Перейти к содержанию
    

IlCF

Участник
  • Постов

    167
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Весь контент IlCF


  1. По-моему, ваша рекомендация идёт вразрез со всем мной прочитанным. В большинстве источников пишут, что у ЦАП AGND и DGND должны быть объединены (при условии не экстремального цифрового токопотребления). И почему AGND нужно размещать ближе к PCI? По-моему, главным условием является кратчайший путь между земляными полигонами, расположенными под корпусами микросхем, к которым непосредственно и присоединяются выводы земли (их несколько и у ЦАП, и у контроллера, как и входных конденсаторов питания), и чтобы по этому кратчайшему пути не бегали "посторонние" токи обвязки ЦАПа и контроллера.
  2. Всех приветствую! Разбираюсь с разводкой простой аудиоплаты PCI и возник такой вопрос. Как развести земли, если ЦАП тактируется от PCI-аудиоконтроллера? Согласно моему пониманию, как-то вот так: Но возникает вопрос: не повлияет ли узкая перемычка между землями на возвратный ток тактового сигнала и, соответственно, на сам сигнал? Смотрел парочку заводских "двухмикросхемных" звуковых карт, правда, из ультрабюджетных - там, по-моему, вообще никакого разделения земель нет, всё пустое пространство залито сплошным или сетчатым полигоном. То ли так и нужно, то ли это пример плохой разводки. В пользу второй версии говорит тот факт, что на одной из плат даже конденсаторы на кварце подсоединены к такой точке земли, что от выводов земли генератора микросхемы до этих конденсаторов ведет петля сантиметров в 10, собирающая по пути все возможные возвратные токи. В итоге, как всё-таки правильно?
  3. В варочной панели вышло из строя реле HF152F-T 012-1HT(610). Согласно даташиту, цифры в скобках - это "customer special requirements". Что это могут быть за специальные требования? Я в том смысле, может ли там быть нечто принципиальное - расстояния между выводами, нагрузочная способность и т.п.? Или это что-то вроде нашей приёмки заказчика? Потому как найти в розницу реле с точно такими же "customer special requirements" не представляется возможным, а покупать придётся через интернет и проверить те же межвыводные расстояния при покупке не получится. И в догонку ещё один вопрос. HF152F-T означает, что реле пригодно для расширенного диапазона температур (до 105 C). Соответственно, у него нормирован ток для этой температуры (10А). А вот у реле без буквы "Т" ток нормирован только для 85 С, но составляет при этой температуре те же 16А. Насколько допустимо использование реле на 85 С, если температура в отсеке, где оно работает, не поднимается выше 50-60 градусов? Заранее спасибо.
  4. Всем большое спасибо за ответы! Буду ставить NP0.
  5. Всех приветствую! Развожу плату для TL494 на SMD. Дошёл до частотозадающего конденсатора (с вывода 5 на землю) и задался вопросом: а можно ли ставить туда керамику NP0? И если нельзя, то что ставить? С плёночными конденсаторами в SMD не сталкивался - есть ли вообще такие? Или в случае плёночного паять на площадки обычный выводной? Тогда, учитывая относительно немалые габариты в высоту и массу плёночного конденсатора, возникнет, по-моему, опасность его отрыва вместе с фольгой при ударных нагрузках. Ну и помехи он будет ловить больше, чем керамика, учитывая, что обратная сторона платы будет сплошной землей, а керамичесчкий SMD-конденсатор будет расположен к ней в разы ближе.
  6. Спасибо! Я отчего-то считал, что плотность тока экспоненциально стремится к нулю при l=толщина_скин-слоя. Но, в любом случае, снижение даже в е раз уже очень сильно влияет, особенно если провода взяты "впритык" по постоянному току. Т.е. получается, что фактически степень влияния скин-эффекта ещё и от типа преобразователя зависит? Понял, спасибо. И за ссылку спасибо - буду читать. А фольга, конечно, штука хорошая. Например, для стандартного сердечника Ш20х28 ширина катушки составляет 40 мм, что при толщине фольги 0,1 мм даёт 4 кв.мм., что по сечению эквивалентно проводу диаметром 2.24 мм, только с минимизированным скин-эффектом.
  7. В описаниях всяких ИИП для самостоятельного изготовления, особенно сварочных, часто вижу применение обмоточных проводов диаметром >1.5мм, а то и вообще медной шины. Но даже самая простая оценочная формула для меди говорит о том, что уже на частоте 25 кГц толщина скин-слоя составляет менее 0,5 мм, т.е. применение проводов диаметром более 1 мм вроде как вообще нецелесообразно. Почему же применяют? От неграмотности? Но эти конструкции вроде как нередко профессиональные инженеры сочиняют. При этом во всех заводских трансформаторах на более-менее большие токи (например, БП компьютера), которые я видел, намотка сделана в несколько проводов. На днях раскрутил заводской сварочный инвертор - его трансформатор тоже намотан множеством тонких (где-то по 0,5-06 мм) проводов. Как всё-таки правильно? И почему не "плавятся" провода по 2,5мм в сварочниках на 40 кГц и 150-200 А? Возможно, большая плотность тока в поверхностном слое несколько компенсируется эффективным отводом тепла с поверхности и одновременно через внутренний объём, ток по которому практически не протекает?
  8. По-моему, там у вас несколько про другое. Либо я чего-то недопонимаю - тогда был бы признателен за разъяснения.
  9. Тогда возникает вопрос с длительностью протекания этого тока, т.е. запасённая за какой период времени энергия будет сбрасываться через диод. А если, допустим, мост резонансный и на момент закрытия ток будет примерно нулевой? Тогда, получается, никакого выигрыша и не получится?
  10. Измерять мне пока не на чем - моста ещё нет. И насчёт посчитать я тоже несколько затрудняюсь. По идее, ток через диоды течет только в течение мёртвого времени - пока другая диагональ моста не открылась. Но вот сколько конкретно его там протекает - вопрос. Преобразователь обратноходовый, следовательно (насколько я понимаю), энергия, запасённая в трансформаторе на момент закрывания транзисторов, не равна энергии, "закачанной" туда в период открытого состояния транзисторов. Я ещё только изучаю ИИП и потому многие вопросы для меня туманны - прошу прощения. Насколько я понимаю, при ёмкостях IGBT (или мощных MOSFET) в нанофарады даже несколько десятков пикофарад из-за корпуса диода роли не сыграют. Кроме того, даташиты говорят о том, что наличие встроенного диода на ёмкости действительно не влияет, зато влияет на скорости и энергии переключения: Полагаю, что влияние внешнего диода будет меньшим хотя бы за счёт того, что ток через диод и через транзистор будет проходить по несколько разным путям, а в случае встроенного диода ток всегда проходит через выводы транзистора.
  11. И если это не слишком большой секрет - что показали результаты моделирования? :rolleyes: А почему именно Шоттки? Или вы планировали применить данный подход для транзисторов, у которых есть свой встроенный диод?
  12. Добрый день! Существуют одинаковые транзисторы IGBT, отличающиеся только наличием обратного диода, например - IRG4PC50U и IRG4PC50UD. У меня возникла идея для снижения тепловой нагрузки на кристаллы транзисторов использовать в полномостовом инверторе транзисторы без встроенного диода, а диоды подключить внешние. Насколько я понимаю, тепловыделение корпуса транзистора складывается как из тепловыделения самого транзистора, так и тепловыделения диода. Не знаю, каково соотношение между ними, но даже если на диоде выделяется в 10 раз меньше тепла, то вынесение даже этих 10% тепла за пределы корпуса в любом случае даст прибавку надёжности. При этом для внешних диодов не потребуются дополнительные радиаторы - печатные дорожки, ведущие к коллектору и эмиттеру IGBT, имеют очень большую площадь, а потому могут служить естественным радиатором для диодов в D2PAK (а при желании можно и ТО-220 припаять). Это разгрузит радиаторы транзисторов и улучшит их тепловой режим. Кроме того, включив, к примеру, параллельно два MUR1560, мы получим существенно меньшее прямое падение напряжение (~0,3В) в сравнении со встроенными диодами, что при среднем токе в 20 А даёт сокращение рассеиваемой мощности 4х6W. Помимо этого, внешний диод будет работать при меньшей температуре, чем встроенный в корпус транзистора, следовательно, дерэйт его параметров по току и др. тоже будет меньшим. Так же, возможно (но в этом я совсем не уверен), внешний диод допустимо взять на меньшее обратное напряжение, более соответствующее реально присутствующему в схеме - насколько я понимаю, если полный мост питается от 310 В, то это напряжение распределяется между двумя последовательно включенными диодами (правда, при условии синхронного закрывания транзисторов). Если это так, то вполне допустимо применение диодов на 200 В, которые в общем случае имеют меньшее прямое падение и более быстрые. Подскажите, пожалуйста, верны ли мои рассуждения и если не верны, то в чём и почему? P.S. Вопросы +/-10% к себестоимости для меня не особо актуальны, т.к. я радиолюбитель и делаю всё в единственном экземпляре и преимущественно с целью получения удовольствия от самого процесса
  13. Ваша схема работает неправильно вследствие того, что в ней неправильно, на мой дилетантский взгляд, почти всё. И по-моему, вы не только не понимаете, как работает усилительный каскад, но и не понимаете базовых вещей, типа законов Ома и Кирхгофа. Вы уменьшили Rny, чтобы увеличить ток делителя и теперь он у вас 48 мкА вместо 25 мкА в предыдущем варианте схемы. Такое увеличение тока ничего не даёт, от слова вообще, ибо, упрощённо, ток делителя смещения должен в 10 раз превышать базовый ток транзистора. При этом, изменив номинал только верхнего резистора, вы изменили напряжение делителя, что, в свою очередь изменило (увеличило на неопределенную величину) ток покоя транзистора. Всё, порочный круг замкнулся. Несогласованность выходного сопротивления каскада на Q2 с регулятором тембра вы решили побороть уменьшением коллекторного резистора в 8 раз (снизить выходное сопротивление). Коэффициент усиления, который тоже в 8 раз снизился, вас не интересует? Номинал конденсатора связи Cp2 в 200 пФ чем обусловлен? На частоте 400 Гц он имеет реактивное сопротивление 2 МОм, а входное сопротивление каскада на Q2 на порядок меньше. И это только то, что видно сразу, без детального вникания. P.S. Не в обиду, мне просто интересно: какой у вас средний балл? Для вас этот предмет - профильный?
  14. Я не большой схемотехник, но по-моему номиналы пассивных элементов тоже нужно проверить - некоторые из них бредовые. Например, делитель смещения Q2. Напряжение, которое он должен (да не обязан) выдавать на базу, составляет Uб=(13,5 В/(430 кОм + 110 кОм)) * 110 кОм = 2,75 В. Это значит, что на эмиттере будет ~2 В. Значит, ток через Rny4 и Rny5, т.е. ток покоя транзистора Q2, будет Iэ = 2 В / 750 Ом = 2,67 мА. Принимая минимальный статический коэффициент передачи тока базы за 100, получаем, что ток базы в этом случае - 26мкА. А ток базового делителя Rny1-Rny2 составляет Iдел = 13,5 В / (430 кОм + 110 кОм) = 25 мкА. Выводы о режиме такого каскада делайте сами. Про регулятор тембра уже сказали - его номиналы точно так же не согласуются с выходным сопротивлением каскада на Q2. Просто сравните хотя бы активное сопротивление этого регулятора с выходным сопротивлением каскада ОЭ. Ну и "апофигей" всего - развязывающий резистор Rф. Посчитайте падение напряжения на нём от тока покоя Q2 (2.67 мА) и ужаснитесь. И это без учёта тока покоя Q3!
  15. Угу. А потом такие, как я - радиолюбители-дилетанты, - сидят и не могут понять, почему в заводском устройстве, т.е. разработанном вроде как профессионалами, плата разведена как-то, мягко говоря, странно...
  16. Убирать его придётся постоянно, из-за теплового дрейфа. Что касается пробника, то есть несколько соображений: 1. без входного делителя он будет моментально "убиваться" при подаче на вход напряжения более +Uи.п. - p-n-переход откроется, а ток ничем не ограничен; 2. повторитель на полевике более-менее линеен в пределах +/- несколько вольт по входу и делитель позволяет расширить диапазон входных напряжений; 3. согласованную нагрузку ваш повторитель не потянет, а в случае высокоомной нагрузки конденсатор, эмулирующий суммарную ёмкость кабеля и осциллографа, должен быть 100-150 пФ, а не 15 пФ. Никаких 227 МГц в этом случае уже и близко не будет; 4. полагаю, что даже с уточнённым эмиттерным резистором 2 кОм передний и задний фронты прямоугольных импульсов будут заметно отличаться по крутизне; 5. я, к сожалению, совсем не специалист по анализу устойчивости, но межкаскадная ООС с СВЧ-транзисторами меня пугает.
  17. Цель создания пробника - пользоваться этим пробником, получая более достоверные результаты, чем пассивным делителем 1:10.
  18. AnatolyT, защиту в принципе можно и поставить. Посмотрел тут повнимательнее зависимость ёмкости для 1N4148 - получается, что при изменении напряжения на затворе -5..+5 В ёмкости диодов меняются мало да и по абсолютному значению невелики: Что касается волнового сопротивления кабеля, то AD811 адаптирована к нагрузке 150 Ом (дважды согласованный 75-Омный кабель), а 50+50 Ом для неё уже маловато.
  19. Да, само собой - и R1C1, и катушка-обкладка должны быть в экранированном корпусе. Хотел было вам сходу возразить, что ничего не получится, т.к. диапазон перестройки будет мал, да решил воспользоваться калькулятором :rolleyes: Тут получается два случая: первый - это если верить симулятору и считать, что входная ёмкость полевика ~0,7pF, а второй - если верить даташиту и считать, что эта ёмкость ~3pF. В первом случае если последовательно с имеющимися у меня подстроечниками 4-15pF включить конденсатор 1pF, то диапазон перестройки составит примерно 0,8-0,9pF, чего, вероятнее всего, будет недостаточно. а вот во втором случае совместно с конденсатором 3,9pF диапазон перестройки составит примерно от 2 до 3,1pF, что уже неплохо (при необходимости можно добавить конденсатор 1pF в параллель). Попробовал поскручивать проволочки (лакированный провод неизвестной марки ~0.1мм) на измерителе ёмкости. Жгут длиной примерно 2 см даёт ёмкость порядка 2pF. Однако, эта ёмкость очень чувствительна к любым самым ничтожным изменениям геометрии: просто согнув скрученный жгут буквой "Г" я изменил ёмкость на 0,3pF. Возможно, для стабилизации ёмкости жгут следует проклеить каким-нибудь лаком, а потом отрезать от него ножницами маленькие кусочки и таким образом производить регулировку. Вот как раз для того, чтобы её можно было пропаять и она поменьше ёрзала и меняла ёмкость конденсатора (см. предыдущий пункт).
  20. Вас смущает применение 75-омного кабеля? Я планирую использование пробника с осциллографами с высокоомным входом при помощи коаксиального T-тройника с 75-омным терминатором. Возможно, этот номер и не пройдёт - теоретически реактивная составляющая входного сопротивления осциллографа может сыграть негативную роль. Если так и произойдёт, то буду придумывать активное согласующее устройство. Насколько мне известно, современные JFET боятся статического не сильно больше, чем биполярные транзисторы. Кроме того, прежде, чем касаться щупом каких-либо цепей, исследуемое устройство подсоединяется к щупу общим проводником (во всяком случае, я делаю именно так).
  21. Всем огромное спасибо за массу советов! По моему дилетантскому мнению, варианты с большими полигонами на ПП нехороши тем, что эти самые полигоны образуют ёмкость не только между собой, но и с экранировкой корпуса или, если корпус не экранировать - с рукой и т.п. Короче, по-моему, они будут ловить наводки, тем более, что в работающем приборе источников наводок немало. Вероятно, могут даже создать ёмкостную связь с выходом, что приведет к самовозбуждению. Пилить пикофарадный конденсатор - не так и плохо, по-моему, но настройка только в одну сторону. А вот штырёк с намотанным на него проводом - это интересно. Только я бы лучше сделал так: На иглу надел трубку из фторопласта или термоусадку (правда, неизвесно, какие у термоусадки диэлектрические характеристики на ВЧ), а поверх намотал луженой проволоки. Как только получится требуемая ёмкость, проволоку можно пропаять.
  22. Устройство не серийное, а для собственных надобностей. Так что заранее рассчитываю на то, чтобы помнить про максимально допустимое входное напряжение. В принципе, оно не такое уж и маленькое - до 30 В между затвором и истоком/стоком (в запирающей полярности), а учитывая входной делитель 1:2 - и того больше. А в открывающей полярности транзистор не сгорит опять же из-за делителя - резистор R1 ограничивает ток через открытый p-n-переход. Правда, если открывающее напряжение будет высокочастотным - тогда да, может сгореть. Понял, спасибо! Что касается ADA4817, то посмотрел даташит - крутая конечно. Входных токов практически нет, да и смещение маленькое и термостабильное. Однако, у неё очень небольшие напряжения питания, что ограничивает допустимый размах входного сигнала, и нагрузочный ток 20 мА против 100 мА у AD811. Мне AD811 понравилась как раз тем, что 10 В на нагрузке 150 Ом - это штатный режим, для которого в даташите даже осциллограмма ПХ приведена. Но на будущее ADA4817 буду держать в голове - пригодится, спасибо.
  23. Для себя, в единственном экземпляре. Насчёт кусочка печатной платы - не совсем понимаю конфигурацию и ещё меньше представляю, как его сделать подстроечным. Вот оно куда наука шагнула... Я просто только советские видел, керамические такие Попробую поискать, но с доступностью, действительно, проблема - не факт, что найду такие в рознице. Ну по идее-то да, т.к. ёмкость З-И роли не играет, ибо потенциалы повторяются (хотя, строго говоря, не полностью). Но что тогда за параметр input capacitance из даташита? Я считал, что это параметр, который помимо ёмкостей переходов учитывает и всякие паразитные ёмкости - между выводами и т.п. А в моём случае делителю-то не важно, какой природы ёмкости в транзисторе. Но SPICE-симулятор, действительно, вполне мог и не учитывать паразитные ёмкости, а ограничиться только ёмкостями переходов. Честно говоря, ничего не понял Если защищать затвор, то это, скорее, диодами же надо делать? Но они внесут дополнительную входную ёмкость, да ещё и изменяющуюся (размах напряжения на затворе может быть до нескольких вольт), да ещё и нелинейную.
  24. Вроде бы да, можно и так. Но в этом случае я несколько увеличу входную ёмкость, а главное - по-моему, найти такой подстроечный конденсатор тоже будет проблемой. Минимальные ёмкости из тех, что я видел - 4-15pF, т.е. даже при минимальной ёмкости он больше входной емкости повторителя. Т.о. я сразу увеличу входную ёмкость в 2 раза, но главное - крутить этот подстроечник придётся на очень малые углы. Например, чтобы "эквивалентно" изменить С1 на 0.1pF при коэффициенте деления 1:2 придётся изменить ёмкость подстроечника всего-то на 0.2pF. Вряд ли это возможно. Во входном делителе С1-73 я видел вот такие оригинальные подстроечные ёмкости: Судя по всему, это что-то нестандартное, но принцип очевиден: винт вкручивается в металлический цилиндр через диэлектрическую проставку. Может быть, есть какие-то подобные конструкции, но попроще?
  25. Во входном делителе осциллографического пробника требуется очень малая ёмкость: При коэффициенте деления 1:2 для транзисторов BF245 она, судя по входной ёмкости транзистора 3pF, должна составить порядка 1.5-2пФ, хотя симуляция почему-то даёт значение 0.7pF. В любом случае, это очень малая ёмкость, притом требующая подстройки с точностью в десятые доли пикофарады. Как её лучше сделать? Может быть, какими-то параллельными дорожками или ещё какими-то хитрыми способами? Или же правильнее будет поставить готовый конденсатор близкой к требуемой ёмкости и под него уже подобрать резистор делителя, а "кривой" коэффициент деления исправить последующим усилителем на ОУ?
×
×
  • Создать...