Хвост Слона 0 19 февраля, 2018 Опубликовано 19 февраля, 2018 · Жалоба Добрый день, коллеги. Посоветуйте, пожалуйста, быстрый ключевой транзистор для формирования максимально крутого фронта отрицательного импульса в приложенной схеме. Очень желательно зарубежного производства и распространенный. Питание схемы 15 вольт. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MegaVolt 28 19 февраля, 2018 Опубликовано 19 февраля, 2018 · Жалоба Добрый день, коллеги. Посоветуйте, пожалуйста, быстрый ключевой транзистор для формирования максимально крутого фронта отрицательного импульса в приложенной схеме. Очень желательно зарубежного производства и распространенный. Питание схемы 15 вольт. Чип и ДИП предлагает BFG540.215 за 15 центов. Граничная частота 9ГГц. Это достаточно быстро? Правда запаса по напряжению не будет совсем :( Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Хвост Слона 0 19 февраля, 2018 Опубликовано 19 февраля, 2018 · Жалоба Спасибо. Использовать без запаса - не мой метод ( Но ничего, пойдет в другое место в этой схеме. Есть еще более общий вопрос к коллегам - а вообще как себя ведут СВЧ и ВЧ транзисторы "средней" мощности в импульсных схемах? Нет ли каких либо отрицательных эффектов от возможных схем согласования внутри таких приборов? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Hale 1 20 февраля, 2018 Опубликовано 20 февраля, 2018 · Жалоба можно потеоретизировать BFG540 все-таки RF усилитель. Не уверен, но предположу, основываясь на паспортном токе и возможно падении около десятой вольта, что в насыщении он будет эквивалентен долям ома, т.е. спад в доли пикосекунд. А у бытовых sot n-mos сопротивления канала порядка десатков мОм. Т.е. в 10 раз быстрее фронт. Правда его конечно надо раскачать, чтоб открылся. Зато с полевиками нет головной боли как их быстро закрыть. т.е. биполярник сработает может и быстрее, но фронт, наверное, дешевле и проще получить на полевом. К тому же 15-вольтовый BFG наверное просто сгорит при перезарядке... поправьте если совсем не прав. У У вас же не стоит целью получить мегагерцовую последовательность импульсов? только фронт ведь? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
LLLLLLLLLL 11 20 февраля, 2018 Опубликовано 20 февраля, 2018 · Жалоба Добрый день, коллеги. Посоветуйте, пожалуйста, быстрый ключевой транзистор для формирования максимально крутого фронта отрицательного импульса в приложенной схеме. * "быстрый + ключевой" = MOSFET. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
elelectric 0 20 февраля, 2018 Опубликовано 20 февраля, 2018 · Жалоба BC817 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
iliusmaster 5 20 февраля, 2018 Опубликовано 20 февраля, 2018 (изменено) · Жалоба Добрый день, коллеги. Посоветуйте, пожалуйста, быстрый ключевой транзистор для формирования максимально крутого фронта отрицательного импульса в приложенной схеме. Очень желательно зарубежного производства и распространенный. Питание схемы 15 вольт. В вашей схеме длительность открывания транзистора зависит также и от длительности фронта запускающего импульса. Да еще и эффект Миллера вылезет в полный рост, если у вас амплитуда управляющего импульса ниже VCC. Если вам необходим фронт выходного импульса круче чем входного, то используйте свойство лавинного пробоя транзистора. Изменено 20 февраля, 2018 пользователем Tanya Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
V_G 7 20 февраля, 2018 Опубликовано 20 февраля, 2018 · Жалоба Что-то я не понял про управляющее напряжение и эффект Миллера... В данной схеме нет резистора в базе, потому управляющее напряжение не может превышать 0,7 В. Ставить резистор плюс следить за степенью насыщения транзистора, чтобы сохранить быстродействие. Зачем вся эта морока с накоплением зарядов в базе, если можно поставить MOSFET? Топикстартеру следует все-таки определиться с тем быстродействием, которое он считает хорошим. 1 кГц? 1 МГц? 1 ГГц? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
yakub_EZ 0 20 февраля, 2018 Опубликовано 20 февраля, 2018 · Жалоба Если резистор в цепи коллектора оставить высокоомным или не заменить его индуктивностью, то с любым самым-пресамым свехвысокочастотным и самым ключистым из ключевых MOSFетом будет то же самое. И без ограничения тока в базе по данной схеме транзистор может залипать или просадить схему на его входе. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Хвост Слона 0 20 февраля, 2018 Опубликовано 20 февраля, 2018 · Жалоба Итак, мнения коллег разделились. Давайте пока не будем смотреть на цепи базы/затвора, а уточним еще раз тип транзистора. Нужно получить длительность фронта отрицательного импульса менее, чем 1 нс, частота повторения импульсов 10-20 Мгц. Напряжение на коллекторе будет 15 вольт. Отдельный вопрос - а чем не нравится резистор в коллекторе? Он только заряжает емкость, в формировании фронта он не участвует. Или я не прав? Предложены: 1) BFG540 - предполагаю, что он удовлетворяет по частотным свойствам, но нет запаса по Uкэ 2) BC817 - есть запас по Uкэ, смущают частотные свойства 3) Транзистор в лавинном режиме. Должен быть хороший фронт, но, ИМХО, недостаточно напряжения питания. Или, может кто знает доставабельные лавинные транзисторы с небольшим напряжением пробоя? 3) MOSFET - это интересно, например - какой? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
AnatolyT 0 20 февраля, 2018 Опубликовано 20 февраля, 2018 · Жалоба Какая емкость нагрузки? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Хвост Слона 0 20 февраля, 2018 Опубликовано 20 февраля, 2018 (изменено) · Жалоба Нагрузка чисто активная, 50 ом. Изменено 20 февраля, 2018 пользователем Хвост Слона Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
nicom 0 20 февраля, 2018 Опубликовано 20 февраля, 2018 · Жалоба ...Может будет в помощь - ДНЗ - поищите - Диод с Накоплением Заряда. Например - https://www.google.ru/url?sa=t&rct=j&am...4Niyid8XZJQNQTe обратите внимание - в статье рассматривают примерно Ваши пожелания , но на диодах 2Д524... (ошибка - в статье 1Д524) Подобные каскады использовали в импульсном генераторе Г5-85 (могу ошибаться - проверьте)... и калибраторах И1-15 и И1-14 под 1 нс... тут использовались два типа выходных ключей - раздельно для положительного и отрицательного выхода... Подобное схемотехническое решение позволяет получать очень короткие "перепады"... ...Да и определитесь со входной цепью - чем раскачиваете и какие характеристики - напряжение и "фронт"... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
iliusmaster 5 20 февраля, 2018 Опубликовано 20 февраля, 2018 · Жалоба В СССР разработали и долгое время производили полевые транзисторы с горизонтальной структурой. В книге Дьяконова помнится описывается генератор коротких импульсов на Кп902/904. Эти приборы уникальные среди полевиков нынешних - у них значительно снижена емкость переходов за счет конструктивных особенностей. Посмотрите, транзисторы эти добываются не сложно. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
BioWolf2000 3 20 февраля, 2018 Опубликовано 20 февраля, 2018 · Жалоба Вообще непонятно, что надо получить. Фронт наносекунды или пикосекунды? Спад сигнала экспоненциальный или любой? Слишком мало исходных данных. Как-то делал генератор импульсов(1000В, 100кГц) на полевом транзисторе 1200В . Конденсатор 1нФ(заряжался через резистор килоомный), разряжал MOSFET, положительный импульс получал с помощью трансформатора из коаксиала на феррите. Выход полевика - на центральную жилу, оплетка на землю. На выходе трансформатора наоборот - центральная жила на землю, оплетка - выход. После транзистора - резистор в районе десятков Ом последовательно с центральной жилой и паралельно ему конденсатор на несколько десятков пикофарад. Фронт получал около 1 нс. И надо сигнал смотреть осциллографом с 50 Омным входом. Естественно с внешними аттенюаторами 50 ом на входе, соединенными последовательно, для распределения мощности(эдакая колбаска получалась). Затвором дергал без резистора с помощью драйвера MOSFET 12В с током 6А по-моему. Давно это было, в 2003 году. Для низких напряжений может подойдут диоды с накоплением заряда (SRD). А вообще можно почитать журнал "Приборы и техника эксперимента" тех лет. Там такие задачи постоянно решались. Тогда даже немного побаловался с ДДРВ диодами Кстати - в схеме не ошибка случаем с конденсатором - 1пФ? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться