790 0 4 июля, 2015 Опубликовано 4 июля, 2015 · Жалоба Здравствуйте. Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование xx? Находил информацию 10-20 мкс и 1-2 с. Разница большая. В даташитах не пишут. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ser_aleksey_p 0 4 июля, 2015 Опубликовано 4 июля, 2015 · Жалоба Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование xx? Глазом моргнуть не успеешь :blink: , как придется покупать новый. Надеюсь, речь идет о больших мощностях. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
790 0 5 июля, 2015 Опубликовано 5 июля, 2015 · Жалоба Глазом моргнуть не успеешь :blink: , как придется покупать новый. Надеюсь, речь идет о больших мощностях. Это понятно) Нужны цифры. Мощность 30-50 Ватт. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
l1l1l1 0 5 июля, 2015 Опубликовано 5 июля, 2015 · Жалоба Это понятно) Нужны цифры. Мощность 30-50 Ватт. для обычных применений безразлично, гибнет ли транзистор мгновенно, или в течение долей секунды, и производитель это время ни определять, ни указывать в даташитах не будет. наверняка интересующее время зависит и от частоты сигнала, и от типа транзистора. поэтому, если даже кто-то и имеет цифру, то вряд ли совпадут с вашими его мощность, частота и тип транзистора. и раз уж вам для ваших целей это важно, придется вам самому организовывать эксперимент, проводить измерения и определять это время. после того, как вы проведете эти эксперименты, было бы любезно с вашей стороны поделиться здесь результатами ваших экспериментов. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
saab 2 5 июля, 2015 Опубликовано 5 июля, 2015 · Жалоба Здравствуйте. Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование xx? Находил информацию 10-20 мкс и 1-2 с. Разница большая. В даташитах не пишут. Ээ, до Канадской границы успеем :laughing: Есть еще вторичный пробой. Кстати не указали тип BJT или PHEMT или FET какой. Между прочим существенная разница. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Terehov 0 6 июля, 2015 Опубликовано 6 июля, 2015 (изменено) · Жалоба Здравствуйте. Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование xx? Находил информацию 10-20 мкс и 1-2 с. Разница большая. В даташитах не пишут. В некоторых ТУ на мощные отечественные транзисторы, в методике, где описывается как измерить такой параметр как работа на рассогласованную нагрузку, указывается время 1 сек. Причем речь идет о работе не на ХХ или КЗ, а на КСВ = 20(15). Изменено 6 июля, 2015 пользователем tsww Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
790 0 6 июля, 2015 Опубликовано 6 июля, 2015 · Жалоба Транзистор LDMOS, 1 ГГц, 30 Вт. Защита срабатывает за 80 мс, транзистор не сгорает. Если 1 сек, то это хорошо. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Terehov 0 6 июля, 2015 Опубликовано 6 июля, 2015 · Жалоба Транзистор LDMOS, 1 ГГц, 30 Вт. Защита срабатывает за 80 мс, транзистор не сгорает. Если 1 сек, то это хорошо. Важно понять характер рассогласования - если рассогласование приводит к увеличению тока стока, то транзистор это выдерживает достаточно долго, если же к перенапряжению, то процесс пробоя занимает десятки наносекунд. Кроме того не стоит забывать и о области безопасной работы - это зависимость связывающая безопасный ток и напряжение. Обычно завязана на величину максимальной рассеиваемой мощности, т. е. произведение тока и напряжения не должно превышать эту мощность. При больших напряжениях имеет ограничение. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
mepavel 0 6 июля, 2015 Опубликовано 6 июля, 2015 · Жалоба Важно понять характер рассогласования - если рассогласование приводит к увеличению тока стока, то транзистор это выдерживает достаточно долго, Достаточно долго - это от нескольких десятков микросекунд до долей секунды. В зависимости от того за какое время температура в активной области кристалла достигнет критической (максимально допустимой). Определяется тепловым импедансом транзистора, температурой корпуса и рассеиваемой мощностью на транзисторном кристалле. На некоторые транзисторы в документации приводятся импульсные ОБР или, что более информативно, семейство характеристик теплового импеданса от времени и скважности импульса. если же к перенапряжению, то процесс пробоя занимает десятки наносекунд. Иногда даже меньше. Я бы уточнил "необратимого пробоя". Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
RFF-11 0 7 июля, 2015 Опубликовано 7 июля, 2015 · Жалоба Транзистор LDMOS, 1 ГГц, 30 Вт. Защита срабатывает за 80 мс, транзистор не сгорает. Если 1 сек, то это хорошо. Покажите, полуйста схему защиты Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
TheMad 0 8 июля, 2015 Опубликовано 8 июля, 2015 · Жалоба Да, мне тоже видится что 80 мс для защиты это очень медленно, в особенности когда речь идёт о 1 ГГц и немаленькой мощности. Полностью согласен с предыдущими ораторами: если транзистор попадёт в пучность напряжения стоячей волны то жить ему останется недолго - как правило десятки-сотни наносекунд. Также влияние имеет добротность выходной цепи и то с чего она начинается. Если сконструировать выходную цепь так чтобы она начиналась с приличного (для данного напряжения и мощности) конденсатора то можно потерять несколько процентов КПД получив на сдачу весьма полезное осложнение перенапряжения на коллекторе\стоке и как следствие повышение надёжности. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Sokrat 4 9 июля, 2015 Опубликовано 9 июля, 2015 · Жалоба Если сконструировать выходную цепь так чтобы она начиналась с приличного (для данного напряжения и мощности) конденсатора то можно потерять несколько процентов КПД получив на сдачу весьма полезное осложнение перенапряжения на коллекторе\стоке и как следствие повышение надёжности. Может снижения??? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Terehov 0 9 июля, 2015 Опубликовано 9 июля, 2015 · Жалоба Да, мне тоже видится что 80 мс для защиты это очень медленно, в особенности когда речь идёт о 1 ГГц и немаленькой мощности. Полностью согласен с предыдущими ораторами: если транзистор попадёт в пучность напряжения стоячей волны то жить ему останется недолго - как правило десятки-сотни наносекунд. Также влияние имеет добротность выходной цепи и то с чего она начинается. Если сконструировать выходную цепь так чтобы она начиналась с приличного (для данного напряжения и мощности) конденсатора то можно потерять несколько процентов КПД получив на сдачу весьма полезное осложнение перенапряжения на коллекторе\стоке и как следствие повышение надёжности. 80 мс вполне рабочая величина. Снижение ее на порядок, что возможно, кардинально ситуацию не изменит. В случае перегрузки по напряжению транзистор все равно "сгорит". Иногда для защиты от перенапряжения в затвор и сток ставят специальные ВЧ ограничительные диоды, способные в течение десятков мс выдерживать перенапряжения. А за это время уже начинает отрабатывать обычная защита. Да, по конструированию выходной цепи начинающейся с емкости - думаю, что это нецелесобразно. Нецелесобразно по причине неопределенности предстоящего рассогласования. Возможны случаи когда эта емкость "срезонирует" и эффект будет обратный. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Sokrat 4 10 июля, 2015 Опубликовано 10 июля, 2015 · Жалоба Транзистор LDMOS, 1 ГГц, 30 Вт. Защита срабатывает за 80 мс, транзистор не сгорает. Если 1 сек, то это хорошо. И всё-таки, можно взглянуть как построена схема защиты? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
790 0 10 июля, 2015 Опубликовано 10 июля, 2015 · Жалоба Защита построенная на направленном ответвителе. Сам транзистор довольно стойкий. Capable of Handing 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 940 MHz, 48 Watts CW Output Power(3 dB Input Overdrive from Rated Pout) Stable into a 5:1 VSWR. All Spurs Below -60 dBc @ 1 mW to 30 Watts CW Pout. Наверное лучше циркуляторов ничего не придумать. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться