[лосев 0]

Тема отделена от "Проектирование БП средней мощности без конвекционного охлаждения"

 

Этот параметр называется Vfr -Forvard recovery voltage

и если фирме есть чем похвалится в этом плане- обязательно

хвалятся- мол у нас 2,5 вольта бывает не более 20нс.

И схемку приводят как мерять.

Или вообще крупными буквами- NO FORVARD RECOVERY!!!!

Так значит в остальных было?

А чего замалчивали? Хвалится нечем?

А вот когда нечем похвалится, приходится самому делать им анализы.

Чего они там умалчивают.

А без анализов и получается- никак не смог побороть выброс на диоде,

и поэтому забросил флай.

 

Все это последствия маркетинга- вложились в производство фаст-реверс-рековери

и теперь проталкивают их везде, а во флае выключение диода идет

при нулевом токе и этот параметр ему как собаке пятая нога.

Изменено 9 декабря, 2009 пользователем Vokchap
Разделение темы

[лосев 0]

Ну будет прямое напряжение малость больше чем

в уст. режиме, типо 1,75В вместо 0,75В,

 

А 175 вместо о,75 не приходилось видеть?

[gyrator 0]

А 175 вместо о,75 не приходилось видеть?

Неее. Эт страшно и я в таких случаях глазки схлопываю, т.к. раздаётся страшный грохот и в стороны летят останки

полупроводов.

[лосев 0]

, т.к. раздаётся страшный грохот и в стороны летят останки

 

Это наверное от симуля. :smile3046:

Надо внимательнее изучить останки.

[IVX 0]

А 175 вместо о,75 не приходилось видеть?

а подробнее, что за диоды такие могучие(корпуса), что за токи и скорости?

[лосев 0]

, что за диоды такие могучие(корпуса), что за токи и скорости?

 

Вот до чего резиновые бабы доводят, берешь обычную бабу... эээээ... диод

самый простой - Д226 или 1N4007 и куришь вот такую схемку из мануала

Разгоняешь дроссель до 10-30-100 ампер, и начинаешь изучать настоящую

физику полупроводников.

Я тоже в универе не помню как её сдавал- это какой то кошмар- зоны , уровни ферми,

в общем пришлось потом до всего руками доходить.

Для интереса можно потом эту схемку в симуле покрутить- поймешь чего он стоит.

[IVX 0]

лосев, мои буст смпсы при 200А на пределах dI/dt пашут, есличо и никаких эдаких эффектов не видывал, всё что вижу -только спайки на конструктивных индуктивностях (то-220+1210+рсв)..

[IVX 0]

...

я прошу прощения, что ничего из вашего сумбура не понял, видимо сказывается продолжительное отсутствие в раше, но найду завтра полчаса, поищу 1N4007 (хотя вроде при чём тут тормозной диод, если речь о пико-нано секндных временах, ок проверю и MUR какой нибудь..) и шибану 100-200 амперами, на бешеной скорости, вероятно его пробьёт в сей же миг, но 2.7Gs/S скоп сфотографировать ваши 175в(!) успеет.

PS: сочетание букв "правильно Задорнов", не знаю как для других, но для меня лично, сильно убавляет остроты дискуссии, впрочем, не в обиду сказано.

[IVX 0]

лосев, гуглем сходу по Diode forward recovery time, вторая ссылка майкросеми аппнот по диодным потерям в PFC, вот так они упоминают о проблеме форвад рекавери: Actually, diode forward recovery time measurements are dominated by package inductance. Замечу, что речь там идёт о довольно толстых 30А 600В диодах, чего уж говорить о типичных для этого топика мелких MUR***? :maniac:

[лосев 0]

я прошу прощения, что ничего из вашего сумбура не понял,

 

Так это был ответ на пост ни о чем, и я тоже ни о чем.

Мало или у кого чего где. У меня вот гвоздь в кармане.

 

Есть схема из даташиты, написано- 200 вольтовый транзистор надо ставить.

Зачем 200 вольт? Знают значит люди на фирме какой выброс может быть.

Чтоб его было видно весь.

И как импульсы надо подавать- тоже все расписано.

И не надо по другому.

 

А 200 ампер в течении микросекунды и чахлый диод выдержит.

У него в даташите 30 ампер при 8 милли секундах.

Это в тысячи раз дольше.

А открыватся он будет 5 микросекунд.

Это совсем не те времена о которых думает gyrator,

Это много для снаббера.

[IVX 0]

А открыватся он будет 5 микросекунд.

Это совсем не те времена о которых думает gyrator,

Это много для снаббера.

какой именно диод гиратор использовал, как вы увидели? Я не вижу партномера, просто символ диода и всё.. Ну ладно, говорите, который именно тормоз открывается 5мкс, завтра проверю, если найду конечно такой конченый диод в реале

[IVX 0]

лосев, да, 1n4004 на больших токах проваливается изрядно, я бы сказал его пучит от большого-быстрого тока, как будто индуктивность насыщающаяся внутри приличная, на 77А 1000нс (20нс фронт 17в через .22ом ) даже на 7А и то 600нс, на 1.5А 300нс, и дальше меньше, вплоть до нуля на 30мА. У mur160, mur1620, нескольких шоток и ixys 15A600V (не помню номер) этого провала вообще нет. Думаю, что такое непростое поведение 4007 и приносит некую пользу в RDC 20-50вт флаях, где его только и можно обнаружить в SMPS.

[лосев 0]

Сдается мне рационализацию в схему внесли.

Надо строго по фирменной схеме.

Тогда без разницы mur-ы her-ы покажут пик до 1,5 мкс а шоттки до 0,5 мкс.

Это определяется технологией перехода диффузионные это одно, а шоттки -другое.

И т.д.

Вообще нужны ионно-легированные. Но это совершенно другая технология,

совершенно другие заводы надо строить, пока только заказные приборы так делают.

А нам что то нужно изобретать из того что есть.

 

Вот поэтому я и пристал к гиратору- чтобы он включал в модель эти "насыщающиеся индуктивности"

Хотя это не индуктивность. Насчет простой модели думать надо.

Сложные модели переходов есть, но опять же не для широкого пользования.

[IVX 0]

Надо строго по фирменной схеме.

Тогда без разницы mur-ы her-ы покажут пик до 1,5 мкс а шоттки до 0,5 мкс.

я пробовал и по схеме, мосфет правда 60 вольтный был, увидел этот косяк у 4004 и решил проверить на большом но ровном токе и заменил индуктор на .22ом рез. На murs120 и шоттке 20200 не было этого провал в схеме с индуктором (заряжал до 200А), есть наносекундные спайки на индуктивность больших корпусов типа то-220.

[лосев 0]

и заменил индуктор на .22ом рез.

Так это совсем другая схема, в ней и тока в первую микросекунду нет.

В том то и дело- когда переключается ток, который уже есть в схеме-

картина совсем другая.

Выброс есть всегда.

Вот картинки из букварика про физику процесса- очень упрощенно

в реальности нет такого распределения примесей а переходе,

там все сложнее именно из за технологии диффузии -неравномерность

по толщине и невозможность получить нужные концентрации в нужном месте.