[dinam 1]

26 минут назад, _Sergey_ сказал:

Возможно у вас не достаточно четкое понимание, что такое индуктивность..

Неплохо написано у Эрика Богатина на эту тему. Попробую и я что-нибудь изобразить..

Не вдаваясь в математику, визуально красная петля и есть та самая индуктивность подключения. Там где-то текут возвратные токи, но как их считать - непонятно.

И тут мы вспоминаем рекомендации на силовые преобразователи - надо ставить ближе! Правильно! Петля уменьшится в размерах.

Однако ж потом вспоминаем курс ТОЭ - несколько индуктивностей в параллель всяко меньше единичной.

Широкие перекрывающиеся полигоны питания - это много-много единичных индуктивностей в параллель. НО! И эта единичная индуктивность значительно меньше чем на рисунке выше, потому что полигоны питания разделены диэлектриком толщиной менее 1мм (обычно).

Уже хорошо. Но можно еще лучше! Мы можем еще и конденсатор множеством переходных подключить. http://www.pdntool.com/faq/esl

Круто? Можно еще круче! https://electronics.stackexchange.com/questions/596596/which-of-these-two-smd-decoupling-capacitor-layouts-would-have-lower-esl

Тут конечно нужно отметить, что многовыводные конденсаторы - для низких напряжений, для сильноточных низковольтных процессоров и т.п. И для сильно инерционного моторчика эти пикогенри погоды не делают.

ЗЫ: Это подборка картинок из интернета за 10 минут.

 

А всё, сообразил. Действительно, когда силовой контур в преобразователе, то там дорожки или даже что-то типа полигонов идет от одной деталюшки к другой деталюшке (по ОДНОЙ и последовательно) и в итоге складываются индуктивность корпусов и контура. Несмотря, что там полигон скорее всего работает только небольшая часть полигона, только там где протекает возвратный ток. А у полигонов питания куча таких контуров и все они работают в параллель. И тут уже расстояние до конденсатора не сильно влияет. Спасибо!

Я кстати так и стараюсь в силовых частях делать. Делаю полигоны питания, зашунтированные только электролитами, а уж к нему цепляю силовые контуры с минимальной площадью. 

[Arlleex 131]

42 минуты назад, dinam сказал:

что-то типа полигонов идет от одной деталюшки к другой деталюшке (по ОДНОЙ и последовательно)...

Это почему? В силовой цепи вообще идеально, когда расстояние между всеми силовыми точками пайки компонентов равно 0, т.е. идеальный центр звезды с нулевыми сопротивлением и взаимной индуктивностью.

Взять любой DC/DC, для примера, ST1S14, вот его разводка из даташита

Обратите внимание на размещение диода и индуктора. Линиями показаны силовые направления токов при рабочих циклах.

Можно ли тут далеко относить диод, тем более через внутренние слои, сшив переходными? Нет, нельзя, т.к. хоть площадь силового контура и увеличится, но так же и увеличатся помехи на излучение и пульсации, от которых, в том числе, зависит устойчивость цепей обратных связей.

С с совсем уж кривой сшивкой преобразователь может и вовсе не заработать, выпалив все что там у него на выходе.

[_Sergey_ 13]

4 minutes ago, Arlleex said:

Обратите внимание на размещение диода и индуктора. Линиями показаны силовые направления токов при рабочих циклах.

И что характерно - серая стрелка не соответствует реальности.

Диод замыкает ток на землю и хвост к конденсаторам - отсутствует.

Это пример почти правильного референса.. 🙃

Я бы прибил конденсаторы и диод переходными к хорошей, широкой земле на нижнем слое.

[dinam 1]

17 минут назад, Arlleex сказал:

Это почему? В силовой цепи вообще идеально, когда расстояние между всеми силовыми точками пайки компонентов равно 0, т.е. идеальный центр звезды с нулевыми сопротивлением и взаимной индуктивностью.

Когда я писал эти слова, то подразумевал мост с силовыми транзисторами и шунтами. Типа такого. Толстыми линиями показаны цепи, индуктивность которых надо минимизировать. Ведь речь в теме изначально шла про мост с внешними транзисторами? 

[Arlleex 131]

1 час назад, _Sergey_ сказал:

И что характерно - серая стрелка не соответствует реальности.

Диод замыкает ток на землю и хвост к конденсаторам - отсутствует.

Стрелка правильная, хвост только надо развернуть в другую сторону - в сторону Cout🙂

Цитата

Я бы прибил конденсаторы и диод переходными к хорошей, широкой земле на нижнем слое.

А зачем? При прямом ходе (верхний транзистор открыт) показанная на рисунке разводка как раз выигрышнее, т.к. индуктивности переходных отверстий не будут влиять на внутренний токовый усилитель ошибки.

Как раз, ИМХО, широкий полигон должен быть на слое подключение компонентов.
 

1 час назад, dinam сказал:

Ведь речь в теме изначально шла про мост с внешними транзисторами? 

Да тут уже обо всем, как обычно))

[_Sergey_ 13]

49 minutes ago, Arlleex said:

А зачем?

Если абстрактно - любовь к искусству.

Если практически - работа в области выше 1ГГц.

[Arlleex 131]

А возможно ли дублированием слоев ПП только ухудшить какие-то параметры схемы?

Например, мне нужно подвести сильноточную цепь от входного питания до транзисторов.

Да, я сделаю подвод на внутренних слоях (или на Bottom). Но я могу продублировать относительно значимой площадью по Top-у.

Имеет ли это какие-то негативные последствия в силовой и преобразовательной электронике?

[_Sergey_ 13]

23 minutes ago, Arlleex said:

Имеет ли это какие-то негативные последствия в силовой и преобразовательной электронике?

Нет. По постоянному току это в плюс (в теории).

[tim_ben 0]

On 12/6/2023 at 11:17 AM, Arlleex said:

Хочу покрутить маломощный моторчик через H-мост.

Банально 2 драйвера верхних/нижних плеч MOSFET, а сами транзисторы по мощности с огромным запасом.

Смотрю ток body-диодов: совпадает с прямым током сток-исток, т.е. не вижу смысла навешивать сверху эти диоды.

Вопрос: у этих встроенных диодов нет каких-то особых физических приколов или каких-то скрытых сайд-эффектов относительно обычных дискретных внешних?

Вы неправильно смотрите - ток через body- диоды течет в обратной полярности, но навешивать внешние диоды действительно ни к чему. В данном случае через body- диоды у вас будет происходить разряд обмотки мотора и для этого их вполне хватает.

[amaora 20]

14 hours ago, Arlleex said:

Не знаю, почему там что-то повыгорать должно, так как эти конденсаторы у меня на 100 В, входной источник держит до 48 В, транзисторы до 200 В, а Clamping TVS на отметке 45.4 В при Breakdown 34.4 В🙂

Конденсаторы керамические в два раза выше по напряжению норма. А вот для чего транзисторы 200в непонятно. Вместо TVS я бы предпочёл лучше продумать конструкцию и управление, исключить эти броски напряжения.

[Arlleex 131]

Полистал я по руководствам с драйверами MOSFET-ов, не нашел, чтобы на цепи затвора рисовали паразитную индуктивность.

Я хотел протащить HO драйвера в аккурат по обратному слою, чтобы не тянуть вокруг. Приоритет сделал в сторону цепей бустреп.

Это критично? Или приоритетом разводятся HO/LO с наименьшей индуктивностью и лишь потом все остальное?

[Plain 168]

46 минут назад, Arlleex сказал:

Или приоритетом разводятся HO/LO

Совсем не то нарисовали. Приоритет — 3 шт. силовых конденсаторов. Сперва ставите на ПП только их, ИС, диод(ы) и транзисторы, и минимизируете все расстояния, разводя лишь в верхнем слое. В данном случае, нижний истоком к выв.8, верхний стоком к выв.1, затем между ними и ИС вставляете Cvcc, затем Cpwr, и Cbs вплотную к выв.2 и выв.4.

[Arlleex 131]

11 минут назад, Plain сказал:

Совсем не то нарисовали. Приоритет — 3 шт. силовых конденсаторов.

Под силовыми конденсаторами тогда понимаются какие?

 

C13, C15, C18?

Вроде итак все близко весьма, ну только C15 не прямо на выводах (но близко к тому) висит.

C18 вообще в точке минимизации контура питания транзисторов, идеально же. Разве нет? Конденсаторы которые побольше - тоже, по сути, силовые, просто по разводке через переходные подключены.

Соединение транзисторов (исток-сток) в полумосте еще не дорисовано тут, но будет полигон с кучей переходных, чтобы отвести в нагрузку. Отсюда же кратчайшим путем получается путь до R8, четко по книжке для снижения паразитов по цепи затвор-исток верхнего транзистора.

[Plain 168]

30 минут назад, Arlleex сказал:

Под силовыми конденсаторами тогда понимаются какие?

Я же их перечислил:

37 минут назад, Plain сказал:

вставляете Cvcc, затем Cpwr, и Cbs

И сейчас они у Вас не вплотную и не в одном слое.

[Arlleex 131]

3 минуты назад, Plain сказал:

И сейчас они у Вас не вплотную и не в одном слое.

Все элементы, показанные на схеме, на верхнем одном слое.