SVNKz 1 24 октября, 2023 Опубликовано 24 октября, 2023 · Жалоба В 24.10.2023 в 13:43, khach сказал: Советская вузовская теория физики полупроводников- это тоже очень большое приближение. Знай математику или не знай- аналитически получится решать только одномерную модель да и то очень приблизительно. Если есть желание разобраться- ставим nextnano, грузим модель P-N перехода и разбираемся, как оно считает. Да и то это будет статика, динамику по времени с распространением ЭМ волны через переход из первых принципов квантмеха считать напрямую ресурсов вычислительных не хватит и у супрекластера. Разбираться со всеми видами "переходов" невозможно из-за их множества видов, которые обычно представлены в учебниках "вузовской эпохи". Практически пригодится опыт измерения конкретных переходов всего нескольких типов по стандартизированной методике и только потом "разбираться" с остальными по мере надобности. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
khach 36 24 октября, 2023 Опубликовано 24 октября, 2023 · Жалоба Ну про "несколько типов" которые стандартны мы и так знаем все. А у ТС насколько я понял вопрос был про нестандартные, там где квазистационарная модель прибора не работает и надо учитывать распространение ЭМ волны внутри прибора. На вскидку это ЛПД и диоды Гана, и теории их сильно отличается от классики типа диода с PN переходом или того же Шоттки. Попробуйте рассчитать хотя бы обычный ДНЗ ( диод с накоплением заряда) где особого квантмеха еще нет, но субнаносекунды уже требуются. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
UART 22 26 октября, 2023 Опубликовано 26 октября, 2023 (изменено) · Жалоба Чтобы получше понять эту тему вам нужно смотреть паразитную модель перехода (то есть емкости и индуктивности). Емкость также зависит от геометрических размеров перехода и приложенного напряжения, концентрации атомов и региона работы (ВАХ) перехода и т.д. но также нужно почитать про уровень Ферми и т.д.. Все это можно узнать из хорошей книги по проектированию транзисторов, например. Если грубо, то существуют графики смоделированные для разных pn структур зависимости скорости (m/s) от электрического поля (V/m). при малых уровнях приложенного напряжения скорость зависит от скорости электрона и приложенного электрического поля, при больших уровнях напряжения - постоянна. Изменено 26 октября, 2023 пользователем UART Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться