Herasim 0 2 марта, 2018 Опубликовано 2 марта, 2018 · Жалоба Добрый день, коллеги! Кто знает, подскажите пожалуйста, существуют ли сегодня транзисторы на частоты 9-10-12 Ггц с P1=20..25 dBm (а лучше до 28-30 дБм), Такие чтоб не снимались завтра с производства... Спасибо! Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Stariy Alex 0 2 марта, 2018 Опубликовано 2 марта, 2018 · Жалоба Добрый день, коллеги! Кто знает, подскажите пожалуйста, существуют ли сегодня транзисторы на частоты 9-10-12 Ггц с P1=20..25 dBm (а лучше до 28-30 дБм), Такие чтоб не снимались завтра с производства... BFG424W, 25 gHz, NXP Semiconductors https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/BFG424W.pdf Доставабельность в России мне неизвестна Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MW_Юрий 0 3 марта, 2018 Опубликовано 3 марта, 2018 · Жалоба BFG424W, 25 gHz, NXP Semiconductors https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/BFG424W.pdf Доставабельность в России мне неизвестна Это по выходу +12dBm. PL(1dB) output power at1 dB gain compression 12 - dBm По входу получится -10dBm совсем хилый. Искать надо среди усилителей hittite. Давно находил по выходу +28dBm, nomber не помню, но есть. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Stariy Alex 0 3 марта, 2018 Опубликовано 3 марта, 2018 · Жалоба Это по выходу +12dBm. PL(1dB) output power at1 dB gain compression 12 - dBm По входу получится -10dBm совсем хилый. Искать надо среди усилителей hittite. Давно находил по выходу +28dBm, nomber не помню, но есть. Не в таблице а по fig 6 и 8 а также транзистор BFU660F по fig 6 https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/BFU660F.pdf Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MW_Юрий 0 3 марта, 2018 Опубликовано 3 марта, 2018 · Жалоба Не в таблице а по fig 6 и 8 а также транзистор BFU660F по fig 6 https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/BFU660F.pdf Этот тоже не в дугу. на 1.8ГГц. А надо 10ГГц Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Stariy Alex 0 3 марта, 2018 Опубликовано 3 марта, 2018 · Жалоба Этот тоже не в дугу. на 1.8ГГц. А надо 10ГГц 40 GHz fT silicon technology Какая рабочая частота у ТС? Неужели не подходит? У NXP выше не нашел,а практически BFU690 - то же самое. Подождем, что ТС скажет. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
alver 0 3 марта, 2018 Опубликовано 3 марта, 2018 · Жалоба Транзисторы с мощностью 28-30 дБм на 10 ГГц - это конечно GaN, например Qorvo(TriQuint) со своей фабрикой и с транзисторами собственной разработки, а не купленные вместе с RFMD (Sirenza) и WJ. Один из: TGF2942 DC - 25 GHz, 2 Watt, 28 V GaN RF Transistor Product Data SheetRev A – 08/09/2016 Key Features Frequency Range: DC - 25 GHz Output Power (P3dB): 2.4 W at 10 GHz Linear Gain: 18 dB typical at 10 GHz Typical PAE3dB: 59% at 10 GHz Typical NF at 10 GHz: 1.2 dB Operating voltage: 28V CW and Pulse capable 0.41 x 0.55 x 0.10 die Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
mepavel 0 4 марта, 2018 Опубликовано 4 марта, 2018 · Жалоба Транзисторы с мощностью 28-30 дБм на 10 ГГц - это конечно GaN, например Qorvo(TriQuint) со своей фабрикой и с транзисторами собственной разработки, а не купленные вместе с RFMD (Sirenza) и WJ. Один из: TGF2942 Только надо учитывать, что это транзисторный кристалл. Чем плохи GaAs pHEMT для этих целей? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
alver 0 4 марта, 2018 Опубликовано 4 марта, 2018 (изменено) · Жалоба Только надо учитывать, что это транзисторный кристалл. Для меня плюс на этих частотах. Чем плохи GaAs pHEMT для этих целей? Производство грязное, будут по-возможности сворачивать. Раньше альтернативы не было. Изменено 4 марта, 2018 пользователем alver Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
mepavel 0 4 марта, 2018 Опубликовано 4 марта, 2018 · Жалоба Для меня плюс на этих частотах. Понадобится оборудование для разварки и напайки. Кстати какой материал подложки используете? Производство грязное, будут по-возможности сворачивать. Раньше альтернативы не было. Надо учитывать, что GaN HEMT сравнительно высоковольтные (питание 28 В) и для реализации малых выходных мощностей (менее 1 Вт) эквивалентное сопротивление нагрузки должно быть несколько сотен ом, что делает конструкцию согласующих цепей весьма специфичной и узкополосной. Кроме того, по критерию Боде (о полосе согласования) надо ещё сравнить, что лучше GaN HEMT и GaAs pHEMT. Да и значение PAE на 18 ГГц равное 55 % для GaN HEMT TGF2942 кажется фантастикой. Как я понял, в даташите на кристалл приводят только результаты симуляции на импульсном сигнале (т.е. это не реальные измерения). Как показывает мой опыт измерений и моделирования в симуляторах, на частотах выше 4-5 ГГц параметры PAE и Pout у реальных GaN HEMT далеки от моделей. С усилением тоже курьезы из-за относительно низкого входного импеданса и проблем с устойчивостью. Так что если речь идёт о сотнях мВт, то выбор в пользу GaN HEMT не очевиден. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
alver 0 4 марта, 2018 Опубликовано 4 марта, 2018 (изменено) · Жалоба Понадобится оборудование для разварки и напайки. Кстати какой материал подложки используете? Там где ставим, мощностей нет, клеим на ПП (керамика). Если нужно поставить два транзистора близко друг к другу, то альтернатив нет. Корпуса большие и много лишних соединений, кристаллы можно соединить напрямую бондами. Надо учитывать, что у GaN HEMT сравнительно высоковольтные (питание 28 В) Это транзистор, напряжение любое, хоть от 0. С согласованием вопрос открытый, ток побольше задать, сопротивление меньше станет, при меньшем напряжении конечно. Не знаю, где автор собирается использовать транзистор: как ключ, или на длинную линию или ... Изменено 4 марта, 2018 пользователем alver Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
mepavel 0 4 марта, 2018 Опубликовано 4 марта, 2018 · Жалоба Это транзистор, напряжение любое, хоть от 0. Можно хоть от 0, только это будет не транзистор, а аттенюатор. СВЧ транзистор как раз проектируется под некоторое оптимальное напряжение питание, при котором достигаются наилучшие параметры. Если скажем просто снизить напряжение питания GaN транзистора до уровней GaAs транзисторов, то по всем параметрам использовать этот транзистор на 10 ГГц станет неприемлемо. Там где ставим, мощностей нет, клеим на ПП (керамика). Я так понимаю у вас собственное производство ПП на керамике? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
alver 0 4 марта, 2018 Опубликовано 4 марта, 2018 (изменено) · Жалоба Можно хоть от 0, только это будет не транзистор, а аттенюатор. Значит смесители можно выкидывать в помойку? Если скажем просто снизить напряжение питания GaN транзистора до уровней GaAs транзисторов, то по всем параметрам использовать этот транзистор на 10 ГГц станет неприемлемо. Мне чаще встречалась частотная зависимость от рабочего тока, для рассматриваемого транзистора вижу тоже самое. Впрочем, для ключевого режима усиление не нужно. Я так понимаю у вас собственное производство ПП на керамике? Заказываем. Изменено 4 марта, 2018 пользователем alver Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
mepavel 0 4 марта, 2018 Опубликовано 4 марта, 2018 · Жалоба Значит смесители можно выкидывать в помойку? Автора темы интересует не смеситель, а усилитель. Мне чаще встречалась частотная зависимость от рабочего тока, для рассматриваемого транзистора вижу тоже самое. В данном случае ток покоя транзистора в основном влияет на малосигнальные параметры из-за зависимости крутизны передаточной характеристики от тока стока. На большом сигнале варьирование тока покоя в больших пределах существенно не будет влиять на величину эквивалентного сопротивления нагрузки Rэкв.нагр. Зато изменение напряжения питания будет сильно влиять на ёмкости транзистора и его Rэкв.нагр. Следовательно, если просто снизить напряжение питания GaN транзистора с 28 до 8 Вольт, то проходная емкость увеличится в 2-3 раза, Rэкв.нагр. уменьшится в 4-6 раз, а крутизна останется примерно на прежнем уровне. Отсюда следует, что усиление уменьшится в 10 и более раз. С выходной мощностью будут аналогичные изменения. Другое дело, что для GaAs pHEMT напряжение питания 8 вольт является оптимальным. И при выходной мощности, к примеру, в 500 мВт Rэкв.нагр близко к 50 Ом, что сильно упрощает выходное согласование. Впрочем, для ключевого режима усиление не нужно. Интересно в каком применении используется GaN HEMT в ключевом режиме на 10 ГГц, в котором усиление не нужно? Вероятно какие-то импульсные модуляторы, смесители, переключатели? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
alver 0 4 марта, 2018 Опубликовано 4 марта, 2018 (изменено) · Жалоба Автора темы интересует не смеситель, а усилитель. Вам виднее. Интересно в каком применении используется GaN HEMT в ключевом режиме на 10 ГГц, в котором усиление не нужно? Reach New Levels of Linearity in Passive Mixers with GaN Technology custommmic_techbrief_gan_mixers_april_2017__1_.pdf если просто снизить напряжение питания GaN транзистора с 28 до 8 Вольт, то проходная емкость увеличится в 2-3 раза Мне казалось, у GaN при сравнимых мощностях и напряжениях емкость затвора будет меньше GaAs и проходная тоже. Изменено 4 марта, 2018 пользователем alver Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться