Alex_IC

to |1|1|1 А какое количество "number of sheets" использовалось в модели толстого металла при расчетах в Sonnet? По моим экспериментам, есть существенная зависимость, правда расчеты проводил с практически квадратным сечением линии.... в приложении сравнение: 2D FEM - FEMM, 3D FEM - HFSS, 2.5D - Sonnet. Видно, что при малых значениях Ns емкость учитывается не полностью, из-за чего Zo получается более высокое.

Попробуйте обратиться в Кремний Эл, г. Брянск. Тут указаны используемые у них типы корпусов.

Вот тут топология мультиплексора может чем то поможет.

Для Win rfcalc для телефона на Android Elektor RF & Microwave Toolbox

Я бы назвал это так: de-embedding - исключение цепи, например, исключение входной цепи или исключение влияния оснастки.

В приложении книга RF_and_Microwave_Coupled-Line_Circuits_Second_Ed, там есть пояснения. RF_and_Microwave_Coupled_Line_Circuits_Second_Ed.pdf

http://www.wupload.com/file/56914235/Wartenberg_R

Определяются начальные значения параметров SPICE модели путем извлечения их из основных характеристик транзисторов (статические, вольтфарадные, частотные - S-параметры). Также начальные значения можно рассчитать (вручную или в TCAD). Затем модель с извлеченными значениями параметров "подгоняется" под реальные хар-ки, путем оптимизации. Снимать хар-ки можно хоть специализированными приборами (B1500 от Agilent) хоть стандартными, это вопрос удобства и времени. Если искать программу попроще IC-CAP, то можно попробовать PSpice Model Editor из Orcad 9.x или DesignLab 8. Посмотрите прикрепленный файл по экстракции в IC-CAP + еще посмотрите статьи Олега Петракова в журналах схемотехника и совр. электроника и на сайте http://pspicelib.narod.ru/ Подборка книг тут GP_DOCU.pdf

В такой ситуации Beta лучше измерить. А почему именно эта схема? Есть описания датчиков тут или эту книгу посмотрите. Есть схемы в которых используется температурная зависимость Uэб.

h21э обозначает усиление по току в терминах H-параметров (есть еще Z, Y, ...) при включении транзистора в схеме с ОЭ. В зависимости от схемы, удобнее применять ту или иную систему параметров. Все они характеризуют транзистор как линейный (т.е. все зависимости определяются линейными функциями, не зависимо от токов и напряжений в транзисторе) четырехполюсник - "черный ящик" с четырьмя выводами. ß - используется при моделировании транзистора с помощью эквивалентной схемы, состоящей из управляемых источников тока, резисторов, конденсаторов и т.п. Эти элементы как правило можно сопоставить определенным областям транзистора или процессам которые в нем происходят. ß транзистора весьма нестабильный параметр, поэтому старайтесь сделать схему так, чтобы ее параметры как можно меньше зависили от него. Как правило для работы схемы требуется чтобы ß было больше некоторого значения, без ограничения сверху. А то что не совпадает, это надо смотреть что у вас за источник...

Есть современный комплекс E5052B "AM noise measurement and phase noise measurement without changing RF connection"

:bb-offtopic: Мое присутствие здесь терзает только Вас одного. Вы ведете себя как злобный спам-бот. За все время не написали ни единого полезного ответа, все время отвечаете не впопад. Может пора угомониться и не показывать дальше свою дурь? То графики суете, то схемы - которые к моему вопросу никак не относятся. Цель Ваша то какая? Показать какой вот я, а вы не замечаете совсем? =)

Кремниевый биполярный техпроцесс, не SiGe. Стояла задача разработать малошумящие варианты gainblock, поэтому такой результат. Наверно имеет смысл сделать ряд с улучшенной температурной стабильностью и большим коэф. шума, раз они проще в применении и имеют спрос.

Но ведь в SPF-5122 и SPF-5043 применяются полевые транзисторы pHEMT, там и "физика" совсем другая. Шумы лучше и температурная стабильность исходно высокая. Не буду настаивать, что в SBB-4089, -5089 (указаны InGaP HBT) коэффициент шума повысился только из-за введения температурной стабилизации, выравнивание АЧХ не должно было пройти даром. Я делаю свое утверждение на основе того что получается в рамках одной и той же схемы gainblock на биполярных транзисторах при добавлении в цепь ОС диодов, приращение напряжение на которых в диапазоне Т компенсирует изменение напряжения э-б пары Дарлингтона. Может конечно можно сделать такую цепь смещения, чтобы и шумов не вносила больших и температурную стабильность обеспечивала, но пока не удается. Знакомы ли Вам серийно выпускаемые gainblock на биполярных транзисторах с малым коэф. шума и малым изменением потребляемого тока в диапазоне Т?

Вопрос возник в связи с разработкой такой схемы применительно для наших схем 1324УВ1, УВ2, УВ3, т.к. при указанном в рекламных листах номинале резистора ток существенно изменяется в диапазоне температур и для обеспечения гарантированных значений требуется поддерживать неизменным режимный ток. Стало интересно насколько популярна такая схема включения и как к ней относятся разработчики. Эта хорошая температурная стабильность дается ценой повышения коэф. шума. Если такую схему оптимизировать под малый коэф. шума (менее 3 дБ) то от внутренних цепей температурной стабилизации режима приходится отказываться. Это и привело к необходимости в источнике тока при работе в широком диапазоне температур с 1324УВ1-3 (коэф. шума менее 3 дБ). To khach А с какой целью используете двухтактное включение ? Не хватает Рвых?

А в каком диапазоне температур?

В приложении пример использования двух ранее указанных способов установления статического режима gainblock (AN от Sirenza MD). Применяет ли кто нибудь подобные источники тока в своих разработках для обеспечения хар-к в диапазоне температур? Меня интересует насколько распространено такое решение, считается ли оно излишне громоздким, есть ли готовые микросхемы таких источников тока. To Genesys Оно и видно как Вы разбираетесь... SGA_4263_Z__AN_035S_Circuit.pdf

Речь идет об установлении статического режима. Дроссели хоть от Minicircuits хоть от кого другого для этой цели не годятся. И чем Вам источники тока на ВЧ или СВЧ не угодили? Вы бы читали, а потом уже писали бы. Если у человека сумбур в письме, то такой же беспорядок и в голове.

Доброго времени суток! Поздравляю всех с днем Радио! :cheers: Прошу поделиться, кто как подает питание на широкополосные усилители типа gainblock в своих разработках. Особенно интересно для случая работы в широком диапазоне температур. Как правило во всех datasheet указывается схема с балластным резистором небольшого номинала, слышал что в качестве альтернативы применяют питание от источника тока, соответственно вопрос, какие источники тока для этого используются? Есть ли отечественные источники тока для этих целей? Или делаются источники ток на дискретных транзисторах? Насколько распространено питание gainblock от внешнего источника тока или это считается громоздким решением?

Доброго! Прошу помочь в поисках, может его вообще не существует?

Приемник анализатора цепей Е8362B является селективным. Вот тут про него. Попробую подробнее спектр посмотреть у Hittite. Ну и сравню результат с методом "палки и веревки".

Усиление 18 дБ. Но усилитель ПЧ я уже отключил, смотрю в пас. режиме, а проблема осталась...

А частота сигнала после ограничителя должна оставаться такой же? Можно статический делитель частоты поставить.

Рассказываю.. Попробовал развязать выход генератора (HMC-T2100 и E4438C) с помощью усилителя HMC482. Результат тот же - в зависимости от генератора меняются параметры смесителя. Аналогично если развязывать выход HMC482 через атт. 3 дБ. Посмотрел спектр обоих генераторов с помощью анализатора цепей (через аттенюатор 40 дБ). Грубо, но для сравнения сойдет. Для HMC-T2100 при Рвых=+16 дБм - h1=+14 дБм, h2=-24 дБм, h3=-32 дБм. Для E4438C при Рвых=+16 дБм - h1=+14 дБм, h2=-24 дБм, h3=-50 дБм. Значение мощности 1-й гармоники отличается от выставленного на генераторе, т.к. калибровку приемника по мощности не делал. Диоды менять не могу, т.к. это СВЧ МИС. Пробовал при моделировании этого смесителя добавлять гармоники к сигналу гетеродина, примерно на том же уровне, что получил у генераторов - характеристика коэф. преобразования не меняется.

Вы имеет ввиду усилитель для развязки через аттенюатор (чтобы согласование было на 50 Ом) поставить по гетеродину? Попробую.