sup-sup

Имел ввиду, что таблица class-class двумерная, а в схемной части такого не организовано

Спасибо! Понятно. В схемной части - одномерная система. А как разработчики делают? Сбоку создавать табличку и втягивать в CM?

Спасибо! А в схемной части можно это же задать? Чтобы узел применять в разных изделиях с установленными правилами разводки. Именно зазоры между узлами не могу найти как. После того как я это делаю в CM в OrCAD эти настройки не приходят по buck annotate. В самом CM и в CM User Guide тоже не смог зацепиться - нет списка всех аттрибутов. Кое-что я добавил в allegro.cfg (PHYSICAL_CONSTRAINT_SET=YES; SPACING_CONSTRAINT_SET=YES), но как называется параметр (типа SPACING_CONSTRAINT_SET_CLASS_CLASSES) не нахожу (если он есть) :-(

Здравствуйте! Можно ли и как задать в OrCAD зазоры Class-Class для применения в PCB Editor SPB16.6 S049 ? Спасибо!

Так 'на пальцах' все моточные одинаково считаются по потокосцеплению: UT=LI=BSN; в СИ: LI=0.2*1=0.2. По сердечнику смотрим сечение и максимальную индукцию, ищем число витков, ниже которого индукция не будет превышена. Если повезло и зазор подходящий, то оставляем или 'отматываем' витки. Иначе ищем другой сердечник. Если зазор делаем сами, то проблем меньше, если провод влезет нужного сечения. У Гаммамета есть сердечники (кольца) с зазором. Если у Вас такие, то может подойти. Можно их и сложить вместе для увеличения сечения. Сендаст (кулмю) тоже подойдет. По-моему, у него максимальная проницаемость 125, но кольца есть большие, как написал MikeSchir

Если на железе, то можно поискать железо: 1000 мм^2, 200 витков дают 1А при индукции 1Т на индуктивности 200мкГ. Если частота повыше, то можно нанокристаллическое или аморфное железо (Гаммамет или что-то китайское, VAC, например) - витков побольше, наверное под 300 будет на той же площади. А на феррите (PM подойдет) еще вдвое больше, 500-600. Индуктивность обеспечить зазором. Проще мотать, чем купить.

Резистор - это не шунт. В качестве шунта работает открытый канал FET. Мы снимаем с него напряжение открывая дополнительный ключ одновременно с основным. Вспомогательный транзистор маломощный, но на такое же напряжение. В результате на резисторе получаем напряжение, падающее на основном транзисторе, вместо того чтобы применить резистор в истоке (меньше потерь, полезное свойство зависимости от температуры). Лавинный процесс перегрева как раз в этом случае взят в жесткое ограничение выбором порога падения непосредственно на открытом ключе FET.

Обычно в контроллерах с интегрированным ключом применяют FET с двумя истоками. Я пробовал это заменить двумя ключами - работало нормально. Если нагрузка внизу, то FET с p-каналом. Если синхронник, наверняка можно оба ключа контролировать. Это и хорошо, с повышением температуры сопротивление канала растет, ток ограничения уменьшается. Лучше не бывает. PS: пример Viper37, но это не имеет значения.

Включить параллельно два ключа-полевика - ток и будет распределен между ними по их проводимости.

Нужна вся схема. На нагрев транзистора может влиять (по AN11123): наличие/номиналы снаббера (D1, C3, R9, R10); наличие C4 (вначале убрать, а дальше видно будет); намотка трансформатора (*). 5V это на затворе, а на выходе драйвера, возможно, полный уровень. Если так, то возможно, небольшая нагрузка и затвор не успевает еще зарядиться (на плато Миллера заканчивается прямой ход). Но в этом случае частота должна быть 27 кГц и, даже если трансформатор с большой емкостью обмотки, греться транзистор сильно не должен. Без C4=100pF. Резистор в истоке маленький, R13 нет - это надо посмотреть. А если пиковая мощность, то греться должен. Нужно смотреть КПД, так как нагрев это субъективно и зависит от теплоотвода. А КПД должен быть процентов 80 - не ниже.

Это я совсем приблизительно. Как обычно, когда какой-то макет делаешь, на пальцах прикинуть, а там видно будет :-) Если считать площадь импульса по вторичке, то 13V*10us=130V*us всего - но скорее всего, надо иметь запас на то, что скважность не будет (произвольной) расчетной, в динамике. Например, если при U=300V импульс прямого хода будет 1us - это уже 300V*us. Это возможно в динамике - ограничение тока должно быть 3-4A, в CCM нарастание тока медленное, без кратного запаса, дроссель будет насыщаться при переходных режимах. Если большей частью стационарный режим, то и ладно. Поэтому я бы сделал какой-нибудь, но с запасом, а там видно будет. Величину индуктивности не задирать - ничего плохого от DCM не вижу. Пульсации можно отфильтровать LC, если одного конденсатора мало. Например, при индуктивности 1mH изменение тока за 1us при импульсе 300V будет всего 300mA - слишком мало, а дроссель будет большой. Ради небольшого уменьшения пульсаций? 100-300uH, по-моему, приемлемо. То есть, предложение выбирать дроссель методом научного тыка. Кстати, я использвал для высоковольтного buck LM5021 - для него обвеса поменьше (много, что надо, уже внутри, но можно и отключить, если не надо) и ток, особенно, стартовый меньше. Верхнего ключа нет, нагрузка привязана к высокому напряжению, как у светодиодного драйвера без развязки.

Индуктивность дросселя менее важна. Будет работать спокойно при L=100-1000uH. Частота (?) , допустим, 100 кГц. Вполне реализуемо. Дроссель должен держать (не насыщаться) вольт-микросекунды (где-то 5ms*100V=500V*us) и ток (пиковый зависит как раз от режима, но 3 или 4 ампера не такая большая разница. Еще, нужно намотать дроссель с минимальной межвитковой емкостью (секционирование или хотя бы по два-три слоя желтой ленты) чтобы включение было 'помягче'.

Если косой обратноход, то заряд уходит в питание

Можно 'провентилировать' намотку триплексом (TEX-E), так как, несмотря (и благодаря ей) на дополнительную изоляцию в 0.1мм, его можно укладывать 'как попало', без защитных интервалов и межслойной изоляции. Мотаем в два провода слой и сверху еще такой же тоже в два провода - получаем 4 провода. Возможно, это сойдет за литц. Если, конечно, нужна вообще изоляция.

Применяю PI Expert (рихтовать можно) - пример прикреплен. TOPSwitch_JX_PIDesign1_ru.pdf TOPSwitch_JX_PIDesign1.pdf