SVNKz 11 October 24, 2023 Posted October 24, 2023 · Report post В 24.10.2023 в 13:43, khach сказал: Советская вузовская теория физики полупроводников- это тоже очень большое приближение. Знай математику или не знай- аналитически получится решать только одномерную модель да и то очень приблизительно. Если есть желание разобраться- ставим nextnano, грузим модель P-N перехода и разбираемся, как оно считает. Да и то это будет статика, динамику по времени с распространением ЭМ волны через переход из первых принципов квантмеха считать напрямую ресурсов вычислительных не хватит и у супрекластера. Разбираться со всеми видами "переходов" невозможно из-за их множества видов, которые обычно представлены в учебниках "вузовской эпохи". Практически пригодится опыт измерения конкретных переходов всего нескольких типов по стандартизированной методике и только потом "разбираться" с остальными по мере надобности. Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
khach 83 October 24, 2023 Posted October 24, 2023 · Report post Ну про "несколько типов" которые стандартны мы и так знаем все. А у ТС насколько я понял вопрос был про нестандартные, там где квазистационарная модель прибора не работает и надо учитывать распространение ЭМ волны внутри прибора. На вскидку это ЛПД и диоды Гана, и теории их сильно отличается от классики типа диода с PN переходом или того же Шоттки. Попробуйте рассчитать хотя бы обычный ДНЗ ( диод с накоплением заряда) где особого квантмеха еще нет, но субнаносекунды уже требуются. Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
UART 32 October 26, 2023 Posted October 26, 2023 (edited) · Report post Чтобы получше понять эту тему вам нужно смотреть паразитную модель перехода (то есть емкости и индуктивности). Емкость также зависит от геометрических размеров перехода и приложенного напряжения, концентрации атомов и региона работы (ВАХ) перехода и т.д. но также нужно почитать про уровень Ферми и т.д.. Все это можно узнать из хорошей книги по проектированию транзисторов, например. Если грубо, то существуют графики смоделированные для разных pn структур зависимости скорости (m/s) от электрического поля (V/m). при малых уровнях приложенного напряжения скорость зависит от скорости электрона и приложенного электрического поля, при больших уровнях напряжения - постоянна. Edited October 26, 2023 by UART Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
Джун 22 November 6, 2024 Posted November 6, 2024 · Report post Ни чо себе вы тут круты... Напряжение Эрли есть а тока Эрли нет, почему так? Отсюда вытекает вопрос ааа что у градиента в ОПЗ дефузии нет, только дрейф? 1 Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
