makc 205 10 октября, 2023 Опубликовано 10 октября, 2023 · Жалоба 2 минуты назад, another_one сказал: Понятно, спасибо, может кто-нибудь объяснит что подразумеваеться в ProASIC3 под "Flash Programming part" исходя из контекста этого документа: На сколько я понимаю, речь идёт о внешней конфигурационной флешке. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
another_one 0 10 октября, 2023 Опубликовано 10 октября, 2023 · Жалоба В моем понимании есть конфигурационная - и пользовательская Flash и обе они программируемые Just now, makc said: На сколько я понимаю, речь идёт о внешней конфигурационной флешке. У проасика же все внутри Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
makc 205 10 октября, 2023 Опубликовано 10 октября, 2023 · Жалоба Только что, another_one сказал: У проасика же все внутри Возможно они хотели показать, что внешняя флешка хуже? Это же презентация, текста доклада нет. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
BRS_crpr 0 10 октября, 2023 Опубликовано 10 октября, 2023 · Жалоба 1 час назад, another_one сказал: может кто-нибудь объяснит что подразумеваеться в ProASIC3 под "Flash Programming part" могу ошибаться, но пробежав по первой презентации хочу отметить, что там показаны результаты исследований чиповых блоков (PLL, флешки, ОЗУ и других), которые на борту ProAsic3 к различным видов отказов: SEL (тиристорный эффект), SEFI (одиночный сбой), SEЕ (там он приведен как SEFI и SET - самовосстанавливающийся отказ изменения уровня сигнала). Для флеш проводилось тесты в статике и в динамике. Показано, что во время статических тестов на стойкость флеш не чувствительна к различного рода отказам, а вот при воздействии во время обращения к ней, могут наблюдаться SEE и SHE. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
