catBasilio

Так кроме MP3 еще и другие могут быть потоки. VS их умеет нормально декодировать. А на ESP придется колхозить комбайн из 100500 декродеров

Есть такая конфигурация: ESP32 -> [SPI] -> VS1053 -> [I2S] -> MA1070P МК - esp32 шлет декодеру MP3 поток по SPI далее - раскодированный поток идет уже по I2S на усилитель. И тут проблема - то немогу никак согласовать параметры потока I2S чтобы MA12070 его понимал. Поток идет нормальный. Я пробовал его грабить логическим анализатором и потом преобразовывать награбленное в WAV файл. Файл проигрывается нормально. Но на усилителе - полная тишина. Тут еще проблема в том что VS1053 не очень сильно позволяет конфигурить поток. так клоки BCLK на выходе VS1053 - где-то 1.5Мгц. На плате усилителя - есть перемычка, которая соединяет BCLK и MCLK. Подозреваю, что частоты клоков недостаточно чтобы все работало, Так как по даташиту там нужно около 3Мгц. Но, я пробовал давать родной MCLK от VS1053 - 12.288Мгц. Казалось бы его должно хватать, но нет. почему-то и так не работает. Пробовал подключать усилитель напрямую к МК и давать тестовый сигнал. так вот, когда MСLK==BCLK == 2.88Мгц - все работает. Если на усилитель подается MLCK != BCLK то опять полная тишина. Может кто из форумчан работал с MA12070P, может подсказать, что я не учел?

Лишняя ножка находится на чипе GPIO expander. клоки/данные по ней гонять не получится. Кроме того проблема решилась одним BSS138. финальное решение: все работает

@Zig, а вот про такую штуку что скажете? https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/bss138-d.pdf на доллар - ведро отсыпают 😉

Про повышение напряжения - понял. Спасибо! Только тут в соседней ветке, мне доказывали, что превысить напряжение - это ОК. главное чтобы ток не был высокий, и тогда МК не сгорит 😉 Вот выделенного - не понял. 1) выключили клоки на чипе - на Gate подали 0 . Cgd = С51 зарядился, Сgs = C50 - зарядился. (так как там тоже pullup) 2) включили клоки - на Gate подали High. С51 будет разряжаться. Так ведь? 2.1) на SCL подаем Low - транзистор открывается. С51 - заряжается. Время нарастания фронта на drain = T = R * C так? 2.2) на SCL подаем High - транзистор закрывается. С51 к этому времени разряжается. время спада тоже T = R * C

Я посмотрел бегло. Там говорится про емкость шины. Как это я понимаю, что если более, то raise и fall time будут не по спецификации, и девайс будет глючить. Емкость шины, я понимаю так, я правильно это понял? И тут мне не понятно как Ciss должно на это влиять? оно же по идее на переходный процесс при открытии и закрытии транзистора только влияет? как я понимаю, то Ciss = C50 + C51. то есть нужно чтобы емкость шины была в пределах, то С50 должен быть минимален, так? по даташиту, что-то этой емкости нет. только Qgc = 0.65 nC каких-то.

А можно чуть подробнее про 400pF? откуда это число. в datasheet есть переходная характеристика: Turn on time - 25ns raise time - 60ns выглядит так, что должно хватить с большим запасом. для Сiss если считать по времени заряда: T = R * C = 10000 * 3.4e-10 = 3.4e-06 = 3.4 us - выглядит, что тоже с большим запасом. Тем более что это чипом не часто нужно управлять. и в MК можно слипов вставить чтобы транзистор упсел открыться. вроде должно. 1) на Gate - 3.3v - source = 0 - транзистор открыт и на drain - 0 - source = 3.3v - транзистор закрыт и на drain - 3.3 2) на Gate - 0 - source = 0 - транзистор закрыт и на drain - 3.3 - source = 3.3 - транзистор закрыт и на drain - 3.3 даже паразитный диод тут ничего навредить не сможет Что не так? Посмотрел на chip-dip-е, этот коммутатор стоит 1000 руб. Ну его нафиг. я лучше мосфетом обойдусь, который уже есть у меня

есть в наличие Si2302DS он подойдет? вроде у него переходные характеристики лучше не понял вопроса? это же не диод. Почему не должен течь ток Source -> Drain? Или вы про паразитный диод, который не даст транзистору закрыться?

Привет. Есть 2 девайса, управляемые по I2C. Но товарищи китайцы, "забыли" в них вывести возможность выбора адреса. Соответственно, появилась идея сделать что-то аналогичное CS для SPI. если чип не выбран, то клоки не доходят до чипа, Покритикуйте пожалуйста. Все ли правильно? I2C{SCL,SDA} - это к МК идет. Резисторы подтяжки на питание там есть MerusChipSeelct - это тоже к МК.

Добрый день. делаю плату, где будет несколько устройств на SPI шине. Предположительно шина будет работать максимум на 40 Мгц. Нужно ли при разводке платы как-то замарачиваться с тем: - чтобы длины дорожек от SPI-ных сигналов были одинаковой длины? - чтобы все дорожки шли рядом? - чтобы минимизировать VIA-s? - контроллировать импеданс (что бы это не значило)? или это еще не те частоты, где нужно всей этой магией замарачиваться?

Не понял, на счет делителя. мне интересно сколько будет вольт в точке ON. То есть на выходе R5. (допустим mcu перевел этот выход On в tristate) вроде там 5В должно быть? и дымок от mcu.

есть вопросы по 3-й и 4-й схемам. 3) я правильно понимаю, что на входе ON будет 5 в, так как у mcu высокоомные входы/выходы и падение напряжения на R4 и R5 не будет? 4) тут смысл в том, что 3 подряд идущие диода должны погасить 1.7В чтобы mcu не испустил дым?

А чем оно лучше первой схемы на 2х транзистора?

То что нужно! Спасибо. Надо будет запомнить ключевое слово high side switch.

Привет. Помогите пожалуйста, что-то туплю. Вроде должно быть довольно просто. Но что-то я не понимаю. Как организовать питание 5В устройства, через 3v контроллер. Устройство имеет еще сигналы с контроллером, такие как I2c, I2S, то есть должна быть общая земля. То есть нагрузка должны быть между выходом транзистора и землей. Какие варианты рассматривал: 1) NPN открывается током база-эмитер. то есть нагрузка должна висеть между питанием и коллектором 2) n-channel mosfet - управляетая напряжением gate-source. То есть опять, нагрузка между питанием и drain. 3) p-channel mosfet - управляетая напряжением gate-source. нагрузка между землей и drain. Но так как source будет на 5v, то при gate-source = 3.3v он может не открыться.