ivan paren 0 12 ноября, 2010 Опубликовано 12 ноября, 2010 · Жалоба Подскажите, пожалуйста, какие нужно изменить настройки, чтобы красный график прорисовывался на всю ось (как синий). Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
loreley 0 12 ноября, 2010 Опубликовано 12 ноября, 2010 · Жалоба Хотел отписаться по поводу моей проблемы. Спасибо камраду l1l1l1, навёл на правильную дорогу и был почти прав)))) Вообщем, процесс симулиции не хотел запускаться и выдавало ошибку, т.к. на винчестере было мало свободного места,точнее, было 1,5 Гб. Когда освободил до 4 Гб - то процеес пошел. Но! Когда я смотрел на вкладке Information проекта EM_Structures - то там отображалось, что места для данногой проекта достаточно! И памяти оперативной тоже с запасом! А на деле оказалось всё иначе... Но завершить моделирование при наличии дефектной структуры с подложкой так и не удалось(((Потому что, когда я в основании металлизации делаю дефекты, то необходимое время для симулиции вырастает на порядки. По крайне мере, мне выдавалась информация, что на симуляцию потребуется более 10 дней :cranky: В итоге пока остался ни с чем... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
EUrry 3 13 ноября, 2010 Опубликовано 13 ноября, 2010 · Жалоба Подскажите, пожалуйста, какие нужно изменить настройки, чтобы красный график прорисовывался на всю ось (как синий). А что за график то? Не видно ничего. А лучше проект покажите, если не секрет. Хотя, в VSS сам не работал, да и от других здесь о нем особо упоминаний поступало, но может быть и поможем чем. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ivan paren 0 15 ноября, 2010 Опубликовано 15 ноября, 2010 · Жалоба А что за график то? Не видно ничего. А лучше проект покажите, если не секрет. Хотя, в VSS сам не работал, да и от других здесь о нем особо упоминаний поступало, но может быть и поможем чем. График взят из примера амплитудной модуляции (AM_Example.exp, VSS, Install, AM_Example, Modulatoin, WVFM). Дело в том, что когда я меняю начальные условия (например, несущая частота 37.5 ГГц, модулирующая частота 10 МГц, Stop after 3000 ns, Time Span 3000 ns), то график результирующего колебания не прорисовывается на всю ось. Наверное, нужно изменить какие установки/настройки, но я пока не нашел какие именно. Вообще задача у меня промодулировать сигнал 100 ГГц сигналом 1 кГц, получить его спектр, добавить шумы, и проанализировать прохождение этой смеси через радиометрический приемник. Пробовал ряд программ, везде натыкался на определенные ограничения при моделировании. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
EVS 0 15 ноября, 2010 Опубликовано 15 ноября, 2010 · Жалоба ...задача у меня промодулировать сигнал 100 ГГц сигналом 1 кГц, получить его спектр, добавить шумы, и проанализировать прохождение этой смеси через радиометрический приемник. Пробовал ряд программ, везде натыкался на определенные ограничения при моделировании. Попробуйте envelope simulation в ADS. Сочетает FD расчет по несущей и TD по модуляции. Вообще, целесообразность расчета радиометра вот так, в лоб - под большим вопростом. Но при таком отношении нес/мод - это, пожалуй, единственная ваша надежда. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Wic 0 16 ноября, 2010 Опубликовано 16 ноября, 2010 · Жалоба Доброго времени суток, подскажите пожалуйста как подключиться через VBA к mathcad? При использование процедур описанных в справке маткада, выдает ошибку что объект не найден. Цель всей затеи отрыть маткадовский файл, задать значение переменной, провести пересчет и считать результаты. Три последнних пункта вроде понятно описаны, а вот с первым не получается. Mathcad 14 MWO 9. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
huyt 0 19 ноября, 2010 Опубликовано 19 ноября, 2010 · Жалоба Здраствуйте уважаемые пользователи MWO, Подскажите пожалуйства в чём ошибка? И как её исправить? Моделирую ППФ на мпл в EmSight, при запуске на анализ выдаёт ошибку Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
sanyc 0 19 ноября, 2010 Опубликовано 19 ноября, 2010 · Жалоба Здраствуйте уважаемые пользователи MWO, Подскажите пожалуйства в чём ошибка? И как её исправить? Моделирую ППФ на мпл в EmSight, при запуске на анализ выдаёт ошибку Фигура, к кромке которой привязан порт, не привязана к координатной сетке. Надо выделить полосок и выполнить команду Snap to grid/ Должно заработать. Кроме того, плоскость порта должна совпадать с гранью (краем) области моделирования (Enclosure) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
huyt 0 20 ноября, 2010 Опубликовано 20 ноября, 2010 · Жалоба спасибо за ответ помогло, Snape Shape наверо тоже самое что и Snap to grid Ещё вопрос: как провести оптимизацию схемы в Emsight чтобы заданное затухание было на определённой частоте? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
evgdmi 0 20 ноября, 2010 Опубликовано 20 ноября, 2010 (изменено) · Жалоба Ещё вопрос: как провести оптимизацию схемы в Emsight чтобы заданное затухание было на определённой частоте? Напрямую настройка и оптимизация ни в EMSight, ни в AXIEM не работает. Поэтому, видимо, придётся вручную изменять размеры топологии для получения нужного результата. Настройка и оптимизация в ЕМ работает только, если структура извлечена из схемы с помощью экстракции. Если у Вас есть схема фильтра (например, создана или получена синтезом в iFilter), то можно попробовать. Но успех такой оптимизации возможен только в случае, если схема точно отражает параметры топологии. Изменено 20 ноября, 2010 пользователем evgdmi Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
huyt 0 21 ноября, 2010 Опубликовано 21 ноября, 2010 · Жалоба Если у Вас есть схема фильтра (например, создана или получена синтезом в iFilter), то можно попробовать. Но успех такой оптимизации возможен только в случае, если схема точно отражает параметры топологии. Спасибо за совет, Есть топология фильтра, взятая из книги Конструирование и расчет полосковых устройств. под.ред. Ковалёва И.С, и скорей всего оптимизацию придётся проводить вручную изменяя размеры структуры Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
kiuaki 0 23 декабря, 2010 Опубликовано 23 декабря, 2010 (изменено) · Жалоба Может ли MWO учитывать или даже рассчитывать электромагнитную связь между входом и выходом усилительного каскада. Вопрос касается именно EM расчёта, не моделирования на уровне Schematic - Schematic Layout. Возник вопрос потому что никогда не встречал таких примеров. Документация кричит об EM моделировании но о сути данного вопроса не найти ни слова. Ни "Да" ни "Нет". А любопытсво растёт. Те случаи электромагнитного моделирования, которые описаны и приведены в примерах, ограничиваются пассивными структурами. Предлагается считать каждую отдельно. Из чего не ясно есть ли возможность хоть как-то учесть их EM взаимодейсвие между собой, когда они расположены рядом на плате. Те примеры, которые названы "**GHz_Amplifier" содержат EM расчёт Imput Match, Output Match отдельно. Затем обе (оба?) Match включены в схему Amplifier в виде Subsircuits, которые на мой взгляд, не позволяют учесть EM взаимодейсвия между входом и выходом. Не могу поверить что такого рода расчёт невозможен. Проясните пожалуйста так ли это. Изменено 23 декабря, 2010 пользователем kiuaki Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
sp1noza 0 24 декабря, 2010 Опубликовано 24 декабря, 2010 · Жалоба Может ли MWO учитывать или даже рассчитывать электромагнитную связь между входом и выходом усилительного каскада. Вопрос касается именно EM расчёта, не моделирования на уровне Schematic - Schematic Layout. Возник вопрос потому что никогда не встречал таких примеров. Документация кричит об EM моделировании но о сути данного вопроса не найти ни слова. Ни "Да" ни "Нет". А любопытсво растёт. Те случаи электромагнитного моделирования, которые описаны и приведены в примерах, ограничиваются пассивными структурами. Предлагается считать каждую отдельно. Из чего не ясно есть ли возможность хоть как-то учесть их EM взаимодейсвие между собой, когда они расположены рядом на плате. Те примеры, которые названы "**GHz_Amplifier" содержат EM расчёт Imput Match, Output Match отдельно. Затем обе (оба?) Match включены в схему Amplifier в виде Subsircuits, которые на мой взгляд, не позволяют учесть EM взаимодейсвия между входом и выходом. Не могу поверить что такого рода расчёт невозможен. Проясните пожалуйста так ли это. Конечно возможен. Вам же ничего не мешает засунуть входную и выходную цепи в одну топологию, заменив транзистор файлом S-параметров, и смоделировать весь усилитель. Есть пример - называется MMIC_two_satge_amp (в AWR MWO 2009 точно есть), там есть возможность практически полностью смоделировать весь усилитель в EM, надо только его маленько переделать. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
kiuaki 0 2 января, 2011 Опубликовано 2 января, 2011 · Жалоба sp1noza wrote " засунуть входную и выходную цепи " Благодарю, конечно, за то что вселили оптимизм, но для моего уровня слово "засунуть" может подраземевать вовсе не то что для Вашего. Если цели форумов это общение профессионалов, прояснение некоторых вопросов для начинающих или людей не находящих ответов в других местах, то путём "засовывания" этих целей добиться, опять же, нелегко. Хорошо бы раскрыть суть "засовывания". Кто нибудь пробовал такое? ( Какое точно я не понял). Будет ли наблюдаться электромагнитное взаимодейсвие в "засунутом" хозяйстве? То st1noza - Не примите за проявление недружелюбности, просто в то время как нашёлся похожий на положительный ответ - "вроде как можно", возникли вопросы более конкретного характера -"как начать?". Метод тыка, в MWO ведёт к многонедельным нелепицам. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
serges 0 3 января, 2011 Опубликовано 3 января, 2011 · Жалоба Предполагается использование внутренних портов, к которым подсоединяете транзисторы в виде S-par. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
