psygash

А просто GENESISe (а также mdraw, dessis, dios, inspect и др. по отдельности) не работает? У Вас не установлена переменная ISEDB и остальные пути странные. Я приложил свой файл отчета с работающей системы, сравнивайте. Оси у нас одинаковые. ldiag.txt

Для разработки топологии лучше использовать Tanner Tools (есть на фтп). В освоении проще чем тот же Cadence IC, Synopsys Cosmos, Mentor IC Flow. В него также входит SPICE - симулятор T-Spice. Для него даже было рускоязычное руководство какого-то университета. Если Вы освоили дизайн лаб, то согласен с Stariy Alex - лучше переходить на Orcad (последняя версия 15, я использую 10.5). А для разводки топологии с Tannerом можно обмениваться через EDIF. Единственный недостаток оркада - нет поддержки некоторых SPICE-моделей транзисторов (BSIMSOI, BSIM4).

А зачем Вы скрипт generic запускаете? Попробуйте команды: $ GENESISe -@diag $ GENESISe -@ldiag Что они покажут.

А что пишет то? Лицензию правильно установили? Или переменные ISEROOT, PATH, ISEDB может быть неправильно установлены (автоматом не устанавливаются)?

В DESSIS можно вносить новые материалы. Библиотека материалов содержиться здесь: $ISEROOT/tcad/$ISERELEASE/lib/dessis/MaterialDB. Там много файлов с названиями типа материал.par: silicon.par, oxide.par и тд. В каждом файле описаны параметры материала. Можно создать свой файл параметров нужного материала и поместить в эту библиотеку. В командном файле использовать секцию физика типа Physics (material="material") {<physics-body>}. Также можно создать файл типа dessis.par в текущей директории и в нем указать ссылки на файлы параметров: Region = "Region0" { Insert = "Silicon.par" } Region = "Region1" { Insert = "Oxide.par" } Region = "Region3" { Insert = "Oxide.par" } Region = "Region4" { Insert = "Oxide.par" } Region = "Region5" { Insert = "Oxide.par" } RegionInterface = "Region1/Region0" { Insert = "Oxide%Silicon.par" } RegionInterface = "Region4/Region1" { Insert = "Oxide%Oxide.par" } RegionInterface = "Region3/Region4" { Insert = "Oxide%Oxide.par" } RegionInterface = "Region5/Region3" { Insert = "Oxide%Oxide.par" } RegionInterface = "Region5/Region1" { Insert = "Oxide%Oxide.par" } Electrode = "gate" { Insert = "Electrode.par" } Electrode = "source" { Insert = "Electrode.par" } Electrode = "drain" { Insert = "Electrode.par" } Electrode = "substrate" { Insert = "Electrode.par" } В dios помоему добавлять новые материалы нельзя.

Для относительно простых схем лучший выбор - Tanner. Сложные ИС - Cadence IC, Mentor IC Station + Calibre+AMS, Synopsys Galaxy.

DESSIS позволяет проводить малосигнальный AC анализ (в mixed-mode) и анализ переходных процессов. В режиме АС можно получить CV характеристики (пример находиться в Example_Library/GettingStarted/Dessis/advanced_AC).

Ловите книгу по Оркаду (кажется это и есть Разевиг) http://rapidshare.de/files/36368756/orcad_book.zip.html

А в выходном файле что dessis пишет?

А какой у Вас объем оперативки? 7-й tcad для винды имеет такой баг, что прибольших количествах узлов в сетке dessis вылетает с ошибкой "can not reallocate enough space for array wrk", при этом по мониторингу свободной оперативки еще достаточно. Единственное решение проблемы - уменьшать количество узлов, либо упрощать физические модели. В Вашем проекте упрощать дальше нельзя, т.к. и так используется обычная дрейфо-диффузионная модель, разве что убрать Avalanche и Enormal (Enormal лучше убрать в любом случае, т.к. влияние вертикального поля актуально для МОП-структур, а не для биполярных, я добавил его по привычке т.к. работаю с МОПами). Поэтому для начала уменьшите размер структуры, у Вас ее можно разрезать наполовину (сечением в prolyt) по коллектору без потери точности, тем более 2 из 5-ти контактов все равно не используются. Другой путь - создать в MDRAW области Refiniments и в них указать минимальный и максимальный размер ячеек сетки. Кстати, в Linux такой проблемы с памятью нет, а если оперативка забита - начинает свапить. Так что этот баг скорее связан с особенностями менеджера памяти винды. Для вывода вольт-амперных характеристик используеися Inspect. Просто добавте его в проект после dessis и в параметрах укажите запуск в интерактивном режиме. Можно запускать инспект отдельно и открывать файл с расширением .plt (Inspect не требует запуска иксов). Для вывода пространственных распределлений параметров (тех, что указаны в секции plot {}) можно использовать либо picasso, либо tecplot_ise. В них надо загрузить 2 файла - файл сетки .grd, полученный после MDRAW и файл данных .dat, полученных после DESSIS. В tecplot это делается так: в меню Tools, пункт ISE TCAD Tools. Откроется окно, в нем в меню File, Load DF-ISE, выбрать сначала .grd файл и Add to list, затем выбрать .dat файл и Add to list, после Open files.

Командный файл для dessis должен быть примерно такой: File { *input files: Grid="ваш_файл_mdr.grd" Doping="ваш_файл_mdr.dat" *output files: Plot="ваш_файл_des.dat" Current="ваш_файл_des.plt" Output="ваш_файл_des.log" } Electrode { { Name="E1" Voltage=0.0 } { Name="B1" Voltage=0.0 Current=0.0} { Name="K1" Voltage=2.0 } } Physics {AreaFactor=10 Temperature=300 Mobility( DopingDep HighFieldSat Enormal ) EffectiveIntrinsicDensity( BandGapNarrowing(OldSlotboom )) Recombination( SRH(DopingDep) Auger Avalanche(Eparallel)) } Plot { eDensity hDensity eCurrent hCurrent eQuasiFermi hQuasiFermi Potential SpaceCharge ElectricField Doping DonorConcentration AcceptorConcentration SRHRecombination AvalancheGeneration Auger eMobility hMobility eVelocity hVelocity } Math { Extrapolate Derivatives Avalderivatives Notdamped=50 RelErrControl NewDiscretization Iterations=20 Digits=5 } Solve { Poisson Coupled (Digits=5, Iterations=100, Notdamped=100) {Poisson Electron Hole } Quasistationary (InitialStep=1.0e-5 MaxStep=0.01 Minstep=1.0e-6 Goal {name="B1" Current=0.01}) {Coupled{Poisson Electron Hole}} } Электрические воздействия на электроды для получения ВАХ задаются командой goal, поставите, что Вам нужно. Физические воздействия (магнитное поле, механические напряжения, свет, температура) задаются в секции Physics. Насчет порядка запуска - создайте файл для dessis и наверное все станет нормально.

Маловероятно. По крайней мере на Athlon XP 1500 все работает.

1D - одномерное моделирование, только по глубине. Полезно когда требуется подогнать режимы диффузии и имплантации для получения требуемого профиля распределения примесей. 3D - соответственно трехмерное моделирование. Из лигамента эту возможность я никогда не использовал. В большинстве случаев, если Вы не работаете с субмикронными процессами или не моделируете датчики, достаточно двухмерного моделирования. 3D не даст существенного выиграша по точности, зато значительно увеличит время расчета. Что-то я файлов проекта не вижу.

В mdraw надо по нормальному обозвать контакты (т.к. после dios они имеют имена типа 28.area) для того, чтобы потом на них ссылаться в dessis при подаче воздействий. Это делается в boundary editor. Кроме этого в mdraw надо сформировать сетку для приборного моделирования (та, что получилась после технологического моделирования не подходит, т.к. имеет большую избыточность). Это делается в doping editor, кнопочка build mesh. Если сгенерированная сетка получилась слишком грубая, то можно создать области (их может быть много) - refinement, в которых указать минимальное и максимальное значение для размера сетки. Mdraw можно запускать либо в командном режиме (нужен командный файл), либо в интерактивном режиме (командный файл не нужен). Второе более удобно, т.к. все манипуляции с контактами и сеткой производятся в графическом режиме. После создания сетки получатся 2 файла с расширениями .grd и .dat, которые будут использоваться для приборного моделирования. Команда repl(cont()) или replace(control()) используется для установки различных параметров моделирования для dios. В частности ngra=1000 означает, что данные будут отображаться каждые 1000 шагов программы, а maxtrl=3 ограничивает увеличение количества треугольников в сетке на определенном уровне (чем больше значение - тем лучше точность сетки), по умолчанию maxtrl=5. Я поставил этот параметр, чтобы увеличить скорость расчета. Если машина мощная, можете смело увеличивать значение maxtrl. Вообще у команды replace(control()) может быть много параметров, все они описаны в мануале dios. Из полезных параметров MAXV=число - максимальное количество узлов сетки, NewDiff=1 или 0 - если 1 - сетка строится и концентрация примесей вычисляется во всех слоях, если 0 - только в подложке, SiDiff=on или off, если off - диффузия вычисляется для всех слоев (включая окисел и поликремний), если on - только в кремнии.

В лигаменте в меню input-commands с правой стороны иконки основных команд-этапов техпроцесса, их надо мышкой переносить в process flow editor и там указывать параметры команд. В редакторе топологии (prolyt) желательно добавить слой металлизации. Потом переключиться из режима топологии в режим tcad и обозначить сечение, в котором будет проводиться моделирование. В process flow editor в environment указать на это сечение (string region), а также указать симулятор техпроцесса (dios). Для связи топологии с техпроцессом в process flow editor команда mask, где указываются названия топологических слоев. В приложеном архиве содержится Ваш проект с набросанным техпроцессом. Параметры процессов имплантации и диффузии подберите сами (я их взял от балды). После работы diosа получится файл геометрии .bnd, командный файл для mdraw и файлы с сеткой .grd и значениями концентрации примеси в узлах сетки .dat. После лигамента должен запускаться mdraw (перетащите его в проект и создать командный файл) в котором обозначаются контакты и формируется сетка. На выходе получаете 2 файла .grd и .dat, которые являются входными для программы приборного моделирования dessis. Затем запускается dessis (также надо добавить в проект и создать командный файл), где указываются внешние воздействия и используемые физические модели. Названия контактов такие же как в mdraw (вплоть до регистра). Результаты можно смотреть в inspect, tecplot, picasso. p.s. для того, чтобы лучше во всем этом разобраться по началу лучше не пользоваться genesise, а использовать отдельные модули, запускаемые из командной строки (личное мнение). PROJECT_TR.ZIP

Так ведь многие стационарные мультиметры имеют возможность соединения с ПК (даже по USB) и уже готовые дрова для того же labview. http://www.labview.ru/

В первую очередь надо определиться что Вам нужно: мерить значение магнитной индукции (например для определения тока) или просто фиксировать сам факт присутствия магнитного поля. Если первое, то нужны датчики с линейным выходом, если второе - ключевые датчики. Далее исходя из величины измеряемого поля надо выбрать датчик с требуемой чувствительность и другими параметрами (напряжение питания, линейность, температурный диапазон и тд). Незабудте, что датчик Холла реагирует на поле, направленное перпендикулярно к протекаемому току (для классических резистивных датчиков Холла это будет перпендикулярно поверхности чипа.) В интернете можно посмотреть на www.allegromicro.com (в разделе Technical publication) и http://www.ssec.honeywell.com/magnetic/datasheets.html.

Еще можно использовать Labview.

С Мультисимом никогда не сталкивался, но если там для моделирования используется SPICE-подобная программа, то влияние температуры безусловно моделируется. На счет первого пункта - скорее всего нет.

ДХ - это датчик с 4-мя контактами. 2 токовых и 2 потенциальных. Рабочий ток в зависимости от типа датчика может быть от единиц мА до сотни мА. От этого зависит схемотехника источнока тока. Сигнал с датчика надо снимать диф.усилителем. Величина сигнала зависит также от типа датчика порядок десятки мВ на мТ. Поэтому заранее без характеристик датчика и диапазона полей, диапазона рабочих температур, требований к точности измеряемых полей Вы ничего не спроектируете даже в виде чернового проекта. Есть готовые датчики, где все это уже встроено: SS495, 496 - Honeywell, AD22151 - Analog Devices, A1321-23 - Allegro, Hal805 - Melexis и тд. Все линейные с аналаговым выходом, выходное напряжение практически от питания до питания. У Hal805 даже можно програмировать диапазон магнитного поля и чувствительность. Если поля не слишком маленькие (менее 1 мТл) и не слишком большие (более 150 мТл) эти датчики должны подойти.

А какой примерно порядок индукции магнитного поля, которую Вы хотите измерить? Есть например серия датчиков Холла: SS490 (495, 496) от Honeywell. Широко распространена, но там максимум до 84 мТл.

У Вас в логе нет указаний на библиотеки, которые есть у меня: libXau.so.6 => /usr/lib/libXau.so.6 (0x00bbb000) libXdmcp.so.6 => /usr/lib/libXdmcp.so.6 (0x00bc0000) Может в этом проблема.

Что-то в предыдущем посте исчез присоединенный файл GENESISe -@ldiag (последствия взлома?). Поэтому привожу еще раз. ldiag.txt

А что у Вас? ldiag.txt

На самом деле цены сильно зависят от технологии (объемный/КНИ/КНС КМОП/БиКМОП, минимальных топологических размеров, количества слоев металлизации и тд.) и цена кристаллов сильно падает с увеличением объема заказа. При указанных вами размерах светочувствительной ячейки (40мкм) дешевле договориться с отечественными производителями ИС (технологии от 0.8 мкм и выше). Насчет TFT мне кажется, что их характеристики будут сильно хуже, чем в кристаллическом кремнии. Так подвижность у TFT транзисторов в несколько раз (если не на порядок, точных данных не имею) ниже, чем у кристаллических. Хотя все зависит от требований к матрице.