Dikoy 3 17 февраля, 2022 Опубликовано 17 февраля, 2022 · Жалоба 15.02.2022 в 07:27, Plain сказал: зачем вообще такое? На будущую плату хочу развести максимум цепей для экспериментов и закупить для них деталек, т.к. потом тащить с платана по 5 деталек будет долго и дорого. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Zuse 0 1 марта, 2022 Опубликовано 1 марта, 2022 (изменено) · Жалоба On 2/9/2022 at 7:48 AM, Plain said: Ваша тема здесь далеко не первая в списке, кто тщетно пытался переложить вину никчёмной разводки на мистику, недавно вот один автор даже придумал термин "время включения диода", с перспективой обвинить их производителей в заговоре с его утаиванием в их паспортах, тогда как на плате явственно был не голый диод, а схема из него и 10 см провода. Поскольку я тот автор и камень в мой огород, то замечу, что я ничего не придумывал, а речь шла про forward recovery time. Кривая разводка в моем случае имела место, но при этом я наглядно показывал, что замена диода (без изменения разводки) в RCD-снаббере существенно меняла форму переходного процесса на стоке транзистора обратноходового преобразователя. На мой взгляд, уважаемый Plain впадает в крайность, когда, заметив ошибку в разводке, сразу же объявляет ее причиной всех проблем Изменено 1 марта, 2022 пользователем Zuse Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SVNKz 1 2 марта, 2022 Опубликовано 2 марта, 2022 · Жалоба 13 часов назад, Zuse сказал: показывал, что замена диода (без изменения разводки) в RCD-снаббере существенно меняла форму переходного процесса на стоке транзистора обратноходового преобразователя. Для анализа "формы переходного процесса (ПП)" необходима характеристика ПП самого диода, которая публикуется фирмой производителем (ФП). Изучение ПП диода необходимо осуществлять по стандартной методике и аппаратуре, рекомендованной ФП. Сказанное относится вообще к любому радиоэлементу, включая физические характеристики самого диэлектрика печатной платы. Последнее рекомендую проверить по причине не до конца проведённого процесса полимеризации диэлектрика - возможно, просто брак... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Jazzmen 0 7 марта, 2022 Опубликовано 7 марта, 2022 · Жалоба Первое - насчет диода 4007 - вообще не для таких применений. Как по быстродействию, так и по току. Такой звон однозначно из-за сквозняков , возникающих при включении транзистора в стойке через оппозитный диод, через который протекал перед этим ток. У упомянутых транзисторов диоды по заряду на рассасывание отличаются в 2 раза в худшую сторону у последних. Когда-то лет 25 назад делал похожие схемы. Но тогда полевиков с достойными обратными диодами не существовало. Диоды в них образовывались паразитными структурами, имеющими препоганейшее быстродействие и сквозняки просто замучили, пока не поставил последовательно в каждую стойку пермаллоевое колечко, пропустив пару витков провода с параллельно включенным ему диодом КД213. Мне также попадал тогда в руки материал, где акцентировался момент на том, что для уменьшения влияния паразитной диодной структуры параллельно транзистору переключения транзисторов не нужно раздвигать более, чем на 100nsek (deadtime). Современные транзисторы почти полностью лишены прошлых недостатков. Но заряд на рассасывание никто не отменял. Попробуйте также в качестве снаббера пленочник. И конечно максимально близко к стойке. К электролитам это не относится. Удачи... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Dikoy 3 1 февраля, 2023 Опубликовано 1 февраля, 2023 (изменено) · Жалоба Напишу результаты изысканий. Вариант трассировки от Plain с "шахматным" расположением транзисторов показал себя неплохо, но вынудил к переходу на 4 слоя, что не совсем айс. Гораздо лучше показал себя изначальный вариант с транзисторами под 90 градусов и снабберами + дополнительной керамикой. Причина, действительно, в обратных диодах. Но Plain был однозначно прав в том, что ещё одно место зарождения звона, это полигон между транзисторами. И именно к уменьшению площади этого полигона и дистанций между транзисторами полумоста нужно стремиться. Вот готовый рег, работает на 130А стабильно. А до этого выше 86А не мог подняться из-за шумов. Изменено 1 февраля, 2023 пользователем Dikoy Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться