Alex_IC

Всем привет! Подскажите, пожалуйста, есть ли в Cadence Virtuoso инструмент для учета превышения допустимой плотности тока в проводниках топологии? Я представляю его в виде: по результатам тран анализа рассчитываются действующие значения тока в ветвях. Каждой ветви ставится в соответствие проводник в топологии и рассчитывается плотность тока. Если значение выше допустимого, то выдается сообщение. Может в каком другом САПР реализовано что-то подобное?

Так там вроде написано "TGA2540-FL is available to US-based manufacturers; international shipments require an export license." Наверно и не ответят... Не заметил...khach об этом уже упоминал

Ansoft Designer SV - полнофункциональный анализ в режиме малого сигнала, топология, 3Д визуализация; в LTspice - можно нелинейный анализ провести; ASITIC - ЭМ моделирование пассивных эл-в ИС.

Я подумал, что под "10% неоднородности" понимается отражение 0,1. Еще и ошибся в расчетах по входу, будет примерно (т.е. не учитывать, что не вся мощность пойдет в неоднородность) -5 дБ по входу и выходу. Я понял, что Вы привели пример условно устойчивой системы. Можно и другой пример привести. Усилитель с S21=20 дБ, S12=-10 дБ, S11=х работает на отражающую нагрузку 0 дБ => отражение по входу больше 0 дБ, точное значение 20*log(|S21|^2/(1-|S11|^2)). В режим генерации усилитель войдет лишь при соблюдении двух условий: 1) Rи+Rвх=0, 2) Xи+Xвх=0. Так написано в книге Gonzalez_-_Microwave_Transistor_Amplifiers_2nd (стр.389) по крайней мере. Здесь надо было смотреть разделы по генераторам, а не усилителям)) Там как раз именно достаточные условия рассматриваются.

Нарисовал диаграмму. Фаза отраженного сигнала неизвестна, пусть условно будет такой как нарисована. Понятно, что если векторы не синфазны, то проекция одного на другой меньше единицы. Вывод - коэффициент отражения меньше единицы, Вы это хотели сказать? Но что из этого следует? Я не могу понять, что Вы хотели сказать этой фразой. Извините за мою непонятливость и назойливость... В примере с усилителем, коэффициент отражения по выходу составляет +2,7 дБ, что конечно же существенно сказалось на форме АЧХ (усиление на этой частоте даже выше чем в рабочей полосе), но не привело к генерации. Усилитель конечно надо переделывать, т.к. при некоторой реактивности на выходе условия баланса фаз и амплитуд начнут выполняться одновременно и он обязательно загудит. По поводу погрешностей измерений - сомневаюсь что дело в них, АЦ был откалиброван за 1-2 дня до измерений набором механических кал. мер, уж погрешности в 2 дБ там наверняка не могло набежать. Перед измерениями проверяю характеристику на проход - отражение на уровне -40 дБ, передача примерно +/-0,02 ИМНО: В Вашем примере, если усилители имеют S11=0, и обратным распространением можно пренебречь (т.е. S12=0 дБ), то на входе отражение будет -20 дБ (Pотр/Рпад=0,1 => RL=-20 дБ) на выходе -5 дБ (-20+15). Итого, как я понимаю: за то, что "S11>0 дБ недостаточное условие" +2 (со мною +3), "S11>0 дБ достаточное условие" +1. обсчитался) Итого +4))

А какие именно детали схемы измерения интересны? Измерения на анализаторе E8362, усилитель включен непосредственно к откалиброванным концам кабеля. Измерения на осциллографе Tektronix DPO... полоса 3,5 ГГц, вход 50 Ом. На входе усилителя 50 Ом заглушка. По поводу фазы не совсем понял, если можно поподробнее...

Спасибо. Собственно вопрос возник при исследовании СВЧ усилителя. При измерении на анализаторе цепей отражение по входу на некотором участке бОльше единицы, а на осциллографе все чисто. Хотелось понять, что же с ним все таки происходит.

Речь идет о превышении модуля S11 или S22 над единицей, а не о соотношении между ними. Т.е. является ли условие |S11|>1 или |S22|>1 достаточным для неустойчивости?

Ну я так тоже думал) Но начал в этом сомневаться... Отражение больше единицы означает, что действительная часть импеданса отрицательная. Но, для того чтобы усилитель вошел в режим генерации этого недостаточно. Надо чтобы еще и мнимая часть была равна нулю, т.е. соблюдался баланс фаз. Вполне возможна ситуация, когда частота на которой мнимая часть становится равной нулю, действительная часть уже не отрицательная и в результате режима генерации нет, хотя отражение больше единицы. Если я неправ, поправьте.

Всем доброго! Является ли усилитель гарантированно неустойчивым в 50 Ом тракте если S11 или S22 больше 0 дБ?

Аттенюатор поставить сейчас не получится. Но позже попробую. Выход посмотрел на анализаторе в широкой полосе - все чисто. Режим: РЧ-вход и гетеродин на заглушках 50 Ом.

КСВН системы смеситель-усилитель не изменяется при выключении гетеродина. Непохоже что усилитель наедается.

КСВН по выходу с откл. гетеродином могу только завтра выложить, на память помню что согласование практически не меняется при выключении гетеродина. Сейчас могу показать графики изоляции для смесителя и для системы смеситель-усилитель. Еще одно дополнение. КСВН выхода системы смеситель-усилитель практически не изменяется при изменении режимного тока усилителя. При этом его точка компрессии приведенная к входу на максимальном реж. токе более 0..+3 дБм (правда на 100 МГц). Не должно быть вроде перегрузки. Должен ли диплексор/фильтр иметь широкополосное согласование на 50 Ом? Ведь это рассогласование передается на вход смесителя...Хотя с дугой стороны волна отраженная от входа диплексора будет ослаблена смесителем...

Здравствуйте! Измеряю согласование по выходу последовательно включенных пассивного смесителя + УПЧ (геинблок), получаю КСВ>3.5. Включены через разделительный конд. Смеситель: Мощность гетеродина +16 дБм, Изоляция Гет-ПЧ 25 дБ, КСВ выхода менее 2. УПЧ: КСВ выхода УПЧ включенного отдельно менее 2. Обратная изоляция -20 дБ, усиление +20...+10 дБ. Почему так ухудшается согласование? Или при таких значениях изоляции такое ухудшение следует ожидать (просьба пояснить)? Что обычно ставят, чтобы улучшить согласование и требуется ли его улучшать? Заранее спасибо за ответы!

Насколько я понимаю, автор методички представил активную мощность на входе четырехполюсника в виде комплексного числа, для того, чтобы вести все вычисления в одном формате - формате комплексных чисел. И это меня запутывает. Можно сформулировать вопрос по другому. Как можно перейти от действительного значения Vs^2/(8*Zo) к комплексному представлению? Исходя из выражений для Pin на стр. 7, следует, что V1, I1 - это амплитудные значения, а Pin - есть действующее значение. Но тогда не стыковка в верхнем выражении для Pin, если там все те же амплитудные значения V1, I1 , то Pin - там уже есть амплитудное значение. Если бы там было действующее значение, то в соответствии с Re(z)=(z+z')/2 необходимо еще раз на 2 делить Pin. В общем у меня складывается впечатление что есть ошибки/опечатки.

Нашел следующее уравнение для комплексных чисел: Re(z)=(z+z')/2. Если так, то Pin есть не что иное как Re(Pin). Есть предположение что утверждение "the factor of 4 instead of 8 is used since we are now dealing with complex power" ошибочно. И деление на 4 вместо деления на 8 применяется лишь потому, что используются действующее значение Vs... Есть еще одна версия, в уравнениях Pin, Pr, Pavs - это амплитудные комплексные значения.

Здравствуйте! Читаю методичку, там есть запись, The complex power absorbed by the one-port is given by: Pin=0.5*(U'I+UI'), здесь черточка над обозначением U, I означает комплексно сопряженное число. Насколько я понимаю, подразумевается полная комплексная мощность, но она вроде определяется как U'I ... подскажите, пожалуйста, какое выражение верное? Вроде как если выразить через экспоненциальную форму UI*exp(deltaPhi) то выражения одинаковые.... Но все равно есть вопрос, на стр. 15 написано "the factor of 4 instead of 8 is used since we are now dealing with complex power" - почему необходимо использовать в два раза большее значение номинальной мощности генератора? twoports.pdf

Название: Maas_artech house - microwave mixers 2nd ed.pdf Размер: 19.40 Мб Доступен до: 2010-10-17 23:37:54 Ссылка для скачивания файла: http://ifolder.ru/19358996

to willis, monitor7 Схема такая. Один источник обеспечивает ток пропорциональный температуре (PTAT), второй обратно пропорциональный температуре (CTAT) регулировкой их соотношения получаем необходимый температурный коэффициент источника опорного тока. Сами источники на верт. n-p-n. Чтобы просуммировать эти токи используется токовое зеркало на латер. p-n-p или p-МОП. Особых требований по радстойкости мне и не надо, потому и не надо использовать спец. технологию, к тому же хороший СВЧ биполяр нужен. Если путем выбора соответствующих элементов можно повысить радстойкость, то почему не сделать :) to zzzzzzz Спасибо, понял. Слабо разбираюсь в радстойкости, но почему-то всегда верил, что вертикальные n-p-n самые стойкие...

to zzzzzzz Можно и конкретней. Если рассмотреть например, xb06 от xfab. И выбор стоит между латер. p-n-p (qpa) и p-МОП (pmos4), в случае когда остальная часть на верт. n-p-n (special NPN). Параметры на стр. 7.

Вопрос выбора p-МОП или p-n-p появился при разработке источника опорного тока, там быстродействия от транзисторов не требуется, остальная схема (СВЧ) на верт. n-p-n. Изоляция переходом. Радстойкость нужна для случая яд. взрыва. А в теме не писал про радстойкость, потому как в разделе по радстойкости раньше тема была :) Как я понял, здесь лучше биполяр - латер. p-n-p так?

to ledum Спасибо за ссылки. Есть вроде подходящие корпуса. Написал письмо, сейчас жду более подробной информации по A0965, A1103, A0051, A1063. to VitaliyZ что означает "Stratege G2121M-8" ? :) Даже гугл мне не ответил, что это есть...

Здравствуйте! Подскажите, пожалуйста, где можно заказать металлокерамический СВЧ корпус на 8 выводов (можно больше), в котором можно рассеивать не менее 10 Вт (желательно корпус с фланцем), диапазон рабочих частот до 5 ГГц. Можно импорт.

Здравствуйте! Помогите определиться, что лучше с точки зрения рад. стойкости: латеральные p-n-p транзисторы или МОП-транзисторы (в частности р-канальные)? И почему? Например, для технологии 0,6 мкм БиКМОП.

Если я правильно понял, то надо сделать следующее: 1. Взять внешний фазовый детектор, например смеситель. Подать ему на входы сигналы с выходов ДЧ (при этом один пустить через линию задержки). 2. Отрегулировать на 0 постоянную составляющую на выходе смесителя, путем изменения линии задержки. Подключить выход смесителя к входу baseband in E5052B. 3. Делить считываемый результат СПМШ на крутизну ФД - это и есть ФШ ДЧ (если конечно фазовый детектор имеет меньший уровень ФШ). А как можно удостовериться, что ФШ ФД меньше...? Hittite ведь измеряет ФШ своих делителей, почему нам у своих не измерить :) ФШ делителя частоты достаточно важный параметр в системах где требуется обеспечить высокую чувствительность, поэтому требуется его измерить. Ну и сравнить с расчетом хотелось бы.