[LLLLLLLLLL 9]

В 22.10.2022 в 12:41, eddddy сказал:

 

Примените 2 отдельных gate driver transformer.  Думаю, заменить в одном экземпляре, для испытаний, будет несложно

Изменено 31 октября, 2022 пользователем LLLLLLLLLL

[eddddy 15]

1 час назад, LLLLLLLLLL сказал:

Примените 2 отдельных gate driver transformer.  Думаю, заменить в одном экземпляре, для испытаний, будет несложно

 

Спасибо. Но драйвер затворов уже перепахан, схемка другая; сдвоенный тянет, все таки.

Подняли питание, добавили отрицательное смещение (на затворе в импульсе +13/-5), и прочие вещи, устраняющие "бардак" (по меткому замечанию ув. НЕХ) 

[НЕХ 4]

Дроссель L45 переставьте на выход полумоста, а то резкие перепады на стоке лезут через ёмкость силового трансформатора на выход БП.

[eddddy 15]

14 минут назад, НЕХ сказал:

Дроссель L45 переставьте на выход полумоста, а то резкие перепады на стоке лезут через ёмкость силового трансформатора на выход БП.

Спасибо, но уже никак ).

Едет в лабораторию.

На следующем заходе учтем.

[LLLLLLLLLL 9]

8 часов назад, eddddy сказал:

Спасибо. Но драйвер затворов уже перепахан, схемка другая; сдвоенный тянет, все таки. Подняли питание, добавили отрицательное смещение (на затворе в импульсе +13/-5), и прочие вещи, устраняющие "бардак" (по меткому замечанию ув. НЕХ) 

Использование одного трансформатора для управления обоими MOSFET ключами - это системная ошибка вашей схемы.  Такой трансформатор предназначен для управления БИПОЛЯРНЫМИ транзисторами и  хорошо себя показывает уже много лет в миллионах компьютерных БП.  Для полевиков такое решение не пойдет.

Чтобы получить отрицательный запирающий импульс на каждом MOSFET ключе в течение всего времени закрытия необходимо использовать два раздельных gate driver трансформатора. Совмещенный трансформатор не позволит этого сделать - в паузе между открытиями (Dead Time) на его выходах напряжение нулевое. Такштаа или вы продолжаете свои скачки на граблях или внедряете моё предложение. Других вариантов нет.

[borodach 16]

On 10/31/2022 at 9:59 PM, LLLLLLLLLL said:

Использование одного трансформатора для управления обоими MOSFET ключами - это системная ошибка вашей схемы.  Такой трансформатор предназначен для управления БИПОЛЯРНЫМИ транзисторами и  хорошо себя показывает уже много лет в миллионах компьютерных БП.  Для полевиков такое решение не пойдет.

В slua618a с вами не согласны

Но нагороженный огород в затворах схемы ТС - как масло масляное. Полевые транзисторы прекрасно управляются непосредственно от обмотки. 

[НЕХ 4]

33 минуты назад, borodach сказал:

В slua618a с вами не согласны

Но нагороженный огород в затворах схемы ТС - как масло масляное. Полевые транзисторы прекрасно управляются непосредственно от обмотки. 

Только одна загвоздка - напряжение должно быть несимметричным на затворе : +15 и -4 Вольта.

[borodach 16]

Оно и так несимметричное из-за требования равенства вольт-секундного интервала и парафазных затворных обмоток, без дополнительного обвеса. Вернее, симметричное, но не однополярное.

Изменено 31 октября, 2022 пользователем borodach

[eddddy 15]

10 часов назад, LLLLLLLLLL сказал:

Использование одного трансформатора для управления обоими MOSFET ключами - это системная ошибка вашей схемы.  Такой трансформатор предназначен для управления БИПОЛЯРНЫМИ транзисторами и  хорошо себя показывает уже много лет в миллионах компьютерных БП.  Для полевиков такое решение не пойдет.

Чтобы получить отрицательный запирающий импульс на каждом MOSFET ключе в течение всего времени закрытия необходимо использовать два раздельных gate driver трансформатора. Совмещенный трансформатор не позволит этого сделать - в паузе между открытиями (Dead Time) на его выходах напряжение нулевое. Такштаа или вы продолжаете свои скачки на граблях или внедряете моё предложение. Других вариантов нет.

Как уже ниже ответили по поводу Вашего категорического утверждения насчет неприменимости трансформаторов для управления затворами мосфет-ов, - с Вами не согласны не только в slua618a, но и в множестве других документов, с рекомендациями. А так же опыт их использования, и тоже в миллионах экземпляров изделий.

 

Отрицательный запирающий импульс прекрасно формируется совмещенным (парафазным) трансформатором.

10 часов назад, borodach сказал:

Но нагороженный огород в затворах схемы ТС - как масло масляное. Полевые транзисторы прекрасно управляются непосредственно от обмотки. 

Там давно уже другой огород 🙂

9 часов назад, НЕХ сказал:

Только одна загвоздка - напряжение должно быть несимметричным на затворе : +15 и -4 Вольта.

сейчас почти +13/-около5

один момент пока не удалось победить, - небольшой "сквознячок" остался, исключительно когда разрываем цепь LC, ключи теплые. 

в полной схеме (от 0 нагрузки до максимума - всё о.к.) - нормально.

сегодня снег сойдет - увидим, результат "бабаха".

или не увидим.

 

Большое спасибо всем откликнувшимся, все замечания были очень полезны (особенно некоторые).

[borodach 16]

Коллеги, но это вообще жуть.

Пару лет назад разбирал промышленный источник Astec с выходом 5В 240А. Там во втором каскаде (двухфазный интерлив) стоят два IRFP460, управляющихся от трансформатора напрямую. Просто - затвор-исток на обмотку. И slua618a про это говорит, и вышеупомянутый PMGD05. И, тем не менее, народ продолжает упорно лепить дополнительные компоненты в управление, как будто на складе есть лишние ТМЦ, и до конца года их надо освоить, как денежные средства на статьях расходов.

[eddddy 15]

Наверно, именно потому, что там IRFP640, с Vgs+/-20V,  а не SiC

с -8/+19 макс. имп.

 IRFP460, ошибся.

но тоже самое ))

[_gari 4]

да, чтобы от такого управления получить минус в затворе нужны доп компоненты в самом затворе

 

а если не желаете их ставить, так будьте любезны предоставить в раскачку ТГР полный мост.

Или там иные изыски.  

Изменено 1 ноября, 2022 пользователем _gari

[borodach 16]

On 11/1/2022 at 8:46 AM, eddddy said:

с -8/+19 макс. имп.

в первичной обмотке трансформатора - 1 конденсатор + 1 резистор опционально

в каждой вторичке - 1 резистор, 1 стабилитрон, 1 диод

[eddddy 15]

Только что, borodach сказал:

в первичной обмотке трансформатора - 1 конденсатор + 1 резистор опционально

в каждой вторичке - 1 резистор, 1 стабилитрон, 1 диод

как отрицательное на затворе предлагаете ограничить? один стабилитрон + один диод?

[borodach 16]

и это при том, что у вас достаточно аргументов в использование SiC вместо MOSFET