oleg_uzh

Подскажите пожалуйста, кто таскает данную продукцию в РФ?

Ну раз такой хейт пошел.... Слепить что? Единичный экземпляр? Сквозной выход годных больная тема у всех... И никто вам не признается никогда. Если бы так все было просто, то я думаю у нас давно наступил технологический разрыв... Как вы видите, мы в глубочайшем кризисе. Да у нас вся страна по статьям давно в перде планеты всей! И америкосы нам завидуют. В технологию надо вкладываться и ее надо поддерживать. Не распылять денежные купюры на воздух, а именно вкладываться! Я повторюсь, на всю РФ нужно максимум две фабрики. А не распылять среди голодных и жаждующих иметь свой свечной заводик. 100% процентов чего вы хотите иметь? У вас с математикой проблемы или с пониманием, что такое 100% локализация производства? Вы готовы вложиться в отечественную химоту и оборудование? На весь мир один, два производителя с мировым именем. А это даже не млрды рублей, это триллионы... За чей счет будет банкет? 100% никогда не будет и не надо устраивать Потемкинские деревни.

Вот зачем опять вводить аудиторию в заблуждение, что это отечественный? Кристалл внутри чей стоит? А? Назовите правильно - отверточное производство! Перекроют кислород зарубежные партнеры и поедут все так называемые разработчики отечественного дружно в Магадан. Бесит эта уже ситуация с псевдоотечественностью. Из-за таких работ в Минпромторге и думают, что все в стране прекрасно и все есть. Ничего развивать не надо. И по итогу все сидят в глубокой ...опе.

Добрый день! 1. Отечественный производитель GaN кристаллов существует, это Светлана-Рост. Можно и в виде кристалла в корпусе. Причём это не иностранный кристалл в отечественном корпусе, выдаваемый за отечественное, как делают некоторые. 2. Денег на организацию производства с нуля нужно не прилично много, не меньше 10-15 млдр. рублей. Помимо денег нужно время и организованная команда, которая будет понимать ради чего она будет работать. А это минимум 5-10 лет. За это время буржуи еще дальше уйдут... 3. Главный риск - это внутренняя потребность в конечных изделиях. Она в РФ крайне мала. 4. Нужно понимать, чтобы цена итогового транзистора была как на западе, нужны огромные субсидии в виде поддержки государства производства, плюс широкий рынок сбыта. Ни первого, ни второго у нас нет. На западе, в Китае вливаются огромные деньги в развитие ТЕХНОЛОГИЙ! У нас это все остается в виде пустого сотрясения воздуха. SVC0101_GaN транзистор 3,5мм [ПРОЕКТ] v.1.3.pdf

Всем привет! Поделитесь пожалуйста посадочнымы местами для СВЧ разъемов типа 32K243-40ML5 фирмы Rosenberger для P-CAD 2006. Буду признателен)

Добрый день, Юрий! За такое высказывание с вашей стороны можно и в суд вас потащить. Я Вас огорчу, мы не осваиваем бюджетные деньги. Вы абсолютно некомпетентный инженер и не имеете никакого понимания, что такое СВЧ полупроводниковая фабрика и предоставляемый PDK. Если нечего сказать просто промолчите пожалуйста! Представленная информация для ознакомления и если у человека появляются вопросы он пишет на электронный ящик или звонит по телефону, а не устраивает здесь промоакцию в стиле - все у нас было при царе горохе и все деньги просрали. Уважаемый, если вас что-то не устраивает, так и обращайтесь в НИИМП

Добрый день! АО «Светлана-Рост» готовит к выпуску PDK pHEMT025D на основе отечественного 0,25 мкм техпроцесса. Выпуск PDK запланирован после 26 октября 2020г. Для всех интересующихся отечественными PDK ссылка на яндекс.диск https://yadi.sk/i/p6aU9UGoeVPBgQ - Презентация v.2 pHEMT025D

Добрый день! АО «Светлана-Рост» выпустило первый отечественный PDK pHEMT05ED на основе нормально открытых и нормально закрытых транзисторах E/D-mode (для реализации CoreChip, драйверов управления и т.д.). Для всех интересующихся отечественными PDK ссылка на яндекс.диск https://yadi.sk/i/LVYRH8Gq47hNPQ - Презентация v.2 pHEMT05ED

Добрый день! Можно ли реализовать драйвер управления (1\8\12\16-bit) для управления СВЧ-устройств на основе GaAs транзисторов (SPDT, аттенюаторы или фазовращатели) используя PDK TSMC (либо другой доступной кремниевой фабрики) под САПР ADS? Знающие спецы подскажите пожалуйста сопутствующую литературу (статьи, диссертации и прочее)? Аналогом можно рассматривать микросхему MADRMA0002.

1. По первому вопросу и для получения более подробной информации лучше обращайтесь к нам напрямую. 2. По факту мы ориентированы на всех разработчиков, которые умеют проектировать в СВЧ САПР.

Добрый день! Светлана-Рост может предложить услуги Фаундри на основе полностью отечественных технологических процессов. Описание PDK (пока только с поддержкой AWR) на GaAs техпроцессы с технологической нормой 0,5 и 0,25 мкм представлены в презентациях. В настоящее время ведется разработка PDK на основе AlGaN-технологии с проектной нормой 0,25 мкм. В планах внедрить технологию E/D-транзисторов (для реализации CoreChip, драйверов управления и т.д.). Ссылочки на яндекс.диске https://yadi.sk/i/68-sHGoiFb7gyA - Презентация pHEMT05 https://yadi.sk/i/_ACvuuDVzVCeIw - Презентация pHEMT025 https://yadi.sk/i/czpG1r2xOVFi1g - Описание микросхемы Ставьте лайки )))

Все теперь понятно. Большое спасибо!

Разница есть, особенно на высоких частотах. Сегодня сравнили с измерениями, вроде как сходство больше с Auto port.

Доброе утро! Может быть вопрос уже поднимался ранее, но все же. Подскажите пожалуйста при проектировании ГИС и МИС в Microwave Office в настройках Axiem какой параметр необходимо выбирать в разделе Explicit Ground? В статьях ставят и Auto port и Connect to lower. Хотелось бы разобраться в этом вопросе, в каких случаях какой порт ставится.Спасибо.

Здравствуйте. Вопрос такого характера. Можно ли использовать стандартные масштабируемые элементы из базового набора ADS для создания библиотеки элементов, выполненных по определенному технологическому процессу, то есть подогнать под свой STACKUP?

Добрый день! Порекомендуйте пожалуйста современную литературу по работе с GaN транзисторами (расчёт и разработка топологий согласующих цепей).

Метод с Gamma Probe попробовал, спасибо! Но он для линейного анализа. А как посмотреть устойчивость с учетом входной мощности? Это возможно только через сторонние программы?

Информация с helpa от AWR. Вот здесь написано, что не подходят измерения К и В1: Благодарю за ответ! Попробую данный метод!

Доброго времени суток! Подскажите как правильно проводить анализ устойчивости двухкаскадных усилителей СВЧ в AWR MO? Тема ранее поднималась,но ответа не нашел. Насколько знаю во вкладке Stability (K) используется только для одного каскада.

Добрый вечер! Никто не разрабатывал ЧАСТОТНО-ФАЗОВЫЙ ДЕТЕКТОР? Уточню, интересует именно аналоговый ЧФД. Какая библиотека наиболее подходящая? Буду благодарен любой информации)

Интересует разработка ЧФД в Cadence Virtuoso. Есть ли у кого какие-то наработки? Какие сложности могут возникнуть? Какую лучше библиотеку использовать (диапазон до 1 ГГц)? В гугле мало нашел на этот счет. Заранее спасибо.

Если еще актуальный ваш вопрос... Обратитесь в ФГУП «МНИИРИП» (Мытищи), там комната безэховая простаивает. Контактное лицо: Подьяпольский Борис Сергеевич, тел.: 8-495-586-17-21, доб. 272

Здравствуйте коллеги! При экспорте топологии в файл формата *.gds появляется помимо выделенных для экспорта слоев в файле *.lpf, служебный слой. Как от него избавиться, чтобы он каждый раз не экспортировался?