Abell 0 10 октября, 2016 Опубликовано 10 октября, 2016 · Жалоба Если в цепь коллектора добавить резистор, то это уже будет усилитель. Нэ? Ничего не понял - при одном и том же сопротивлении в цепи эмиттера, входное сопротивление каскада будет зависеть от сопротивления в цепи коллектора? :blink: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
VCO 0 10 октября, 2016 Опубликовано 10 октября, 2016 · Жалоба Вставлю свою позорную копейку: Алекс Ашка больше всех прав. Апатамушта он знает больше БТ, чем другие. А я их применяю... :laughing: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Den64 0 10 октября, 2016 Опубликовано 10 октября, 2016 · Жалоба Ничего не понял - при одном и том же сопротивлении в цепи эмиттера, входное сопротивление каскада будет зависеть от сопротивления в цепи коллектора? :blink: Грубо говоря нет. Если конечно транзистор не будет работать близко к насыщению. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Abell 0 10 октября, 2016 Опубликовано 10 октября, 2016 · Жалоба А я их применяю... :laughing: Я тоже, применяю... Только, наверное, другие - православные, у которых ток базы есть. Пошел-ка я спать :blink: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Den64 0 10 октября, 2016 Опубликовано 10 октября, 2016 · Жалоба ... ток базы есть. Пошел-ка я спать :blink: Довай. я верю в ток базы. По любому проводу правильной принципиальной схемы ток может быть (за исключением идеальных элементов) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Гость TSerg 10 октября, 2016 Опубликовано 10 октября, 2016 · Жалоба Ничего не понял - при одном и том же сопротивлении в цепи эмиттера, входное сопротивление каскада будет зависеть от сопротивления в цепи коллектора? :blink: А, да - канешна, дорогой. При изменении номинала резистора в коллекторе (при одном и том же номинале резистора в эмиттере), конечно же меняется базовый ток, что и говорит об изменении входного сопротивления каскада. Изменение базового тока при изменении R коллектора от 0 до 1к при постоянном Re=100 Ом. http://shot.qip.ru/00gZ9L-1OPovQGTD/ P.S. Ну, очень примитивно: http://shot.qip.ru/00gZ9L-2OPovQGTE/ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
IlCF 0 10 октября, 2016 Опубликовано 10 октября, 2016 · Жалоба И это правильно! :a14: А раньше же вроде было принято управлять напряжением? Вы можете фантазировать и дальше. Открываем книгу, читаем Прочитали? Что такое "в первом приближении можно пренебречь" понимаете? И именно с учётом этого приближения почему-то делается железобетонный и окончательный вывод, который вам так понравился. Правда, если мы принимаем это "первое приближение", то формула в книге дана неправильная - мы же должны были пренебречь Iэn. Если же формула всё-таки правильная, ничем мы пренебрегать не будем и гамма не равна единице (что и наблюдается в реальности), то заявление про нулевой результирующий ток базы вообще ни на чём не основано. И кстати, знак "приближённо равен" в этом случае тоже неуместен - ток эмиттера точно равен сумме электронной и дырочной составляющих. Короче, читайте книги внимательно - их тоже люди пишут. Уже приводил супербета транзистор у которого база сверхтонкая и бетта=5000 и более, а если посчитать какой будет бетта в пределе когда толщина базы=0...как раз и получится полевой транзистор ;) но походу бестолку, стереотипы они такие трудно-ломающиеся...больше ничего не хочу Вам доказывать. Теперь понятно, откуда растёт миф про "паразитность" базового тока и напряжение как управляющий сигнал. Однако, придётся вас разочаровать когда толщина базы станет равной нулю, БТ превратится не в JFET, а в кусок полупроводника одного типа проводимости с двумя областями с различной концентрацией легирующих примесей: а JFET выглядит как-то вот так: то есть если из БТ делать ПТ, то уменьшать до нуля придётся эмиттер. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Den64 0 10 октября, 2016 Опубликовано 10 октября, 2016 · Жалоба А, да - канешна, дорогой. При изменении номинала резистора в коллекторе (при одном и том же номинале резистора в эмиттере), конечно же меняется базовый ток, что и говорит об изменении входного сопротивления каскада. Изменение базового тока при изменении R коллектора от 0 до 1к при постоянном Re=100 Ом. http://shot.qip.ru/00gZ9L-1OPovQGTD/ P.S. Ну, очень примитивно: http://shot.qip.ru/00gZ9L-2OPovQGTE/ Транзистор в режиме насыщения. Ахаха, весело. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Гость TSerg 10 октября, 2016 Опубликовано 10 октября, 2016 · Жалоба когда толщина базы станет равной нулю, БТ превратится не в JFET, а в кусок полупроводника одного типа проводимости Арбайтен, вьюноши, арбайтен. Может че и вырастет из вас. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Alexashka 0 10 октября, 2016 Опубликовано 10 октября, 2016 · Жалоба Что-то я вообще перестаю Вас понимать - эмиттерный повторитель на транзисторе с h21э=70 и с резистором 1 кОм будет иметь входное сопротивление 7кОм, а если в цепь коллектора добавить резистор 10 кОм - входное сопротивление каскада вдруг резко станет меньше, это Вы хотите сказать? А я не знаю мы о чем вообще? :laughing: кт315д и 1к в коллекторе это была Ваша схема (которая вместо 1000 слов). Но похоже скоро и она переплюнет этот порог Там в первом каскаде не повторитель, а усилитель с К=9,5 и входное сопротивление у него (грубо) Rвх=R3*h21э = 100 Ом *70 = 7 кОм. С уменьшением h21 входное сопротивление будет падать. У Tserg был повторитель со следящей связью, там немного другое... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Гость TSerg 10 октября, 2016 Опубликовано 10 октября, 2016 · Жалоба Транзистор в режиме насыщения. Ахаха, весело. Вот бирошь Это, читаешь, потом еще раз делаешь заход: http://electrik.info/tranzistor.zip У Tserg был повторитель со следящей связью, там немного другое... Там не совсем другое, там принципиально - другое. Ну, вьюношам же - все равно. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Den64 0 10 октября, 2016 Опубликовано 10 октября, 2016 · Жалоба Вот бирошь Это, читаешь, потом еще раз делаешь заход: http://electrik.info/tranzistor.zip Спасибо большое за книжку, сэнсэй!!! Реально спасибо, обожаю хорошие книжки рекомендованные спецами! Только вот зачем ещё заход? Транзистор реально в насыщении.. http://electrik.info/tranzistor.zip Сэнсэй, я такое уже изучал в пту. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Гость TSerg 10 октября, 2016 Опубликовано 10 октября, 2016 · Жалоба Сэнсэй, я такое уже изучал в пту. Попробуй сделать заход в вышку, хотя.. Какая щас вышка - срам один. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
IlCF 0 11 октября, 2016 Опубликовано 11 октября, 2016 · Жалоба Изменение базового тока при изменении R коллектора от 0 до 1к при постоянном Re=100 Ом. Если я не заблуждаюсь, при Uвх=6В транзистор войдёт в насыщение примерно при: R1 = (V1-V2) / ((V2-0,7В)/R2) = (12В-6В) / ((6В-0,7В)/100) = 113 Ом при V2=6В Это в предположении, что Iк не зависит от R1 и что выход из активного режима происходит при Uк=UБ (на самом деле при Uк<UБ). У вас не подписаны линии на графике IRб от V2, но насколько я могу предположить из вышесказанного, множественные накладывающиеся линии, практически параллельные оси абсцисс - это ток в активном режиме, а "взлёты" - это как раз переход в режим насыщения. Т.е. вплоть до V2=1.8 В при любом R1 от 0 до 1000 Ом входной ток меняется крайне слабо. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Abell 0 11 октября, 2016 Опубликовано 11 октября, 2016 · Жалоба Дак чо решили-то? Ток базы биполярным транзисторам оставляем, или ... ? Учебники-те крамольные жечь уже? Или погодить до вечера? :laughing: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться