[Хвост Слона 0]

Добрый день, коллеги. Посоветуйте, пожалуйста, быстрый ключевой транзистор для формирования максимально крутого фронта отрицательного импульса в приложенной схеме. Очень желательно зарубежного производства и распространенный. Питание схемы 15 вольт.

[MegaVolt 29]

Добрый день, коллеги. Посоветуйте, пожалуйста, быстрый ключевой транзистор для формирования максимально крутого фронта отрицательного импульса в приложенной схеме. Очень желательно зарубежного производства и распространенный. Питание схемы 15 вольт.

Чип и ДИП предлагает BFG540.215 за 15 центов. Граничная частота 9ГГц. Это достаточно быстро?

Правда запаса по напряжению не будет совсем :(

[Хвост Слона 0]

Спасибо. Использовать без запаса - не мой метод ( Но ничего, пойдет в другое место в этой схеме.

 

Есть еще более общий вопрос к коллегам - а вообще как себя ведут СВЧ и ВЧ транзисторы "средней" мощности в импульсных схемах? Нет ли каких либо отрицательных эффектов от возможных схем согласования внутри таких приборов?

[Hale 1]

можно потеоретизировать

 

BFG540 все-таки RF усилитель.

Не уверен, но предположу, основываясь на паспортном токе и возможно падении около десятой вольта, что в насыщении он будет эквивалентен долям ома, т.е. спад в доли пикосекунд.

А у бытовых sot n-mos сопротивления канала порядка десатков мОм. Т.е. в 10 раз быстрее фронт. Правда его конечно надо раскачать, чтоб открылся. Зато с полевиками нет головной боли как их быстро закрыть. т.е. биполярник сработает может и быстрее, но фронт, наверное, дешевле и проще получить на полевом. К тому же 15-вольтовый BFG наверное просто сгорит при перезарядке... поправьте если совсем не прав. У У вас же не стоит целью получить мегагерцовую последовательность импульсов? только фронт ведь?

[LLLLLLLLLL 11]

Добрый день, коллеги. Посоветуйте, пожалуйста, быстрый ключевой транзистор для формирования максимально крутого фронта отрицательного импульса в приложенной схеме.

*

"быстрый + ключевой" = MOSFET.

[elelectric 0]

BC817

[iliusmaster 5]

Добрый день, коллеги. Посоветуйте, пожалуйста, быстрый ключевой транзистор для формирования максимально крутого фронта отрицательного импульса в приложенной схеме. Очень желательно зарубежного производства и распространенный. Питание схемы 15 вольт.

В вашей схеме длительность открывания транзистора зависит также и от длительности фронта запускающего импульса. Да еще и эффект Миллера вылезет в полный рост, если у вас амплитуда управляющего импульса ниже VCC.

Если вам необходим фронт выходного импульса круче чем входного, то используйте свойство лавинного пробоя транзистора.

Изменено 20 февраля, 2018 пользователем Tanya

[V_G 11]

Что-то я не понял про управляющее напряжение и эффект Миллера... В данной схеме нет резистора в базе, потому управляющее напряжение не может превышать 0,7 В. Ставить резистор плюс следить за степенью насыщения транзистора, чтобы сохранить быстродействие. Зачем вся эта морока с накоплением зарядов в базе, если можно поставить MOSFET?

Топикстартеру следует все-таки определиться с тем быстродействием, которое он считает хорошим. 1 кГц? 1 МГц? 1 ГГц?

[yakub_EZ 0]

Если резистор в цепи коллектора оставить высокоомным или не заменить его индуктивностью, то с любым самым-пресамым свехвысокочастотным и самым ключистым из ключевых MOSFетом будет то же самое. И без ограничения тока в базе по данной схеме транзистор может залипать или просадить схему на его входе.

[Хвост Слона 0]

Итак, мнения коллег разделились. Давайте пока не будем смотреть на цепи базы/затвора, а уточним еще раз тип транзистора.

Нужно получить длительность фронта отрицательного импульса менее, чем 1 нс, частота повторения импульсов 10-20 Мгц. Напряжение на коллекторе будет 15 вольт.

 

Отдельный вопрос - а чем не нравится резистор в коллекторе? Он только заряжает емкость, в формировании фронта он не участвует. Или я не прав?

 

Предложены:

1) BFG540 - предполагаю, что он удовлетворяет по частотным свойствам, но нет запаса по Uкэ

2) BC817 - есть запас по Uкэ, смущают частотные свойства

3) Транзистор в лавинном режиме. Должен быть хороший фронт, но, ИМХО, недостаточно напряжения питания. Или, может кто знает доставабельные лавинные транзисторы с небольшим напряжением пробоя?

3) MOSFET - это интересно, например - какой?

 

 

[AnatolyT 0]

Какая емкость нагрузки?

[Хвост Слона 0]

Нагрузка чисто активная, 50 ом.

 

Изменено 20 февраля, 2018 пользователем Хвост Слона

[nicom 0]

...Может будет в помощь -

 

ДНЗ - поищите - Диод с Накоплением Заряда.

 

Например -

 

https://www.google.ru/url?sa=t&rct=j&am...4Niyid8XZJQNQTe

 

обратите внимание - в статье рассматривают примерно Ваши пожелания , но на диодах 2Д524... (ошибка - в статье 1Д524)

 

Подобные каскады использовали в импульсном генераторе Г5-85 (могу ошибаться - проверьте)... и калибраторах И1-15 и И1-14 под 1 нс... тут использовались два типа выходных ключей - раздельно для положительного и отрицательного выхода...

 

Подобное схемотехническое решение позволяет получать очень короткие "перепады"...

 

 

...Да и определитесь со входной цепью - чем раскачиваете и какие характеристики - напряжение и "фронт"...

 

[iliusmaster 5]

В СССР разработали и долгое время производили полевые транзисторы с горизонтальной структурой. В книге Дьяконова помнится описывается генератор коротких импульсов на Кп902/904. Эти приборы уникальные среди полевиков нынешних - у них значительно снижена емкость переходов за счет конструктивных особенностей. Посмотрите, транзисторы эти добываются не сложно.

[BioWolf2000 3]

Вообще непонятно, что надо получить. Фронт наносекунды или пикосекунды? Спад сигнала экспоненциальный или любой? Слишком мало исходных данных. Как-то делал генератор импульсов(1000В, 100кГц) на полевом транзисторе 1200В . Конденсатор 1нФ(заряжался через резистор килоомный), разряжал MOSFET, положительный импульс получал с помощью трансформатора из коаксиала на феррите. Выход полевика - на центральную жилу, оплетка на землю. На выходе трансформатора наоборот - центральная жила на землю, оплетка - выход. После транзистора - резистор в районе десятков Ом последовательно с центральной жилой и паралельно ему конденсатор на несколько десятков пикофарад. Фронт получал около 1 нс. И надо сигнал смотреть осциллографом с 50 Омным входом. Естественно с внешними аттенюаторами 50 ом на входе, соединенными последовательно, для распределения мощности(эдакая колбаска получалась). Затвором дергал без резистора с помощью драйвера MOSFET 12В с током 6А по-моему. Давно это было, в 2003 году.

Для низких напряжений может подойдут диоды с накоплением заряда (SRD).

А вообще можно почитать журнал "Приборы и техника эксперимента" тех лет. Там такие задачи постоянно решались.

Тогда даже немного побаловался с ДДРВ диодами

Кстати - в схеме не ошибка случаем с конденсатором - 1пФ?