Ydaloj 0 11 августа, 2014 Опубликовано 11 августа, 2014 · Жалоба Plain, так же мило, как и потери в меди: ширина платы 6,5см - это длина проводника от вх плюса к вых плюсу ширина дорожки - полплаты, пусть дублируется с другой стороны - полплаты плюс полплаты = одна ширина платы = 30мм толщина меди 35мкм - сечение проводника 1кв.мм - ток 70А - ро меди мы все знаем - тепловыделение 5,2Вт если толщина меди 70мкм, тепловыделение в 2 раза меньше, но всё равно - 2.5Вт - и это только с плюсовой дорожки. Минусовая такая же. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MegaElektronik 0 11 августа, 2014 Опубликовано 11 августа, 2014 · Жалоба Порог защиты 50 мА? С учётом размера темы, выглядит на редкость мило. Почему 50 мА? Ах... да! Я я то думаю что какое малое сопротивление. Подумаешь три порядка потерял . Вот: Rds_on(75 гард.С)=0.00125/3=0.00042 Ом примем: Iзащ=100А, тогда Uds=100*0,00042=0,042 В Irvds = 1 мА = 0,001 А (точка срабатывания компаратора). итого: Rvds = Uds/Irvds = 0.042/0.001 = 42 Ом. Для двух транзисторов 62,5 Ом. Plain, так же мило, как и потери в меди: ширина платы 6,5см - это длина проводника от вх плюса к вых плюсу ширина дорожки - полплаты, пусть дублируется с другой стороны - полплаты плюс полплаты = одна ширина платы = 30мм толщина меди 35мкм - сечение проводника 1кв.мм - ток 70А - ро меди мы все знаем - тепловыделение 5,2Вт если толщина меди 70мкм, тепловыделение в 2 раза меньше, но всё равно - 2.5Вт - и это только с плюсовой дорожки. Минусовая такая же. Дааа.... что то тут надо делать... Думаю пропаивать толстым проводом сечением около 1 мм2, штуки по 3 на каждой стороне. Спасибо Вам за замечания!!! На обратной стороне предусмотрел доп провода, а теперь вижу и на top-е тоже надо. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MegaElektronik 0 11 августа, 2014 Опубликовано 11 августа, 2014 (изменено) · Жалоба Такая версия ПП: Размеры 71*31 мм. Места вскрытия маски будут пропаяны проводом 1-1,5 мм (0,8-1,8 мм2). Изменено 11 августа, 2014 пользователем MegaElektronik Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Ydaloj 0 12 августа, 2014 Опубликовано 12 августа, 2014 · Жалоба я монтаж сделал бы медными шинами, закреплёнными на печатной плате. ключи выбрал бы в более крупном корпусе - у него механическая прочность выше, например IRF1324. Не забывайте, что к плате будут подведены толстые провода, которые будут всяко жёстче, чем печатная плата. И все возможные изгибы будут приходиться именно на неё. А у вас там SMD. Если проблемы с медью, то купите, не знаю, медной трубы кусок, что ли. и разрежьте её. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MegaElektronik 0 15 сентября, 2014 Опубликовано 15 сентября, 2014 · Жалоба Отчитываюсь. Но ток пока 10А (вопрос по блоку питания и по нагрузке). Медь 35мкм. Сопротивление по полюсу на меди 0.9 мОм. Сопротивление по минус на меди 0.7 мОм. Сопротивление трёх транзисторов 0.32 мОм. Т.е. одного 1.07мОм. Транзистор PSMN1R0-30YLC. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MegaElektronik 0 15 сентября, 2014 Опубликовано 15 сентября, 2014 (изменено) · Жалоба Продолжу... Напаял круглый медный провод диаметром 1.4 мм. См. рисунки выше. На + пять проводков и по входу и по выходу. На - три проводка. Итого: По полюсу 0.46 мОм По минус 0.34 мОм На транзисторах как и было 0.32 мОм. Но! Есть неоднозначность сопротивления на клеммах. В планах сделать нормальные клеммы, а не тяп ляп как сейчас. Изменено 15 сентября, 2014 пользователем MegaElektronik Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MegaElektronik 0 17 сентября, 2014 Опубликовано 17 сентября, 2014 · Жалоба При 43 А платка нагревается примерно на 20 - 25 градусов. При таком токе пришлось в затвор транзисторов поставить 10 Ом вместо 0, иначе происходили перезапуски микросхемы. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Aner 3 17 сентября, 2014 Опубликовано 17 сентября, 2014 · Жалоба Это из-за суммарной емкости 3 шт затворов под 21nF!, микросхема едва тянет. 10 Ом каждому немного спасают, увеличив до 30...50 Ом будет получше. Но все равно, надёжность низкая. Нужно вам подумать о распределении этой коммутащионной емкости. Провод можно и 3mm брать, ещё лучше медную оплетку с оловом запаять в этих местах. Да и расстояние можно сократить было вдвое, тогда с сопротивлением былоб совсем хорошо. Да еще, база транзистора перед драйвером должна быть к земле привязана. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Ruslan1 16 19 сентября, 2014 Опубликовано 19 сентября, 2014 · Жалоба У меня близкая задача (Коммутация батарей 24 V, 80 Ампер, горячий резерв), думаю вопрос в рамках топика: Не могу понять, у модулей, например IXYS, основание к какому-то сигналу подключено? Его не нужно от шасси, к которому прикручиваю, изолировать ? Там картинка такая: Очень мне нравиться M4 закручивать, а не непонятно как припаиваться, да и крепление к шасси достойное. Но про основание и его подключение к внутреннему кристаллу транзистора в даташите ни слова. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 169 19 сентября, 2014 Опубликовано 19 сентября, 2014 · Жалоба в даташите ни слова VISOL ... не непонятно как припаиваться Тогда проще обычными транзисторами набрать. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Ruslan1 16 19 сентября, 2014 Опубликовано 19 сентября, 2014 · Жалоба Plain, благодарствую! Спасибо большое! Про "набрать обычными транзисторами"- это как раз то что я не понимаю и не хочу. Как мой 4 AWG проводочек к контакту типа "гайка M4" прикрутить я еще понимаю. А как к TO-220 это 4 AWG (ну, пусть хоть 8 AWG) приматывается- любопытно, но делать не буду. По-моему, замечательный модуль за свои деньги, и крепление подходящее (200 A в даташите). Не уверен что самопал при штучном производстве лучше выйдет. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
perfect 0 21 сентября, 2014 Опубликовано 21 сентября, 2014 · Жалоба А как к TO-220 это 4 AWG (ну, пусть хоть 8 AWG) приматывается- любопытно, но делать не буду. Примерно наподобие как на картинках топикстартера, но TO220 формовать и припаивать как TO252 :) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
HardEgor 66 25 сентября, 2014 Опубликовано 25 сентября, 2014 · Жалоба Но про основание и его подключение к внутреннему кристаллу транзистора в даташите ни слова. Основание изолировано. В даташите фраза "with Aluminium Nitride Isolation" об этом говорит. Косвенно еще есть "Isolation Voltage 2500 V~" - это как раз изоляция кристалл-основание. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться