flammmable

Вы сейчас описали случай запирания триода отрицательным напряжением сетки, про который я говорил. Вопрос в том, почему усиление происходит и при положительном напряжении на сетке, а не застывает на фиксированной отметке по достижении нуля вольт. Перефразиую. Предположим, у нас коаксиально расположенные катод сетка и анод. Предположим, на сетке - ноль. То есть её потенциал равен потенциалу катода. В таком случае сетка ничего обратно не загоняет, а все электроны, вылетевшие из катода улетают в анод. Если теперь на сетку подать положительное напряжение, увеличится ли анодный ток? И если да, то почему?

Специально нарисовал картинку. Ведь картинки, как известно, лучше, чем текст: Какой будет скорость шарика, скатившегося в нижнюю точку (если он, конечно, способен скатиться в неё) и будет ли эта скорость зависеть от перепада в районе пунктирной линии (ну то есть сможет ли перепад в районе пунктирной линии "ускорить" скатывающийся шарик)?

Вот да! В объяснении вида "сетка ускоряет электроны", сама сетка как-то технично исчезает куда-то в параллельную вселенную, в момент, когда электрон её пролетел.

Вот, к примеру, документация на лампу 6Н8С. На третей странице pdf-а есть график зависимости Ia=f(Ua) с пачкой кривых для разных отрицательных Ug (от 0В до -24В). На этом графике всё понятно - чем ниже Ug, тем большее количество электронов запирается сеткой возле катода. Однако в документации также имеется график Ia=f(Ua) на второй странице, где представлены кривые Ug от 0В до +20В. И чем выше Ug, тем выше ток при фиксированном Ua. Я немного не пойму, почему ток усиливается при положительном Ug? Во многих материалах объяснения скорее напоминают заклинание про то, что "электроны, вылетевшие из катода, ускоряются сеткой". Представим, однако, аналогию: вместо электрического поля у нас гравитационное, а вместо электронов - шарики, скатывающиеся по наклонной плоскости (с "горки"). Если у нас имеется только катод и анод (т.е. случай вакуумного диода), то эта плоскость будет однородной. Если у нас появляется сетка, то недалеко от самой верхней точки нашей "горки" появляется излом вниз, из-за которого на первом этапе крутизна оказывается больше. Но на втором-то она оказывается меньше, чем в случае диода! А по итогу, высота горки, что с изломом, что без него оказывается одинакова и E=mgh (а следовательно и mV^2/2) оказываются одинаковы. Так как же увеличивается электрический ток при положительном Ug? Разве он не должен зафиксироваться на определённом значении при Ug=0? У меня тому два предположения: 1) сетка начинает разворачивать в сторону анода даже те электроны, которые вылетели из катода практически по касательной и в отсутствие сетки не попали бы в анод. Но это значит, что если катод имеет форму цилиндра, вложенного в цилиндрический анод (т.е. такая коаксиальная конструкция), то положительное Ug не будет усиливать ток, так как 100% электронов, вылетевших из катода и так прилетят в анод - им просто некуда больше лететь, анод окружает их повсюду. 2) имеет место быть эффект Шоттки, когда положительное поле сетки понижает энергию выхода электронов, буквально "вырывая" дополнительное их количество (сверх того, что даёт термоэлектронная эмиссия без поля) из катода. Есть ли какие-нибудь авторитетные материалы, объясняющие усиление тока при положительном Ug, кроме весьма сомнительного объяснения, что "сетка ускоряет электроны"?

Не, я не сомневаюсь, что технически так можно сделать. Но вопрос: зачем? В чём простота? Ладно бы там посередине Update, на восходящем фронте было бы что-то ТАКОЕ, что ни в коем случае нельзя в этот момент сбрасывать данные в параллельный регистр. Но нет же!

Не пойму кое-какой детали в работе с фронтами в JTAG. Согласно стандарту 1) ...изменение логического уровня на линии TMS происходит по заднему фронту - здесь нет вопросов, какой-то из двух фронтов должен был быть выбран. 2) ...изменение состояния конечного автомата TAP происходит по переднему фронту - опять же понятно: TMS выставился синхронно с задним фронтом и, чтобы не устраивать гонку фронтов, его состояние следует считать по противоположному фронту - то есть по переднему. 3) ...сдвиг регистра и "затягивание" в него очередного бита - также по переднему фронту, что, опять же логично. 4) ...в состоянии Capture-XX cброс в сдвиговый регистр DR идентификационного кода, либо сброс в сдвиговый регистр IR значения по умолчанию - также по переднему фронту. 5) ...изменение на TDO - по заднему фронту - вынужденная мера, так как следующая в цепочке микросхема должна к переднему фронту уже иметь установившееся значение на своём TDI. Но зачем в состоянии Update-DR/Update-IR сброс в параллельный регистр происходит по заднему фронту, а не по переднему (в середине самого состояния Update) - абсолютно непонятно. Может кто-нибудь выдвинуть предположение, почему так было сделано? В чём преимущество?

Вот здесь написано, что: linkage: The value of the port may be read or updated, but only by appearing as an actual corresponding to an interface object of mode linkage. Правильно ли я понимаю, что это такой тип вывода, который может быть соединён только с выводом типа "linkage" же? В каких случаях данный тип может применяться?

В файле BSDL для AM486 указан некий "AT&T BSD Editor", в BSDL-ах у Cypress указано, что они протестированы онлай-сервисом http://bsdl.asset-intertech.com/. У XJTAG имеется некий BSDL Editor, но судя по скриншоту, его функционал не сильно мощнее, чем у Блокнота. Вопрос №1: какое ПО используется для создания, редактирования и верификации файлов BSDL? Вопрос №2: какой раздел electronix.ru лучшим образом подходит для вопросов по JTAG-у, BSDL и смежным темам?

Армейские-то? Отлично! Отслужил гвардейцем в 2012 году. Где - не скажу. Но крупноблочный ремонт оборудования в полевых условиях (а в нормальной армии должно быть именно так) соотносится с разводкой печатных плат приблизительно, как конструктор Лего с ПИКовской стройкой. И имеет отношение к обсуждаемой теме чуть менее чем никакого. Вы хотели повыделываться - у вас ни одной фразы по существу, а всё больше о вашей запредельной крутизне.

1МОм - мега, разумеется. Большая "М" - мега, маленькая "м" - милли. Всё, как в учебнике "Физика. 7 класс" под редакцией Пёрышкина (стр.8 по учебнику или стр.11 по pdf-у). Честно сказать, я думал, когда читал ваши "1мГц", что вы просто опечатались, но теперь меня терзают сомнения. 1МОм - вход у цифрового осциллографа, 1МОм - у резистора на симуляции. Мне кажется, это очевидно. Ответы на вопросы в осциллограмме (и/или графике V(t) симулятора). Если выбросы на ней пересекают линии VIH/VIL триггера Шмитта для данного стандарта напряжений - всё плохо. Если нет - всё хорошо. Докторскую защитили? В армии служили? В тюрьме сидели?

Конечно. На одном конце цепочки из нескольких TLine у меня источник прямоугольных импульсов, на другом - резистор 1МОм. График напряжения от времени на этом резисторе +/- то, что я увижу на осциллографе, подключившись к концу линии. Или, иначе, то, что "увидит" триггер Шмитта входного буфера микросхемы, если этот буфер подключить к концу линии. Про апелляцию написал я. Вы вместо довода по существу ("В описываемом случае, с такими-то параметрами MicroCap выдаёт такие значения, а реальные измерения - другие. Это потому-то и тому-то") говорите "Я использую до 1мГц", "я использую с 1989г", "Я, я, я". Это называется апелляцией к (своему, в данном случае) авторитету. Иногда она бывает уместна. К примеру, когда спрашивают о практике применения одного из нескольких решений, каждое из которых обладает плюсами и минусами. Тогда да - "Я делал вот так с 1989 по 1991 год и это было неудобно, потом начал делать эдак, и несмотря на X оказалось, что так лучше. В 2001 пробовал Y, но не прижилось, потому, что Z". Но здесь-то, очевидно, другой случай.

Я сейчас посмотрел ваши предыдущие комментарии и нашёл среди них такой: В чём выражается плохость его работы? А то довод "Этот симулятор я использую до 1м(??)Гц" - это сомнительная апелляция к авторитету.

Читая статьи по согласованию импедансов, я встречаю много разного про влияние переходных отверстий на прохождение сигнала.В частности, что "<пафосное название интерфейса-PCIe100500.0gen, LPGDDR-6666 и т.д.> требует высверливания части переходного отверстия, так как от стаба (либо, в особо клиническом случае, от самого переходного отверстия) будет отражение и КРОВЬ, КИШКИ, РАЗГОНДУРАСИТ, посмотрите на потери, вот вам АЧХ с ничего не говорящими децибелами!!".Собственно, я решил отбросить вопрос про возвратные токи (положим, с ними всё ок) и решил поиграться с MicroCap-ом и позапускать импульсы 3,3В в 50-омную линию длиной 10 метров, в которой есть маленький участок с отличающимся импедансом. При длине участка в 0,1нс (около 2мм) и импедансе в 1000 Ом, отражение от него имеет амплитуду - максимум - 0,45В.Вопрос, свидетели высверливания отверстий - сектанты? Или импеданс переходного отверстия может быть ещё больше и приводить таки к проблемам в линии передачи?

На самом деле, сами транзакции в секунду тоже не слишком подходят: из-за слишком обширного применения слова "транзакция" и, соответственно, того, что транзакцией может являться нечто не имеющее фиксированного времени выполнения. Это да. Но все боды и символы в секунду (как и, к примеру, выражение "частота PCI - 66МГц") относятся к протоколам, описанным в некотором стандарте. Если обсуждается стандарт и в тему приходит Фу-Манчу с вопросом "А что это за частота?" - можно ответить "это та частота, которая указана как frequency на странице номер пять стандарта такого-то". Говоря о частоте в контексте Ардуино и GPIO микроконтроллеров, обычно имеют ввиду "частоту, с которой цифровая микросхема способна изменять напряжение на своём выводе в соответствии с уровнями логического нуля и единицы для заданного стандарта напряжений" С одной стороны - это не стандарт, и тыкать носом в документ не получится. С другой - слишком длинное обозначение (так как это не обозначение, а, скорее, определение) для часто употребляемого понятия. Однако, если его не проговаривать, Фу-Манчу летят просто как мухи на варенье. Представляется, что в англоязычном сегменте этот момент также не вполне наделён чёткими понятиями. Так, у них "bandwidth" - это и "полоса пропускания" (ВЧ-тракта, к примеру) и "пропускная способность" (к примеру, какого-либо интерфейса). Причём "пропускная способность" может измеряться как в битах в секунду, так и в транзакциях в секунду. Печально, что в плане терминологии электроника - это не физика с её СИ.

Представляется, что "скорость передачи данных" не вполне удачная величина в данном случае, так как является произведением транзакций в секунду на ширину шины. И измерялась бы она в битах в секунду. Пропускная способность, похоже, наиболее близкая по смыслу величина. Но она применима к самой шине, а в контексте портов GPIO микроконтроллера будет звучать несколько натянуто. В любом случае, спасибо за ответ.

Нередко начинающие любители цифровой электронике употребляют термин "частота" в контексте цифрового сигнала. Так как подобные любители обычно начинают с чего-то вроде Ардуино, под частотой они имеют ввиду количество операций в секунду, в том числе на линиях GPIO. В контексте простых 8-битных МК можно сказать, что это частота тактового генератора поделённая на четыре (fetch-decode-execute-store). Однако, вскоре после упоминания такой частоты может появиться мудрец (предположительно, жаждущий самоутвердиться об любителей) с седой бородой, усами Фу-Манчу и гучжэном на коленях, требующий определиться, что это за "частота". Зачастую он употребляет словосочетание "частота Найквиста" и несколько постов блещет знаниями 2-3 курса технического ВУЗа. Тем не менее, на мой взгляд имеется терминологическая неопределённость. В русскоязычной Википедии есть статья "Транзакции в секунду", англоязычным аналогом которой является статья "Transfer (computing)". В ней упоминаются словосочетания "transfers per second" и "sample rate". Последнее переводится на русский, как "частота дискретизации". И употребляется обычно в контексте АЦП/ЦАП. На ваш взгляд, в контексте передачи данных по параллельным шинам, как следует называть величину, измеряемую в транзакциях в секунду?

Великолепно!

Ага! Спасибо!

Во-первых: спасибо! Во-вторых: в хелпе написано, что "To access: Double-click a coupled transmission line to open the Edit Transmission Line dialog box". Однако я двое-щёлкаю по линии, а ничего не открывается. ЧЯДНТ?

Спасибо!

Разбираюсь с HyperLynx-ом. Набросал простую двухслойку и импортировал её в HyperLynx. Настроил параметры стека, выделил линию, настроил резисторы на ней, входу и выходу назначил IBIS-ы. Нажал "Simulate SI->Run Interactive Simulation" - всё отрисовалось замечательно, почти как на осциллографе. Возникло желание преобразовать дорожку в схему и добавить на схему кое-чего. Нажал "Export->Net To->Free Form Schematic". HyperLynx выругался, что в стеке не задан опорный слой. Указал в стеке опорный слой - HyperLynx создал схему с входным и выходным буфером, резисторами, переходными отверстиями и линиями передач. Но! У меня на схеме копланарная линия с полигонами по бокам. А HyperLynx при экспорте, видимо, отсёк всё лишнее, включая полигоны на верхнем слое. И в результате, похоже, рассчитал импеданс дорожки, не как у копланарной, а как у микрополосковой линии. Естественно тот оказался сильно больше, чем надо. Как в HyperLynx экспортировать дорожку на плате в схему так, чтобы он учёл полигоны по бокам от дорожки?

Судя по данному обсуждению, бесплатный KiCad не умеет экспортировать ODB++. А есть ли вообще что угодно бесплатное, в чём можно из герберов, палок и навоза собрать ODB++?

Спасибо. После втягивания ODB++ (и, опционально, настройки стека) можно щёлкнуть по любому сегменту линии правой кнопкой, выбрать View Field-Solver Output, затем в открывшемся окне нажать кнопку Start и через секунду - View (Numerical Result).

Здесь вы правы. Большинство (33,6%) DRAM установлено в мобильных устройствах. А здесь вы ошибаетесь. PC DRAM - 18,3% рынка, плюс 27,3% - серверная память. Итого 45,6% - на модулях.

Есть ли в HyperLynx калькулятор импеданса копланарной линии? Такой, как у Si8000 - чтобы ввести толщину, ширину, зазор, проницаемость и - бам! - он покажет импеданс?