НЕХ
Участник-
Постов
1 577 -
Зарегистрирован
-
Посещение
-
Победитель дней
1
Весь контент НЕХ
-
В вашей схеме отсутствует важная реальная составляющая - индуктивность питающих проводов. Разъёмы должны были быть зашунтированы ёмкостью ! дешевле $20, действительно sot227 - STGE200NB60S $25 - SKM75GB12T4 SKM100GB12T4 или SKM150GAL12T4 уже дороже $45
-
Варистор срабатывает за наносекунды, ему только от старения плохеть будет. Но не в этой схеме.
-
кто знает, что там за свистопляска бывает, если один шустрее другого и когда ток в катушке меняет направление))
-
Не удивлюсь, если транзисторы у красавицы пробивают свой затвор-эмиттер)) Почему варисторы не напаять на каждый IGBT , пусть и на большее напряжение ? Почему эмиттеры IGBT не расположить "звездой" , искоренив провода в их цепи ? Зачет редкий SOT227, если полно модулей полумостов - даже запасной ключ имеется)))
-
Это фото - просто жесть ! Вы задумывались об индуктивности провода от эмиттера ? Когда так плохо цепляют ключи, надо ставить синфазный дроссель на каждый затвор-эмиттер ! 100А - детский ток, особенно в импульсе. Но при таком подходе выбросы коллектор-эмиттер будут колоссальные... Где главная ёмкость, если варистор стоит не между коллектор-эмиттер ? Ещё раз акцентирую - выключать надо очень плавно, ставить доп.ёмкость затвор-эмиттер, иначе IGBT превращается в открытый тиристор (это касается более значимых токов).
-
бак конвертер + мост
НЕХ ответил tl494 тема в В помощь начинающему
Бак превращается в буст и ключ травмируется перенапряжением, порождённым энергией выходных конденсаторов и сумасшедшей tl494 ? Нижний транзистор полумоста работает диодом и на него никогда не приходят открывающие импульсы ? -
Автор темы не пользуется поиском ? Повторяю - ключевое слово = ФОТОВСПЫШКИ Одного транзистора за глаза для 100 Ампер - https://sds.compel.ru/item-pdf/045efdfe899f9043eab6f62d74939255/pn/infin~igw100n60h3fksa1.pdf А городушка из четырёх требует особого низкоиндуктивного монтажа, индивидуальных резисторов в затворе у каждого ключа и мощного драйвера.
-
Почитайте, как прерывается ток в фотовспышках. Тут обсуждалось...
-
Обычное поведение сердешного)) Измеряйте ток намагничивания вместо добротности.
-
Микромощный стабилизатор напряжения
НЕХ ответил i80451 тема в Вопросы аналоговой техники
Ещё одно простое решение на depletion mode mosfet, BSS139, например. https://www.eltech.spb.ru/mosfet-tranzistory-obednyonnogo-tipa-ot-ixys рис.4 -
В первом сообщении очередные сказки, весьма далёкие от реальности... Трансимпедансное включение LMP7721 c GBW=17MHz и входной ёмкостью 11pF c Rf=10М может обеспечить 157кГц максимум ! Какие ёщё мегагерцы и гигаомы ?)))
-
Только IGBT в этих конфигурациях не особо применимы.
-
Turn-off energy loss per pulse 45 mJ * 50000Hz = 2,2 kW Такое под силу только SiC MOSFET
-
50 кГц и IGBT - наивно. урежьте осетра))
-
Автора беспокоит цена предохранителя с требуемой большой разрывной способностью, а не номинальный ток.
-
В свободном доступе - https://pes.ee.ethz.ch/publications.html Зашкварная индукция, теперь сендаст... рука-лицо))
-
Интересно - какой диод задумал автор на 2000А и 50 кГц... Разумнее 10 трансформаторов 1:1 Первичные последовательно, вторичные после выпрямления 200 Амперными диодами, параллельно. Делал пару раз синхронный выпрямитель на 400А 50В 20кГц. Если есть водяное охлаждение - простые диоды проще. Только не забываем одеть насыщающиеся аморфные/нано колечки на выводы диодов.
-
Главное не превышать 100V/ns - чтобы не открыть паразитный BJT внутри структуры. Это обернётся катастрофой. Редкий MOSFET не переживёт однократное КЗ в течении 1 мкс))
-
800 Вольт ничего принципиально не меняют. 800V за 15ns на ixbt.photo: Ключи справляются с задачей. Если нужно быстрее - надо ставить более мощный транзистор. Для справки - на 500V 32768Hz потребляемая мощность 0.7 Вт, так как первые 5 нс открывающийся ключ работает на фактическое КЗ - ёмкость закрытого оппозитного ключа велика.
-
В документации на транзистор показано, что даже 20 Вольт на затворе не приводят к росту тока - fig.5 fig.9 Это давняя особенность SJ MOSFET в режиме короткого замыкания с ограничением тока. 800 Вольт под рукой не нашел - вот результаты работы полумоста на вышеозначенном транзисторе на 500 В на частоте 32768 Гц синий луч - напряжение на затворе жёлтый луч - напряжение на резисторе 3,33 Ома, включенного последовательно с ёмкость имитирующей нагрузку 20 пФ (5V = 1.5A) Включение: mosfet ON на ixbt.photo: Длительность управляющего импульса менее 100 нс: gate pulse на ixbt.photo: Включение оппозитного ключа - на затворе сохраняется отрицательное напряжение: mosfet OFF на ixbt.photo: Управляющий трансформатор - бусинка, все три обмотки по 2 витка. Вполне хватило бы и 1 витка и 25-50 нс импульса... Для таких коротких событий ОБР не приводится))
-
IPN95R3K7P7 подходящий кандидат - SJ MOSFET является при переключении ограничителем тока на 2.5 Ампера 1000 V / 10 ns лучше не превышать За 10 нс током 2.5 А до 800 В можно прокачать 31 пФ Будет некоторая задержка, связанная с начальной зарядкой выходной ёмкости - но её легко учесть и на длительность перепада напряжения она не скажется. Управление осуществимо через "трансформатор", выполненный на ферритовой бусинке.
-
Сообразил для чего нужен такой затвор. Импульсная лазерная подсветка и отделение целей на известном расстоянии в тумане.
-
Это ШИМ должен управляться сигналом тока экрана ? Пиковым, интегральным ? Есть только ёмкости между фотокатодом и МКП, фотокатодом и корпусом, МКП и корпусом. ШИМ нужен для сбережения фотокатода от чрезмерной засветки или регулировка яркости так осуществляется ? Чем чревато направление оптики на Солнце при обесточенном ОЭП ?
-
Можно только догадываться, что нужно автору темы... Но очевидно, что сверхнизкое потребление и высокое быстродействие требуются обязательно.
-
Почему нельзя сделать так ? MCP на ixbt.photo: