[ChristinaChadzynski 1]

On 9/6/2023 at 5:48 PM, artemkad said:

Проблема в том, что при сработке после отключения перегрузки  ток через шунт упадет до нуля и триггер Шмитта почти тут-же(через время сопоставимое с временем срабатывания) разрешить работу

С чего бы? напряжение срабатывания - порядка 50мВ, напряжение ПОС - 300мВ, левая часть ДК надёжно заперта, весь ток - в правой.

[tonyk_av 31]

5 hours ago, ChristinaChadzynski said:

А вот и апгрейд: теперь защита срабатывает и по 500мА на 1м пине, и по 150 на всех.

У меня нагрузка варьируется от 10 до 400мА при напряжении от 10 до 30В. Гложат сомнения, что схема эта будет работать в таком диапазоне.

Ещё смущают диоды на входе. Видимо, придётся 2003 заменить на 2001, плюс по входам 7 резисторов , 7 диодов, не считая схемы защиты в общем проводе. И после этого решение вы будете называть простым?

[ChristinaChadzynski 1]

On 9/6/2023 at 6:45 PM, tonyk_av said:

У меня нагрузка варьируется от 10 до 400мА при напряжении от 10 до 30В. Гложат сомнения, что схема эта будет работать в таком диапазоне.

Это набросок, с вероятностью 80% её придётся дебажить в симе/реале даже при 12В)

Не факт, что простейший ЦАП из резисторов сможет точно отследить график допустимого к-ва токо-каналов, я исходил из того, что разумный человек использует транзистор не более, чем на 50% его макс. тока;)

И из стабилизированности питания, ИОН прямо с шины берётся)

On 9/6/2023 at 6:45 PM, tonyk_av said:

Ещё смущают диоды на входе. Видимо, придётся 2003 заменить на 2001, плюс по входам 7 резисторов , 7 диодов, не считая схемы защиты в общем проводе. И после этого решение вы будете называть простым?

А где я писал, что это простое решение?) Кстати, я и самое простое тоже предложил - панелька для смены исдохших 2003х. Число элементов - 0, кто меньше?

По резисторам - дополнительно ко внутренним 2,7кОм нужно добавить внешние примерно того же номинала - чисто для возможности коротить входы, не считал их.

Менять драйвер нет нужды, а вот само решение кмк максимально простое для электронной защиты, ничего лишнего. Рассыпухи много - но это токмо для минимизации числа активных приборов / формальной простоты / фана.

Изменено 6 сентября, 2023 пользователем ChristinaChadzynski

[artemkad 53]

3 часа назад, ChristinaChadzynski сказал:

С чего бы? напряжение срабатывания - порядка 50мВ, напряжение ПОС - 300мВ, левая часть ДК надёжно заперта, весь ток - в правой.

Потому как сразу после срабатывания 50 мВ на шунте и отпирания выходного транзистора, ULN-ка закроется и на шунте станет 0мВ, что однозначно через время разряда   RC-цепочки откроет левую часть на которой напряжение станет меньше чем на опоре и  транзистор закроется, что приведет к отпиранию накоротко закороченной ULN-ки до повторного срабатывания триггера через время заряда RC-цепочки. И так с частотой примерно 1 кГц...

[tonyk_av 31]

3 hours ago, ChristinaChadzynski said:

а вот само решение кмк максимально простое для электронной защиты, ничего лишнего. Рассыпухи много

Предлагаю сравнить решение на ULN2001/3+обвязка с решением, например, на DRV8803 с акцентом на площади, занимаемом элементами на плате и числом точек пайки. Навскидку, второе будет заметно выгодней, хотя, возможно, немного дороже, но значительно надёжней.

Изменено 6 сентября, 2023 пользователем tonyk_av

[ChristinaChadzynski 1]

On 9/6/2023 at 10:22 PM, artemkad said:

Потому как сразу после срабатывания 50 мВ на шунте и отпирания выходного транзистора, ULN-ка закроется и на шунте станет 0мВ, что однозначно через время разряда   RC-цепочки откроет левую часть на которой напряжение станет меньше чем на опоре и  транзистор закроется, что приведет к отпиранию накоротко закороченной ULN-ки до повторного срабатывания триггера через время заряда RC-цепочки. И так с частотой примерно 1 кГц...

Вы невнятно излагаете.. попробую понять.

Quote

через время разряда   RC-цепочки откроет левую часть на которой напряжение станет меньше чем на опоре

на базе левого транзистора будет к этому времени до 300мВ с коллектора правого.

Противоречие устранено?

On 9/6/2023 at 10:30 PM, tonyk_av said:

Предлагаю сравнить решение на ULN2001/3+обвязка с

Да что угодно специализированное будет дешевле (исключение - есть бесплатная раб. сила). Вы ещё сравните дискретный усилитель с  тда2005.

Изменено 6 сентября, 2023 пользователем ChristinaChadzynski

[artemkad 53]

18 минут назад, ChristinaChadzynski сказал:

на базе левого транзистора будет к этому времени до 300мВ с коллектора правого.

На базе левого 0.5В базы выходного деленное на 2, а на базе правого БОЛЬШЕ чем 0.5В базы выходного + 0.2В(или больше) насыщенного коллекторного перехода правого транзистора минус 0.5В базы правого транзистора. Т.е. на базе правого БОЛЬШЕ чем 0.2В (если будет меньше выходной транзистор не откроется ни при каких условиях). С учетом наличия тянущего  вверх резистора в цепи базы правого транзистора справочник стэли мне говорит, что там это "больше" будет больше чем 0.25В левого. 

[ChristinaChadzynski 1]

On 9/6/2023 at 10:50 PM, artemkad said:

На базе левого 0.5В базы выходного деленное на 2, а на базе правого БОЛЬШЕ чем 0.5В базы выходного + 0.2В(или больше) насыщенного коллекторного перехода правого транзистора минус 0.5В базы правого транзистора. Т.е. на базе правого БОЛЬШЕ чем 0.2В (если будет меньше выходной транзистор не откроется ни при каких условиях). С учетом наличия тянущего  вверх резистора в цепи базы правого транзистора справочник стэли мне говорит, что там это "больше" будет больше чем 0.25В левого. 

Да что ж Вы так мой мозг не бережёте? Пишите по-русски плз.

Кто-нибудь, вы поняли, что тут написано?

Изменено 6 сентября, 2023 пользователем ChristinaChadzynski

[artemkad 53]

1 час назад, ChristinaChadzynski сказал:

Да что ж Вы так мой мозг не бережёте? Пишите по-русски плз.

\({U_{б1} =U_{бэ3}./2=0.5В/2=0.25В} \\ U_{б2} =U_{бэ3}+U_{кэ2}-U_{бэ2}\approx U_{кэ2}=(0.2В ... 11.5В) \\ где \\ \quad б1-база\quadлевого\quadтранзитора \\ \quad б2-база\quadправого\quadтранзитора \)

При этом 0.2В(напряжение насыщения кэ2) на базе правого при отсутствие резисторов к 12В и открытым входам. А так как они есть  - скорее всего там напряжение будет больше чем 0.25В на б1

1 час назад, ChristinaChadzynski сказал:

Кто-нибудь, вы поняли, что тут написано?

Твоя схема - ты и должен понимать.  

[Сергей Борщ 119]

1 час назад, artemkad сказал:

ты и должен

Судя по ChristinaChadzynski, скорее "должна".

[JW457896 0]

15 hours ago, ChristinaChadzynski said:

А вот и апгрейд: теперь защита срабатывает и по 500мА на 1м пине, и по 150 на всех.

Спасибо большое, буду экспериментировать.

On 9/5/2023 at 1:15 PM, artemkad said:

desaturation detection.pdf

Очень даже неплохо защищает от кз, в место 2В использовал 3.3В от питания МК.

единственное только надо заморачиваться с ШИМ.

[Siv21 2]

4 часа назад, JW457896 сказал:

единственное только надо заморачиваться с ШИМ.

Можно и не заморачиваться с ШИМ, схемка защиты немного изменяется.

Добавляется то, что обведено пунктиром.

[ChristinaChadzynski 1]

On 9/7/2023 at 12:34 AM, artemkad said:

Uб2==Uбэ3+Uкэ2−Uбэ2≈Uкэ2=(0.2В...11.5В)

Странная формула, где логика? Почему считать так, когда напряжение на базе 2 фиксировано ИОНом (50мВ)?? Да и откуда там 11+В могут появиться??

On 9/7/2023 at 12:34 AM, artemkad said:

0.2В(напряжение насыщения кэ2)

Нагрузки там нет, я считаю 0,05В примерно.

On 9/7/2023 at 12:34 AM, artemkad said:

на базе правого

Почему Uкэ - на базе??

 

On 9/7/2023 at 12:34 AM, artemkad said:

Твоя схема - ты и должен понимать

Я спрашивал не Вас.

 

[artemkad 53]

4 минуты назад, ChristinaChadzynski сказал:

Странная формула, где логика? Почему считать так, когда напряжение на базе 2 фиксировано ИОНом (50мВ)??

Это всего лишь обход контура напряжений Uбэ3 Uкэ2 Uбэ2 Uб2 при ограничениях накладываемых открытым и насыщенным транзистором. Там оба транзистора открыты, а значит напряжение на базовых переходах каждого примерно 0.5В, потому они и сокращаются. С другой стороны второй транзистор уходя в насыщение не сможет на КЭ обеспечить меньше 0.2В отсюда и нижнее ограничение, а верхнее ограничение это 12В-Uбэ3=12В-0.5В. При попытке выйти за эти два ограничения или закроется нижний транзистор(ограничение 11.5В) или ток базы второго транзистора поднимет напряжение на делителе(ограничение 0.2В). Посмотри схему входного каскада LM358 из даташита - там как раз первый транзистор так подключен для работы от 0В.

39 минут назад, ChristinaChadzynski сказал:

Почему Uкэ - на базе??

В точке подключения базы. Потому что в точке подключения эмиттера напряжение равно Uэ=Uбэ3+Uкэ2. А в точке подключения базы Uб= Uэ-Uбэ2 или Uб=(Uбэ3+Uкэ2)-Uбэ2  И т.к. напряжения открытых баз примерно равны и равны 0.5В их разница стремится к нулю. В результате остается  Uб=Uкэ2

[ChristinaChadzynski 1]

On 9/7/2023 at 10:24 AM, artemkad said:

Это всего лишь обход контура напряжений Uбэ3 Uкэ2 Uбэ2 Uб2 при ограничениях накладываемых открытым и насыщенным транзистором.

Вестимо, но зачем? 

 

On 9/7/2023 at 10:24 AM, artemkad said:

С другой стороны второй транзистор уходя в насыщение не сможет на КЭ обеспечить меньше 0.2В

0,02В при токе до 10мА по ДШ для bc807.

On 9/7/2023 at 10:24 AM, artemkad said:

верхнее ограничение это 12В-Uбэ3=12В-0.5В.

На эмиттере там никогда больше 0,7В не будет.

On 9/7/2023 at 10:24 AM, artemkad said:

В точке подключения базы.

Да, но логика непонятна, зачем считать так, когда там всегда 50мВ.

А через Uкэ можно и 12В получить....

Изменено 7 сентября, 2023 пользователем ChristinaChadzynski