[790 0]

Здравствуйте.

Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование xx?

 

Находил информацию 10-20 мкс и 1-2 с. Разница большая. В даташитах не пишут.

[ser_aleksey_p 0]

Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование xx?

 

Глазом моргнуть не успеешь :blink: , как придется покупать новый.

Надеюсь, речь идет о больших мощностях.

[790 0]

Глазом моргнуть не успеешь :blink: , как придется покупать новый.

Надеюсь, речь идет о больших мощностях.

 

Это понятно) Нужны цифры. Мощность 30-50 Ватт.

[l1l1l1 0]

Это понятно) Нужны цифры. Мощность 30-50 Ватт.

для обычных применений безразлично, гибнет ли транзистор мгновенно, или в течение долей секунды,

и производитель это время ни определять, ни указывать в даташитах не будет.

наверняка интересующее время зависит и от частоты сигнала, и от типа транзистора.

поэтому, если даже кто-то и имеет цифру, то вряд ли совпадут с вашими его мощность, частота и тип транзистора.

и раз уж вам для ваших целей это важно, придется вам самому организовывать эксперимент,

проводить измерения и определять это время.

после того, как вы проведете эти эксперименты, было бы любезно с вашей стороны поделиться здесь результатами ваших экспериментов.

 

 

[saab 2]

Здравствуйте.

Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование xx?

 

Находил информацию 10-20 мкс и 1-2 с. Разница большая. В даташитах не пишут.

Ээ, до Канадской границы успеем :laughing:

Есть еще вторичный пробой. Кстати не указали тип BJT или PHEMT или FET какой.

Между прочим существенная разница.

[Terehov 0]

Здравствуйте.

Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование xx?

 

Находил информацию 10-20 мкс и 1-2 с. Разница большая. В даташитах не пишут.

В некоторых ТУ на мощные отечественные транзисторы, в методике, где описывается как измерить такой параметр как работа на рассогласованную нагрузку, указывается время 1 сек. Причем речь идет о работе не на ХХ или КЗ, а на КСВ = 20(15).

 

Изменено 6 июля, 2015 пользователем tsww

[790 0]

Транзистор LDMOS, 1 ГГц, 30 Вт. Защита срабатывает за 80 мс, транзистор не сгорает.

Если 1 сек, то это хорошо.

[Terehov 0]

Транзистор LDMOS, 1 ГГц, 30 Вт. Защита срабатывает за 80 мс, транзистор не сгорает.

Если 1 сек, то это хорошо.

Важно понять характер рассогласования - если рассогласование приводит к увеличению тока стока, то транзистор это выдерживает достаточно долго, если же к перенапряжению, то процесс пробоя занимает десятки наносекунд. Кроме того не стоит забывать и о области безопасной работы - это зависимость связывающая безопасный ток и напряжение. Обычно завязана на величину максимальной рассеиваемой мощности, т. е. произведение тока и напряжения не должно превышать эту мощность. При больших напряжениях имеет ограничение.

[mepavel 0]

Важно понять характер рассогласования - если рассогласование приводит к увеличению тока стока, то транзистор это выдерживает достаточно долго,

Достаточно долго - это от нескольких десятков микросекунд до долей секунды. В зависимости от того за какое время температура в активной области кристалла достигнет критической (максимально допустимой). Определяется тепловым импедансом транзистора, температурой корпуса и рассеиваемой мощностью на транзисторном кристалле. На некоторые транзисторы в документации приводятся импульсные ОБР или, что более информативно, семейство характеристик теплового импеданса от времени и скважности импульса.

если же к перенапряжению, то процесс пробоя занимает десятки наносекунд.

Иногда даже меньше. Я бы уточнил "необратимого пробоя".

 

[RFF-11 0]

Транзистор LDMOS, 1 ГГц, 30 Вт. Защита срабатывает за 80 мс, транзистор не сгорает.

Если 1 сек, то это хорошо.

 

Покажите, полуйста схему защиты

[TheMad 0]

Да, мне тоже видится что 80 мс для защиты это очень медленно, в особенности когда речь идёт о 1 ГГц и немаленькой мощности.

Полностью согласен с предыдущими ораторами: если транзистор попадёт в пучность напряжения стоячей волны то жить ему останется недолго - как правило десятки-сотни наносекунд. Также влияние имеет добротность выходной цепи и то с чего она начинается. Если сконструировать выходную цепь так чтобы она начиналась с приличного (для данного напряжения и мощности) конденсатора то можно потерять несколько процентов КПД получив на сдачу весьма полезное осложнение перенапряжения на коллекторе\стоке и как следствие повышение надёжности.

[Sokrat 4]

Если сконструировать выходную цепь так чтобы она начиналась с приличного (для данного напряжения и мощности) конденсатора то можно потерять несколько процентов КПД получив на сдачу весьма полезное осложнение перенапряжения на коллекторе\стоке и как следствие повышение надёжности.

Может снижения???

[Terehov 0]

Да, мне тоже видится что 80 мс для защиты это очень медленно, в особенности когда речь идёт о 1 ГГц и немаленькой мощности.

Полностью согласен с предыдущими ораторами: если транзистор попадёт в пучность напряжения стоячей волны то жить ему останется недолго - как правило десятки-сотни наносекунд. Также влияние имеет добротность выходной цепи и то с чего она начинается. Если сконструировать выходную цепь так чтобы она начиналась с приличного (для данного напряжения и мощности) конденсатора то можно потерять несколько процентов КПД получив на сдачу весьма полезное осложнение перенапряжения на коллекторе\стоке и как следствие повышение надёжности.

80 мс вполне рабочая величина. Снижение ее на порядок, что возможно, кардинально ситуацию не изменит. В случае перегрузки по напряжению транзистор все равно "сгорит". Иногда для защиты от перенапряжения в затвор и сток ставят специальные ВЧ ограничительные диоды, способные в течение десятков мс выдерживать перенапряжения. А за это время уже начинает отрабатывать обычная защита.

Да, по конструированию выходной цепи начинающейся с емкости - думаю, что это нецелесобразно. Нецелесобразно по причине неопределенности предстоящего рассогласования. Возможны случаи когда эта емкость "срезонирует" и эффект будет обратный.

[Sokrat 4]

Транзистор LDMOS, 1 ГГц, 30 Вт. Защита срабатывает за 80 мс, транзистор не сгорает.

Если 1 сек, то это хорошо.

И всё-таки, можно взглянуть как построена схема защиты?

[790 0]

Защита построенная на направленном ответвителе.

 

Сам транзистор довольно стойкий.

 

Capable of Handing 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 940 MHz, 48 Watts CW Output Power(3 dB Input Overdrive from Rated Pout)

Stable into a 5:1 VSWR. All Spurs Below -60 dBc @ 1 mW to 30 Watts CW Pout.

 

Наверное лучше циркуляторов ничего не придумать.