Перейти к содержанию
    

Хоровиц Хилл эмиттерный повторитель

Если в цепь коллектора добавить резистор, то это уже будет усилитель. Нэ?

Ничего не понял - при одном и том же сопротивлении в цепи эмиттера, входное сопротивление каскада будет зависеть от сопротивления в цепи коллектора? :blink:

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Вставлю свою позорную копейку: Алекс Ашка больше всех прав.

Апатамушта он знает больше БТ, чем другие. А я их применяю... :laughing:

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Ничего не понял - при одном и том же сопротивлении в цепи эмиттера, входное сопротивление каскада будет зависеть от сопротивления в цепи коллектора? :blink:

Грубо говоря нет. Если конечно транзистор не будет работать близко к насыщению.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А я их применяю... :laughing:

Я тоже, применяю... Только, наверное, другие - православные, у которых ток базы есть. Пошел-ка я спать :blink:

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

... ток базы есть. Пошел-ка я спать :blink:

Довай. я верю в ток базы. По любому проводу правильной принципиальной схемы ток может быть (за исключением идеальных элементов)

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Гость TSerg
Ничего не понял - при одном и том же сопротивлении в цепи эмиттера, входное сопротивление каскада будет зависеть от сопротивления в цепи коллектора? :blink:

А, да - канешна, дорогой.

При изменении номинала резистора в коллекторе (при одном и том же номинале резистора в эмиттере), конечно же меняется базовый ток, что и говорит об изменении входного сопротивления каскада.

 

Изменение базового тока при изменении R коллектора от 0 до 1к при постоянном Re=100 Ом.

http://shot.qip.ru/00gZ9L-1OPovQGTD/

 

P.S.

Ну, очень примитивно:

http://shot.qip.ru/00gZ9L-2OPovQGTE/

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

И это правильно! :a14:

А раньше же вроде было принято управлять напряжением?

 

Вы можете фантазировать и дальше.

Открываем книгу, читаем

post-86922-1476127699_thumb.png

 

Прочитали? Что такое "в первом приближении можно пренебречь" понимаете? И именно с учётом этого приближения почему-то делается железобетонный и окончательный вывод, который вам так понравился. Правда, если мы принимаем это "первое приближение", то формула в книге дана неправильная - мы же должны были пренебречь Iэn. Если же формула всё-таки правильная, ничем мы пренебрегать не будем и гамма не равна единице (что и наблюдается в реальности), то заявление про нулевой результирующий ток базы вообще ни на чём не основано. И кстати, знак "приближённо равен" в этом случае тоже неуместен - ток эмиттера точно равен сумме электронной и дырочной составляющих. Короче, читайте книги внимательно - их тоже люди пишут.

 

Уже приводил супербета транзистор у которого база сверхтонкая и бетта=5000 и более, а если посчитать какой будет бетта в пределе когда толщина базы=0...как раз и получится полевой транзистор ;) но походу бестолку, стереотипы они такие трудно-ломающиеся...больше ничего не хочу Вам доказывать.

Теперь понятно, откуда растёт миф про "паразитность" базового тока и напряжение как управляющий сигнал. Однако, придётся вас разочаровать когда толщина базы станет равной нулю, БТ превратится не в JFET, а в кусок полупроводника одного типа проводимости с двумя областями с различной концентрацией легирующих примесей:

 

post-86922-1476130125_thumb.png

 

а JFET выглядит как-то вот так:

 

post-86922-1476130294_thumb.png

 

то есть если из БТ делать ПТ, то уменьшать до нуля придётся эмиттер.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А, да - канешна, дорогой.

При изменении номинала резистора в коллекторе (при одном и том же номинале резистора в эмиттере), конечно же меняется базовый ток, что и говорит об изменении входного сопротивления каскада.

 

Изменение базового тока при изменении R коллектора от 0 до 1к при постоянном Re=100 Ом.

http://shot.qip.ru/00gZ9L-1OPovQGTD/

 

P.S.

Ну, очень примитивно:

http://shot.qip.ru/00gZ9L-2OPovQGTE/

Транзистор в режиме насыщения. Ахаха, весело.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Гость TSerg
когда толщина базы станет равной нулю, БТ превратится не в JFET, а в кусок полупроводника одного типа проводимости

 

Арбайтен, вьюноши, арбайтен.

Может че и вырастет из вас.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Что-то я вообще перестаю Вас понимать - эмиттерный повторитель на транзисторе с h21э=70 и с резистором 1 кОм будет иметь входное сопротивление 7кОм, а если в цепь коллектора добавить резистор 10 кОм - входное сопротивление каскада вдруг резко станет меньше, это Вы хотите сказать? :wacko:

А я не знаю мы о чем вообще? :laughing: кт315д и 1к в коллекторе это была Ваша схема (которая вместо 1000 слов).

post-4576-1476132544_thumb.jpg

Но похоже скоро и она переплюнет этот порог :biggrin: Там в первом каскаде не повторитель, а усилитель с К=9,5 и входное сопротивление у него (грубо) Rвх=R3*h21э = 100 Ом *70 = 7 кОм. С уменьшением h21 входное сопротивление будет падать.

У Tserg был повторитель со следящей связью, там немного другое...

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Гость TSerg
Транзистор в режиме насыщения. Ахаха, весело.

 

Вот бирошь Это, читаешь, потом еще раз делаешь заход:

http://electrik.info/tranzistor.zip

 

У Tserg был повторитель со следящей связью, там немного другое...

Там не совсем другое, там принципиально - другое. Ну, вьюношам же - все равно.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Вот бирошь Это, читаешь, потом еще раз делаешь заход:

http://electrik.info/tranzistor.zip

Спасибо большое за книжку, сэнсэй!!! Реально спасибо, обожаю хорошие книжки рекомендованные спецами!

Только вот зачем ещё заход? Транзистор реально в насыщении..

 

Сэнсэй, я такое уже изучал в пту.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Изменение базового тока при изменении R коллектора от 0 до 1к при постоянном Re=100 Ом.

Если я не заблуждаюсь, при Uвх=6В транзистор войдёт в насыщение примерно при:

 

R1 = (V1-V2) / ((V2-0,7В)/R2) = (12В-6В) / ((6В-0,7В)/100) = 113 Ом при V2=6В

 

Это в предположении, что Iк не зависит от R1 и что выход из активного режима происходит при Uк=UБ (на самом деле при Uк<UБ).

 

У вас не подписаны линии на графике I от V2, но насколько я могу предположить из вышесказанного, множественные накладывающиеся линии, практически параллельные оси абсцисс - это ток в активном режиме, а "взлёты" - это как раз переход в режим насыщения. Т.е. вплоть до V2=1.8 В при любом R1 от 0 до 1000 Ом входной ток меняется крайне слабо.

 

post-86922-1476167362_thumb.png

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Дак чо решили-то?

Ток базы биполярным транзисторам оставляем, или ... ?

post-15292-1476181212_thumb.jpg

 

Учебники-те крамольные жечь уже?

Или погодить до вечера? :laughing:

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...