[aaarrr 63]

These 32 Kbyte SRAM can also be retained in Standby mode.

200 нА

Не 200нА, а плюс ~230нА к остальному при 25°C. А что там при 85°C, например?

 

да я просто не понимаю, зачем энергонезависимая память вообще что-то потребляет в спячке?

Удивительно, да :biggrin:

[esaulenka 5]

"STM32L476xx devices feature up to 128 Kbyte of embedded SRAM. This SRAM is split into

..... 32 Kbyte located at address 0x1000 0000 with hardware parity check (SRAM2).

This block is accessed through the ICode/DCode buses for maximum performance.

These 32 Kbyte SRAM can also be retained in Standby mode.

200 нА

 

Учу читать даташиты. Недорого. Сегодня пробное занятие, бесплатно.

 

Даташит STM32L476xx

- страница 1:

120 nA Standby mode (5 wakeup pins)

- страница 27:

Mode: Standby, Consumption: 0.35 µA w/o RTC, 0.65 µA w/ RTC

сноска 3. Typical current at VDD = 1.8 V, 25°C. Consumptions values provided running from SRAM, Flash memory Off, 80 MHz in Range 1, 26 MHz in Range 2, 2 MHz in LPRun/LPSleep.

- страница 143

Supply current in Standby mode (backup registers retained), RTC disabled

Vdd = 3V, temp=+85C: 2.6uA typ, 5.2uA max.

Если подогреть ещё на 40 градусов и подать 3.6 вольта, получаем 43uA max.

 

 

MB85RS1MT

Sleep current IZZ 10uA max

(within recommended operating conditions)

т.е. и при +85 градусах и 3.6 вольтах напряжения в том числе.

[Plain 168]

Самое дешёвое и простое уже подсказали выше — накапливать пакет в ОЗУ МК и скидывать его во внешнюю FLASH.

[DASM 0]

Не 200нА, а плюс ~230нА к остальному при 25°C. А что там при 85°C, например?

 

 

Удивительно, да :biggrin:

да, удивительно. Если при подаче питания она просто долго думает, то делают два сна, один жрущий и мгновенный, другой наноамперы и долгий. Тут судя по всему не допилили второй вариант

 

Учу читать даташиты. Недорого. Сегодня пробное занятие, бесплатно.

 

Даташит STM32L476xx

- страница 1:

120 nA Standby mode (5 wakeup pins)

- страница 27:

Mode: Standby, Consumption: 0.35 µA w/o RTC, 0.65 µA w/ RTC

сноска 3. Typical current at VDD = 1.8 V, 25°C. Consumptions values provided running from SRAM, Flash memory Off, 80 MHz in Range 1, 26 MHz in Range 2, 2 MHz in LPRun/LPSleep.

- страница 143

Supply current in Standby mode (backup registers retained), RTC disabled

Vdd = 3V, temp=+85C: 2.6uA typ, 5.2uA max.

Если подогреть ещё на 40 градусов и подать 3.6 вольта, получаем 43uA max.

 

 

MB85RS1MT

Sleep current IZZ 10uA max

(within recommended operating conditions)

т.е. и при +85 градусах и 3.6 вольтах напряжения в том числе.

И чо? Я вообще только про память писал, а если подогреть до 120 градусов и подать 4.2 вольта и пару рентген в час добавить, то и еще больше будет. Дальше то что?

 

[aaarrr 63]

да, удивительно. Если при подаче питания она просто долго думает, то делают два сна, один жрущий и мгновенный, другой наноамперы и долгий.

И третий с внешним холодильником.

 

И чо? Я вообще только про память писал...

Интересно, а кто же про STM32L476xxx писал?

[jcxz 184]

есть и маложрущая память в спячке 1нА, но она по 256кбит пока только.

Вообще вопрос ТС не понятен - нам надо добавить память к готовой системе (какой?) или предложить всю систему?

Память на перфокартах ещё меньше жрёт. И под требования ТС вполне подходит. :biggrin:

 

These 32 Kbyte SRAM can also be retained in Standby mode.

200 нА

Это только SRAM? А остальная требуха STM32L476xx? Удалить напильником? B)

[DASM 0]

Память на перфокартах ещё меньше жрёт. И под требования ТС вполне подходит. :biggrin:

 

 

Это только SRAM? А остальная требуха STM32L476xx? Удалить напильником? B)

я вообще не понимаю, что мы тут обсуждаем. Может мне кто нибудь сказать, зачем энергонезависимой памяти нужна энергия в спячке? Она нужна ровно в той же степени что и перфокартам. Но тем не менее она ее кушает

[Vladivolt 0]

зачем энергонезависимой памяти нужна энергия в спячке?

М.б. чтобы не проспать обращение к ней. Вдруг кто-то захочет содержимое прочитать.

Как дежурный режим у телевизора - чтобы увидеть посылку от пульта.

Альтернатива - выдерни вилку из сети, потребление уберём, но тогда пультом не включить.

[aaarrr 63]

Может мне кто нибудь сказать, зачем энергонезависимой памяти нужна энергия в спячке?

Сферической в вакууме - не нужна. Обычная же течет. Точно так же, как и помянутый зачем-то STM32.

[DASM 0]

Сферической в вакууме - не нужна. Обычная же течет. Точно так же, как и помянутый зачем-то STM32.

Ну е мое.. , и много транзистор, перекрывающий питание натечет? Так и запишем - режим off просто нереализован, ставьте внешний транзистор, производитель сэкономил

[=GM= 0]

1) AT25DF081A, 1 Mбайт, 5 мкА в глубокой спячке

 

2) M24M02-DR, 256 Кбайт, 3 мкА в спячке.

 

[zombi 0]

А как узнать какой ток "кушает" проц, если питание 3V и на, последовательно включенном, диоде BAT54 падает 60 mV?

[rx3apf 0]

Как вариант, заменить процессор резистором, подобрав номинал для такого же падения на переходе. Но чтобы температура была в точности такая же, иначе наврет... Но к обсуждаемому вопросу это никакого отношения не имеет.

Изменено 21 августа, 2018 пользователем rx3apf

[k155la3 26]

если флеш - посмотрите Adesto (ex-Atmel) AT45DB081E.

2 буфера SRAM, есть режим ultra-deepSleep. Страницы - 264 байта. Емкость - 1 М байт. SPI.

Запись собственно в массив флеш идет асинхронно (без участия процессора через SPI)

Организация - блоки, сектора, страницы. Если записывать как советует Plain - вполне подойдет.

"драйверные" модули можно найти. А можно и не искать, док читабельный.

Low-power dissipation

 400nA Ultra-Deep Power-Down current (typical)

 4.5µA Deep Power-Down current (typical)

 25µA Standby current (typical)

 11mA Active Read current (typical at 20MHz)

AT45DB081E DS