[IlCF 0]

Давайте по порядку. Не знаю что за схему Вы привели, если ту что из поста 256, то не доверяйте Вашему симулятору -не может при Uбэ=1В течь ток всего 21мА. То, что ток базы как Вы говорите не зависит от тока коллектора это просто потому что у Вас нет тока коллектора. Видимо. Иначе зависимость была бы, 100%. Хотя бы потому, что Iб = Iэ - Ik.

 

С 22 мА действительно, гон, но вот с соотношением токов всё более-менее. Вот два других симулятора:

 

(зеленую и красную точки перепутал в первом рисунке)

 

Так что всё, что доказывают подобные опыты - это закон Кирхгофа: Iб = Iэ - Ik. А суть работы транзистора они, IMHO, никак не вскрывают. С какого электрода сильнее "давит" (прошу прощения за такой термин, но смысл его, полагаю, понятен) - с того и тока больше течёт. Если с одного "давит" многократно сильнее, то на него приходится большая часть тока эмиттера и изменения тока другого электрода (где "давит" слабо) влияют мало. А если "давит" примерно одинаково, то и изменение одного тока сильно влияет на другой.

 

Наверно всё дело в том, что это "не просто сопротивление", где ток всегда течет от большего потенциала к меньшему. В транзисторе процессы чуть по-сложнее. Я просто подметил, что при напряжении коллекторного источника 0,3В ток еще продолжает течь "в" коллектор, что говорит о том, что диффузия электронов из эмиттера в коллектор еще преобладает над обратной инжекцией из коллектора в базу.

Кстати по поводу обеих прямосмещённых переходов. Вы в курсе, что ключ даже находящийся в насыщении (это значит оба перехода прямосмещены) продолжает работать усилителем тока. Ага. При этом отношение Iк/Iб берут в разы меньше, чем betta(min), но всё равно усиление тока есть :)

Наверное дело просто в том, что у реального насыщенного транзистора напряжение Uкэ составляет доли вольта (это из справочника, это не я придумал), а весь транзистор можно упрощённо представить в виде короткозамкнутой точки. А в программах симуляции напряжения могут быть любыми (что само по себе уже бред), но ток всё равно течёт туда, куда должен:

 

 

То, что транзистор и в насыщении продолжает быть усилителем тока, обеспечивается как раз теми соотношениями напряжений, которые устанавливаются при его насыщении (в реальности). А в программе, как я уже сказал, напряжения не соответствуют действительности, ибо генерируются идеальными источниками.

 

А что в ней интересного кроме того, что бетта меняется чуть ли не в 2 раза?

А что такое бетта? Уж не коэффициент ли передачи тока? :laughing:

 

А для меня более очевидна зависимость тока коллектора от тока эмиттера. Не сильно соврав можно сказать что эти токи равны. Поэтому задав ток эмиттера можно быть уверенным какой будет ток коллектора, в отличии от Вашего примера, где задав ток базы вообще невозможно предсказать какой будет ток у коллекора.

 

Задав ток эмиттера тоже далеко не всегда что-то можно предсказать, особенно без тока базы:

 

 

Помимо токов, обратите внимание на напряжения на электродах нижних транзисторов, в частности, что во втором случае прямое напряжение КБ не превысило 0.7 В, и это логично.

Изменено 6 октября, 2016 пользователем Ilya_NSK

[Plain 177]

никто из ... не привёл ... и неудивительно - невозможно с такой позиции это объяснить

В сообщении 285 Вам отчётливо показано, что токовое зеркало основно на равенстве h21e и окружающей среды. Если всё же желаете продолжить, растолкуйте нам природу смещения диффпары со "своей" позиции.

[Alexashka 0]

С 22 мА действительно, гон, но вот с соотношением токов всё более-менее. Вот два других симулятора:

По первому рисунку всё верно (где синий кружок) - ток коллектора увеличился, а ток базы уменьшился :) А вот вторая схема некорректная. Вы задаете ток эмиттера порядка 150мА, а с коллектора отбираете только 23, потому что R1 на большее не способен. Что Вы хотели этим доказать?

 

Так что всё, что доказывают подобные опыты - это закон Кирхгофа

Они доказывают то, что ток базы это разность тока эмиттера и коллектора, где коллекторный ток определяется эмиттерным (Ik = alfa*Iэ).

 

Наверное дело просто в том, что у реального насыщенного транзистора напряжение Uкэ составляет доли вольта

У мощных порядка 2В и что с того?

 

...а весь транзистор можно упрощённо представить в виде короткозамкнутой точки...

То, что транзистор и в насыщении продолжает быть усилителем тока, обеспечивается как раз теми соотношениями напряжений, которые устанавливаются при его насыщении...

Ежели так, тогда может объясните вот есть открытый ключ, у которого Uэ=0, Uб=1В, Uк=0,2В; ток течет от коллектора к эмиттеру, хотя по Вашей логике должен течь от базы к коллектору. Пример из реальной жизни, хотя и в симуляторе получите то же самое.

 

А что такое бетта? Уж не коэффициент ли передачи тока?

Ну как же, самый главный параметр в БТ, так ведь? ;)

 

Задав ток эмиттера тоже далеко не всегда что-то можно предсказать, особенно без тока базы

Опять путаем причину и следствие. Во втором случае Вы не отбираете ток с коллектора, поэтому весь ток эмиттера уходит в базу. А у Вас Uкэ=0, кого Вы хотите надуть? ;)

 

P.S Попробуйте посмотреть на транзистор не с той точки зрения, что мы дескать задаем ток базы, который определит нам ток коллектора, а эмиттерный ток это просто их сумма. А с той точки зрения, что ток задаем в эмиттере (не зря же он назван эмиттером, от слова emit=испускать), и при правильно-заданных потенциалах на электродах он весь пролетает в коллектор (от слова collect=собирать), при этом незначительные крохи теряются и уходят в базу.

[Abell 0]

P.S Попробуйте посмотреть на транзистор не с той точки зрения, что мы дескать задаем ток базы, который определит нам ток коллектора, а эмиттерный ток это просто их сумма. А с той точки зрения, что ток задаем в эмиттере (не зря же он назван эмиттером, от слова emit=испускать), и при правильно-заданных потенциалах на электродах он весь пролетает в коллектор (от слова collect=собирать), при этом незначительные крохи теряются и уходят в базу.

Ой вэй, как все плохо :( От эмиттера до коллектора - целых два барьера и довольно толстая база. Никаким образом ток с эмиттера через эти препятствия по своей воле не пойдет. И только ток база-эмиттер может сделать базу настолько тонкой, что барьеры исчезают. Области коллектор-эмиттер при насыщении практически замыкаются. Поэтому напряжение на коллекторе насыщенного транзистора может быть намного меньше, чем на базе. Ток, понимаете? Не потенциал, ток! Вернитесь в лоно истинной церкви правильной теории, то что проповедует Жеребцов и иже с ним - ересь В конце-то концов, вспомните уже базовый элемент ТТЛ :laughing:

[Leka 0]

P.S Попробуйте посмотреть на транзистор не с той точки зрения, что мы дескать задаем ток базы, который определит нам ток коллектора, а эмиттерный ток это просто их сумма. А с той точки зрения, что ток задаем в эмиттере (не зря же он назван эмиттером, от слова emit=испускать), и при правильно-заданных потенциалах на электродах он весь пролетает в коллектор (от слова collect=собирать), при этом незначительные крохи теряются и уходят в базу.

"Задавать ток базы", и "задавать ток эмиттера", это разные схемы включения. Уж если хотим "посмотреть на транзистор с разных точек зрения", надо сравнивать не схемы включения, а схемы замещения. Стандартная схема замещения БТ - управляемый источник тока, выводы К-Э - выход, выводы Б-Э - вход. Хотите предложить другую схему замещения, где выводы К-Э являются входом, а выводы Б-Э - выходом? Предлагайте, только не в виде бессмысленного набора слов, а в виде линейной схемы, которую можно будет покрутить в симуляторе.

Изменено 7 октября, 2016 пользователем Leka

[IlCF 0]

По первому рисунку всё верно (где синий кружок) - ток коллектора увеличился, а ток базы уменьшился :) А вот вторая схема некорректная. Вы задаете ток эмиттера порядка 150мА, а с коллектора отбираете только 23, потому что R1 на большее не способен. Что Вы хотели этим доказать?

Схема с синим кружком первой не может быть ни с какого конца , но не суть. Каким образом я "задаю ток эмиттера"? Почему ток базы при оборванном коллекторе и при резисторе в 500 Ом изменился совсем не на 23 мА, на которые "способен" R1?

 

 

Они доказывают то, что ток базы это разность тока эмиттера и коллектора, где коллекторный ток определяется эмиттерным (Ik = alfa*Iэ).

Т.е. закон Кирхгофа.

 

У мощных порядка 2В и что с того?

Ничего.

 

Ежели так, тогда может объясните вот есть открытый ключ, у которого Uэ=0, Uб=1В, Uк=0,2В; ток течет от коллектора к эмиттеру, хотя по Вашей логике должен течь от базы к коллектору. Пример из реальной жизни, хотя и в симуляторе получите то же самое.

Значит, у этого транзистора при заданном режиме прямое падение напряжения КБ составляет 1-0,2=0,8В и ток не течёт. Кстати, это падение напряжения зависит и от тока коллектора:

 

Ну как же, самый главный параметр в БТ, так ведь? ;)

Именно. И заметьте, почему-то самым главным параметром биполярного транзистора является коэффициент передачи тока, а не крутизна входной характеристики в мА/В, как у ламп или полевых транзисторов. Хотя крутизна входной характеристики у БП тоже есть, причём сотни мА/В и зависит от тока коллектора (упрощённо, S=Iс/Фт, где Фт=25мВ при н.у.). Что интересно, для лампы или даже МОП ПТ тоже можно вычислить коэффициент передачи тока (и он тоже будет достигать запредельных величин), однако никому не приходит в голову утверждать, что входным сигналом МОП ПТ является ТОК.

 

Опять путаем причину и следствие. Во втором случае Вы не отбираете ток с коллектора, поэтому весь ток эмиттера уходит в базу. А у Вас Uкэ=0, кого Вы хотите надуть? ;)

Как это не отбираю? Никаких дополнительных препятствий для тока эмиттера (и коллектора) я не вводил, напряжения на электродах не менял. На обеих схемах я задал делителями с одинаковым коэффициентом деления одинаковые потенциалы базы верхнего транзистора - т.е. входные сигналы БТ, согласно вашей модели. Значит, на эмиттере верхнего транзистора (и коллекторе нижнего) должен быть этот же потенциал за вычетом 0.7 В. Паразитный, согласно вашей модели, ток базы верхнего транзистора никому не нужен и ни на что влиять не должен. Более того, если я правильно понял ваши воззрения, должно быть даже так: в эмиттер втекает полный ток, заданный генератором тока, часть этого тока "паразитно входит" в базу, где, вероятно, этот ток должен привести к прямо противоположному по знаку относительно наблюдаемого падению напряжения на резисторах делителя.

Но так почему-то не происходит - напряжение на эмиттере и базе верхнего транзистора падает, нижний транзистор входит в насыщение, всё рушится. Схемы, ещё раз замечу, отличаются только номиналами резисторов в базовом делителе - соотношение делителя то же самое.

А вот что мы имеем в случае прибора, у которого ток управляющего электрода на самом деле является паразитным, а управление осуществляется потенциалом:

 

 

 

P.S Попробуйте посмотреть на транзистор не с той точки зрения, что мы дескать задаем ток базы, который определит нам ток коллектора, а эмиттерный ток это просто их сумма. А с той точки зрения, что ток задаем в эмиттере (не зря же он назван эмиттером, от слова emit=испускать), и при правильно-заданных потенциалах на электродах он весь пролетает в коллектор (от слова collect=собирать), при этом незначительные крохи теряются и уходят в базу.

Я как только не пробовал, поверьте. Проблема именно в том, что взять и как-то жёстко задать потенциалы всех электродов можно только в вышепредставленных программных моделях, где на эмиттере будет ноль, на базе 20 Вольт, а на коллекторе 2 Вольта, плюс несгораемый транзистор. В реальности такого не наблюдается - все напряжения на электродах БТ зависят друг от друга и от токов в цепях этих электродов. В математике мы оперируем и бесконечностью, и безразмерной материальной точкой, и мнимой единицей, но в реальности-то их не существует.

Кстати, с моей точки зрения, если игнорировать "токовую природу" БТ, то нерешаемой задачей становится простой несимметричный триггер на двух транзисторах (типа ЭСЛ-ячейки). В книжках очень красиво пишут про "потенциалы на базе", которые как бы определяются исключительно падениями напряжений на резисторах в отсутствии токов электродов транзистора (в т.ч. базы), но как только ты начинаешь изучать триггер в программе, с удивлением обнаруживаешь, что потенциалы находятся в очень сложной зависимости от токов и потенциалов базы и двух других электродов, а биполярный транзистор - совсем даже не переменный резистор или ключ, управляемый напряжением. Так же с позиции напряжения совершенно неясно (во всяком случае, мне), что и чем определяется в двухтактном эмиттерном повторителе класса АВ (с током покоя).

[Alexashka 0]

Ой вэй, как все плохо :( От эмиттера до коллектора - целых два барьера и довольно толстая база. Никаким образом ток с эмиттера через эти препятствия по своей воле не пойдет. И только ток база-эмиттер может сделать базу настолько тонкой, что барьеры исчезают. Области коллектор-эмиттер при насыщении практически замыкаются. Поэтому напряжение на коллекторе насыщенного транзистора может быть намного меньше, чем на базе. Ток, понимаете? Не потенциал, ток! Вернитесь в лоно истинной церкви правильной теории, то что проповедует Жеребцов и иже с ним - ересь

Ну ппц ребята. Вы откуда эти "гениальные мысли" черпаете? Из книжек "электроника для домохозяек" или правда как у Пелевина - всё дело в грибочках?

 

Во-первых: Про смыкание коллектора с эмиттером:

Особенно важно учитывать напряжение коллектор-база, поскольку при этом толщина коллектора возрастает, толщина базы уменьшается. При очень тонкой базе может возникнуть эффект смыкания (так называемый "прокол" базы) - соединение коллекторного перехода с эмиттерным. При этом область базы исчезает и транзистор перестает нормально работать.

Взято отсюда

Во-вторых:

От эмиттера до коллектора - целых два барьера

Ложь. Эмиттерный барьер в активном режим и режиме насыщения открыт, второй барьер (коллекторный) не является барьером для электронов эмиттера (n-p-n).

В-третьих:

И только ток база-эмиттер может сделать базу настолько тонкой,

Не ток, а разность потенциалов Uбэ помогает преодолевать(снимать) эмиттерный барьер. Без этой разности потенциалов никакого тока у вас не будет! Можете взять любой БТ и самостоятельно в этом убедиться, подав на база-эмиттер 0,2-0,5В.

 

Почитайте хотя бы ну не знаю ТОЕ , чтоб ерунду не пороть.

 

Вот читаем : (выделил жирными)

К слоям прикладывают внешнее напряжение так, что эмиттерный р-п переход смещён в прямом направлении, и через него протекает большой ток, а коллекторный р-п переход смещён в противоположную сторону, так что через него не должен протекать ток. Однако вследствие того, что р-п переходы расположены близко, они влияют друг на друга, и картина меняется: ток электронов, прошедший из эмиттерного р-п перехода, протекает дальше, доходит до коллекторного р-п перехода и электрическим полем последнего электроны втягиваются в коллектор. В результате у хороших транзисторов практически весь ток коллектора равен току эмиттера. Потери тока очень незначительны: проценты и даже доли процента.

 

"Задавать ток базы", и "задавать ток эмиттера", это разные схемы включения. Уж если хотим "посмотреть на транзистор с разных точек зрения", надо сравнивать не схемы включения, а схемы замещения. Стандартная схема замещения БТ - управляемый источник тока, выводы К-Э - выход, выводы Б-Э - вход. Хотите предложить другую схему замещения, где выводы К-Э являются входом, а выводы Б-Э - выходом? Предлагайте, только не в виде бессмысленного набора слов, а в виде линейной схемы, которую можно будет покрутить в симуляторе.

Начал за здравие, а кончил за упокой :(

Первая фраза нормальная, вторая - троллинг? М?

Вас я уже отсылал к посту 256, всё что могу -послать еще раз :laughing:

 

Схема с синим кружком первой не может быть ни с какого конца , но не суть. Каким образом я "задаю ток эмиттера"? Почему ток базы при оборванном коллекторе и при резисторе в 500 Ом изменился совсем не на 23 мА, на которые "способен" R1?

Эмиттерный ток просел. Разве нет? Почему он просел тоже надо Вам объяснить? Может это Вы лучше объясните как Ваши симуляции работают, а то знаете как в той поговорке про 100 мудрецов...

 

Значит, у этого транзистора...

Значит неправда то что:

транзистор можно упрощённо представить в виде короткозамкнутой точки

Именно. И заметьте, почему-то самым главным параметром биполярного транзистора является коэффициент передачи тока

Ну это Вы так считаете, спорить не буду, хотя я вот последнее время в основном смотрю на предельно-допустимые параметры, как например Uкэ,макс или Iк,макс. А коэфф.передачи как-то всегда хватает с избытком :laughing:

Как это не отбираю?

Опять попытка обмануть? Вы создали у Q3 напряжение Uбэ на 60мВ меньше чем у Q5, поэтому ток эмиттера Q3 в 10 раз меньше чем у Q5, что соответствует уравнению Э-М. А Q4 выдать больше ток не может, т.к он полностью открыт (полнее не куда): Uкэ=0.

Я как только не пробовал, поверьте. Проблема именно в том, что взять и как-то жёстко задать потенциалы всех электродов

Да можно, почему же нет. Uб задаем базовым делителем, Uэ считаем грубо на 0,65В меньше, отсюда находим ток коллектора(эмиттера) как Iэ=(Uб-0,65)/Rэ, а коллекторное напряжение просто считается как Uпит-Ik*Rk, вот и всё. Базовый ток нужен только чтобы выбрать номиналы (порядок сопротивлений) базового делителя.

Так же с позиции напряжения совершенно неясно (во всяком случае, мне), что и чем определяется в двухтактном эмиттерном повторителе класса АВ (с током покоя).

Вот как раз напряжением двух переходов Uбэ :)

А крутизна Ik(Uбэ) как Вы заметили не маленькая, поэтому и термостабилизацию тока покоя не так просто получить

[Leka 0]

Начал за здравие, а кончил за упокой :(

Первая фраза нормальная, вторая - троллинг? М?

Вас я уже отсылал к посту 256, всё что могу -послать еще раз :laughing:

#256 - чужой пост, пробую #265 - схема в микрокапе, с ихними нелинейными моделями, о которых сами же и сказали - понятия не имеете, как они устроены. Те сами не можете нарисовать даже самую простую, линейную модель? Печально. А что касается генерации псевдонаучного текста - раньше даже онлайн ресурсы были (может, и сейчас есть, судя по этой ветке).

 

Изменено 7 октября, 2016 пользователем Leka

[Alexashka 0]

#256 - чужой пост

Странно, да это не мой пост. Мой под номером 204.

 

[Abell 0]

Ну ппц ребята.

Да уж, он самый

Значит, по-Вашему, при определенной разности потенциалов на переходе база-эмиттер идет управляемый коллекторный ток. А через сам переход, стало быть, ток не идет, не должен идти, он лишний. Ага.

Ложь. Эмиттерный барьер в активном режим и режиме насыщения открыт, второй барьер (коллекторный) не является барьером для электронов эмиттера (n-p-n).

Я вообще-то писал о переходах в закрытом состоянии, пока нет тока базы. Повторю. Пока не появится ток базы - от эмиттера до коллектора два барьера. Два перехода. Два закрытых перехода.

Впрочем, переубеждать через интернет - дело неблагодарное. Книжки читайте, только не Жеребцова, а я останусь апологетом токовой теории управления в биполярном транзисторе, тем более что и Хоровиц с Хиллом согласны :laughing:

[Leka 0]

Странно, да это не мой пост. Мой под номером 204.

Там выводы Б-Э - вход, выводы К-Э - выход.

Те управление все-равно идет с базы (источник тока, управляемого напряжением), а для создания базового тока вводится дополнительный управляемый источник тока.

 

По аналогии можно нарисовать источник тока коллектора, управляемый током базы, а напряжение базы задавать управляемым источником напряжения (зависимого от тока эмиттера).

 

А потом сравнить эти две модели, и реальный транзистор, по входному сопротивлению...

Изменено 7 октября, 2016 пользователем Leka

[Alexashka 0]

Те управление все-равно идет с базы

Да, потому что это эмиттерный повторитель.

а для создания базового тока вводится дополнительный управляемый источник тока.

Не базового, а коллекторного. Базовый ток получается как разность Iэ-Ik.

 

По аналогии можно нарисовать источник тока коллектора, управляемый током базы, а напряжение базы задавать управляемым источником напряжения (зависимого от тока эмиттера).

Можно, более того эти модели дают одинаковый результат, и я об это уже говорил Viko! :laughing:

Я не запрещаю Вам использовать Вашу модель с усилителем тока, хотя считаю, что моя модель ближе к физике процессов.

 

Значит, по-Вашему, при определенной разности потенциалов на переходе база-эмиттер идет управляемый коллекторный ток. А через сам переход, стало быть, ток не идет, не должен идти, он лишний.

Да нет же, прочтите цитату из ТОЕ, которую я прикладывал. А перед этим прочитайте про модель Эберса-Молла. Вообще не ожидал от Вас такого :(

 

Пока не появится ток базы - от эмиттера до коллектора два барьера.

Ага, вот не было тока и вдруг появился. Как это?

И Вы так и не ответили, как по-Вашему управлять коллекторным током, если базовый источник может развить максимум Uбэ=0,4В?

[Leka 0]

Можно, более того эти модели дают одинаковый результат, и я об это уже говорил Viko! :laughing:

Я не запрещаю Вам использовать Вашу модель с усилителем тока, хотя считаю, что моя модель ближе к физике процессов.

Вот это уже нормальный разговор. Вечером попробую выложить свои выводы по сравнению этих моделей.

[IlCF 0]

Эмиттерный ток просел. Разве нет? Почему он просел тоже надо Вам объяснить? Может это Вы лучше объясните как Ваши симуляции работают, а то знаете как в той поговорке про 100 мудрецов...

Эмиттерный ток просел ровно на исчезновший ток коллектора, но на базовый ток это практически не повлияло. Что и требовалось доказать.

 

Значит неправда то что:

Ключевое слово - "упрощённо".

 

Ну это Вы так считаете, спорить не буду.

Ранее на вопрос "А что такое бетта? Уж не коэффициент ли передачи тока?" вы ответили, что:

Ну как же, самый главный параметр в БТ, так ведь? ;)

Так что это вы меня "плохому" научили ;)

 

Опять попытка обмануть? Вы создали у Q3 напряжение Uбэ на 60мВ меньше чем у Q5, поэтому ток эмиттера Q3 в 10 раз меньше чем у Q5, что соответствует уравнению Э-М. А Q4 выдать больше ток не может, т.к он полностью открыт (полнее не куда): Uкэ=0.

А что, напряжение БЭ можно задать любое по своему усмотрению? Например, 2 Вольта можно?

Я задал совершенно одинаковые базовые напряжения Q3 и Q5. Вы же сами на мои сомнения насчёт "взять и как-то жёстко задать потенциалы всех электродов" сказали:

Да можно, почему же нет. Uб задаем базовым делителем, Uэ считаем грубо на 0,65В меньше,

Вот я и задал одинаковые Uб обеих транзисторов базовыми делителями с одинаковыми коэффициентами деления. А почему в случае Q3 эти напряжения куда-то уплыли - ума не приложу! :rolleyes: "Паразитный втекающий из эмиттера в базу" ток ни на что влиять не должен - так же ведь? ;)

 

отсюда находим ток коллектора(эмиттера) как Iэ=(Uб-0,65)/Rэ, а коллекторное напряжение просто считается как Uпит-Ik*Rk, вот и всё. Базовый ток нужен только чтобы выбрать номиналы (порядок сопротивлений) базового делителя.

А если Rэ=0? Делить на ноль нельзя! Ладно, это шутка. У нас остаётся ещё сопротивление базы и дифференциальное сопротивление эмиттера, которое, правда, как на зло зависит от тока! Но это ещё полбеды: Uбэ тоже отнюдь не постоянно вы же сами меня обвинили в том, что путём подлых манипуляций я

создали у Q3 напряжение Uбэ на 60мВ меньше чем у Q5, поэтому ток эмиттера Q3 в 10 раз меньше чем у Q5

Выводы о возможности задания режима транзистора путём даже самой железобетонной фиксации Uб делайте сами.

 

А крутизна Ik(Uбэ) как Вы заметили не маленькая, поэтому и термостабилизацию тока покоя не так просто получить

А у ПТ с 2 мА/В термостабилизация тогда сама собой получается?

 

P.S. Единственный пример напряжения без тока, который мне приходит в голову - это КРП. Во всех остальных случаях напряжение всегда сопровождается током и наоборот. Следовательно, нет никаких "чисто токовых" или "чисто потенциальных" приборов. Потому, как я уже говорил, и БТ можно описывать через крутизну, и ПТ - через коэффициент передачи тока. Вопрос в том, насколько это описание адекватно свойствам прибора и насколько однозначно позволяет задать его режим.

 

[Abell 0]

Да нет же, прочтите цитату из ТОЕ, которую я прикладывал. А перед этим прочитайте про модель Эберса-Молла. Вообще не ожидал от Вас такого :(

А уж я-то как не ожидал:

... ток задаем в эмиттере (не зря же он назван эмиттером, от слова emit=испускать), и при правильно-заданных потенциалах на электродах он весь пролетает в коллектор (от слова collect=собирать), при этом незначительные крохи теряются и уходят в базу.

Это - пробой транзистора. Ток коллектора большой и неуправляемый.

Реальный транзистор BU508, допустимый ток коллектора 8 Ампер, коэффициент передачи тока от 6 до 30. Задайте правильные потенциалы, чтоб тока базы не было - он же лишний? - а ток коллектора получился 8 Ампер :(

 

Что же касается вопросов:

Ага, вот не было тока и вдруг появился. Как это?

И Вы так и не ответили, как по-Вашему управлять коллекторным током, если базовый источник может развить максимум Uбэ=0,4В?

Ток появился точно так же, как через любой PN-переход. Не сразу так, постепенно. Как Вы правильно подметили - без разности потенциалов тока не будет А разве я где-то утверждал, что ток появляется без разности потенциалов? На этой картинке, полагаю, ответ на оба вопроса:

Повторяю - я категорически против утверждения "ток базы в биполярном транзисторе бесполезен и даже вреден"!

Изменено 7 октября, 2016 пользователем Abell