[-Mike- 0]

В импульсных схемах на входе транзистора с выходной логики ставят резистор с параллейно включенным конденсатором + резистор, параллейно цепи Б-Э. Это позволяет ускорить открывание и рассасывание.

Но, конечно, транзисторы должны иметь хорошие импульсные характеристики.

[Меджикивис 0]

Это мало! Порядка 0.7В - само прямое падение на переходе БЭ.

Да. Но при каком токе? - при 20..30mA. Но токи в базу даже для насыщения - гораздо меньше. На них падение составит 0.4 - 0.5V

Так что для полного открывания (с 1.5 кОм в коллекторе) - с лихвою достаточно.

 

Оптимально, как предлагал ув. тау, порядка 330 - 680 Ом.

Более 2 вольт на базу? - неее, не соглашусь. Тут уже имеем перегруз, далекий от оптимума.

 

Ещё вариант - диод развернуть катодом не к эмиттеру, а к ножке контроллера, т.е. поставить его параллельно базовому резистору. Тому, который 400 Ом.

И не дай бог, диод тоже будет кремниевым, с падением на нем того же порядка, что и на базе. Если он и окажется открыт, то чуть-чуть, и практически ничего не добавит к оттоку заряда.

 

 

 

[muravei 3]

Вопрос 1: какой метод лучше?

Вопрос 2: какой минимально достаточен?

 

2

[карабас 0]

А форсирующая цепь, как в учебнике? О было уже, плохо почитал.

Изменено 11 октября, 2012 пользователем карабас

[proba60 0]

У меня вот такая схема:

 

 

С контроллера я подаю ШИМ 118 кГц DC=50% размах 0...3.4 В.

Потом я смотрю напряжение на коллекторе и вижу следующее:

 

 

Мне не понятно почему изменился DC ШИМ-а?

Транзистор я взял BC-817, он может работать на частотах до 10 МГц.

По моем у мнению, тогда на 120 кГц должно быть все отлично.

Условия для транзистора в схеме ,по моему, идеальные...

Так посему же изменился DC ?

 

Заранее всем большое спасибо за ответы.

 

...я сделал бы так

 

[iltch 0]

to proba60:

 

Хотелось бы что бы вы чуть-чуть поподробнее рассказали назначение дополнительных элементов в схеме.

Почему именно так.

 

P.S: думаю что мне , все же такой, вариант не подойдет. У меня питание батарейное и каждый миллиампер на счету.

[xemul 0]

Назначение? Ну просто красиво.

 

Если "каждый миллиампер на счету", почему Вы используете биполярный транзистор, а не полевой?

И, даже если биполярный, зачем на 2 мА нагрузки использовать тормозной BC817?

 

Если на BC817 что-то клином сошлось, бюджетное и проверенное десятилетиями решение Вам уже предложили - ограничить степень насыщения транзистора диодом между базой и коллектором.

Во времена, когда "диод Шоттки" был не более чем словосочетанием, резистор в базе иногда разделяли на два и включали диод в их среднюю точку, чтобы уж наверняка не впасть в насыщение.

 

Не стесняйтесь использовать программы моделирования - такие мелочи они Вам покажут без натурного эксперимента.

[proba60 0]

Назначение? Ну просто красиво.

Можно бороться с насыщением сливая лишний базовый ток через диод шоттки в колектор(в момент открытия),

а можно прикладывая в момент закрытия отрицательный потенциал к базе что ускорит закрытие транзистора.

На картинке напряжение эмитер -база

Изменено 12 октября, 2012 пользователем proba60

[xemul 0]

[Alexashka 0]

Никаких "странностей" моделирование не показывает. Все вполне неплохо -открывание 30нс, закрывание 90нс. С одним токоограничивающим резистором в базе.

70 Ом -эквивалент выходного сопротивления драйвера (ток короткого замыкания=47мА)

[SmarTrunk 0]

Можно бороться с насыщением сливая лишний базовый ток через диод шоттки в колектор(в момент открытия),

а можно прикладывая в момент закрытия отрицательный потенциал к базе что ускорит закрытие транзистора.

Очень хорошее объяснение. Мне еще понравился вариант с конденсатором, параллельно базовому резистору, т.к. это позволит быстро открыть, но сохранить небольшой ток б-э.

Вообще, интересно, для чего эта схема. Тогда можно было бы еще подумать.

 

[тау 29]

Никаких "странностей" моделирование не показывает.

потому что спайс моделирование рассасывания заряда в базе - затея с заведомо неверным результатом в подавляющем большинстве случаев.

Нельзя рассчитывать на достоверность полученного времени выхода из насыщения.

 

[Alexashka 0]

потому что спайс моделирование рассасывания заряда в базе - затея с заведомо неверным результатом в подавляющем большинстве случаев.

Нельзя рассчитывать на достоверность полученного времени выхода из насыщения.

Интересно. А в чем причина Вы считаете -модель неадекватная или ее параметры?

[тау 29]

Интересно. А в чем причина Вы считаете -модель неадекватная или ее параметры?

модель еще более-менее , гумеля-пуна. А вот экстракция параметра TR (Ideal reverse transit time) задача весьма непростая, в простейшем случае сводящаяся к прямому осциллографическому измерению ( по методике Аджилента). А то что удачно вышло для одного режима выключения , будет совсем неудачно для другого, что и наблюдается.

[skyvmicro 0]

Интересно. А в чем причина Вы считаете -модель неадекватная или ее параметры?

 

 

Посмотрите чему равно значение параметра TR для модели транзистора.

В OrCAD16.3 TR = 2.600N для BC817_1 .

С этим транзистором узел работает замечательно.

Что здесь удивительного?

Что заложили в модель, то и получили.