответственно есть запас энергии в индуктивности проводов и выброс при резком прерывании тока не слабый.

Ограничить выброс в самом начале его развития можно двумя путями:

1.Уменьшением скорости выключения транзистора - энергия выброса будет рассеяна на кристалле транзистора.

2.Применением RC цепочки прямо на ножках сток-исток транзистора.

Это единственный выбросогаситель, который начинает работать без временной задержки.

В вашем случае можно (учитывая большую мощность транзисторов) попробовать обойтись просто установкой импульсного конденсатора 0,1...0,2мкФ/100В на ножки сток-исток.

Фронт выброса растянется, а амплитуда соответственно уменьшиться.

Приятно, что разрядка ёмкости будет происходить автоматически при зажигании лампочки. B)

[MSprut 0]

А ток большой. Соответственно есть запас энергии в индуктивности проводов и выброс при резком прерывании тока не слабый.

Ограничить выброс в самом начале его развития можно двумя путями:

1.Уменьшением скорости выключения транзистора - энергия выброса будет рассеяна на кристалле транзистора.

В вашем случае можно (учитывая большую мощность транзисторов) попробовать обойтись просто установкой импульсного конденсатора 0,1...0,2мкФ/100В на ножки сток-исток.

Фронт выброса растянется, а амплитуда соответственно уменьшиться.

В схеме 2 такого не было, подозреваю что мосфеты там действительно выключались и включались медленне из-за драйвера. Или вернуться к схеме 2, но со всеми рекомендоваными доработками. Конденсатор пленочный MKP подойдет?

[terio007 0]

Конденсатор пленочный MKP подойдет?

Вполне подойдёт.

[MSprut 0]

А что если для p-мосфет и n-мосфет сделать разные драйверы? Для p-мосфет сделать как в схеме 1, а для n-мосфет как в схеме 2, с упрощением до схемы из поста №80.

[MSprut 0]

В вашем случае можно (учитывая большую мощность транзисторов) попробовать обойтись просто установкой импульсного конденсатора 0,1...0,2мкФ/100В на ножки сток-исток.

Посмотрел осциллографом с делителем 1:10 амплитуду выброса на стоке n-мосфет. Получилось 35-40В сверх питания. Потом подключил конденсатор MKT-P X2 0.1мкФх250В на С-И, амплитуда выброса упала до 15В сверх питания. Но габариты у этих конденсаторов...

 

Еще пробовал для n-мосфет драйвер по типу из поста №80. Открывается быстро, закрывается целых 40мкс, зато никаких выбросов, все красиво. А можно как-то настроить время закрытия в такой схеме драйвера (пост 80)? Чтобы И время закрытия было минимально возможное и выбросы при этом не слишьком большие, ну хотя бы как на стоке p-мосфет (см. фото). Может pnp заменить на p-мосфет? Или может, например, в эмиттеры VT5, VT9 (схема 1) добавить по резистору для регулировки времени разряда затворной емкости?

Как-то так...

[MSprut 0]

Ставил резистор 510Ом в эмиттер VT9. Выбросы на стоке уменьшились до 5В, как на стоке p-мосфет и время спада на затворе увеличилось до 20мкс.

[terio007 0]

Ставил резистор 510Ом в эмиттер VT9. Выбросы на стоке уменьшились до 5В, как на стоке p-мосфет и время спада на затворе увеличилось до 20мкс.

Очень хорошо. 5 вольт пусть будет :beer:

 

[MSprut 0]

Ок. На этом пока и остановлюсь. Всем спасибо.

[MSprut 0]

Еще несколько вопросов...

1. Можно ли вместо двуханодных стабилитронов в затворе использовать двуханодные TVS габаритов 0603 или 0805 соответствующего номинала?

2. Насколько живучи внутренние диоды мосфет, нужно ли их дублировать внешними диодами?

3. Если дублировать, то параметры внешнего диода должны быть лучше чем внутреннего?

4. Целесообразно ли применение супрессоров параллельно С-И мосфет?

[terio007 0]

1.Не пробовал, не подскажу.

2,3.Конечно внешние лучше ( и по параметрам тоже).

4.Для гашения внешних выбросов по цепи питания.