[MikeSchir 1]

К = М/SQRT(Lm*Ln) - из официальной справки к микрокапу. Если правильно помню, оно к Вашей формуле приводится.

Я ж не против Вашей формулы, я за :rolleyes: но как измерить М? А индуктивность рассеяния измеряется всем известным способом, и "моя" формула для этого случая. Соответствие одного другому можете проверить :rolleyes:

 

Это же трансформатор, а не дроссель.

Когда у него нет тока в первичной обмотке, он - "чистая" индуктивность, а размагнититься он должен как раз в это время (в паузе). И если он не успеет размагнититься, то это может привести к насыщению сердечника ТТ и к тем самым неприятностям, о которых Вы писали выше.

[Integrator1983 0]

Когда у него нет тока в первичной обмотке, он - "чистая" индуктивность

 

Мне не очень понятна применимость в данном случае постоянной времени t= L/R. Исходя из вольт-секундного баланса, при паузе 2% и рабочем цикле 98% 130 ом должно быть достаточно (хотя, лучше - больше).

[MikeSchir 1]

Хотя, в районе 130 Ом минимум нужно (при 2*D=0.98).

Я думаю, значительно больше 130 Ом. Недавно в какой-то теме мы это обсуждали (если найду дам ссылку).

Минимальная пауза должна быть п=3*t, тогда R=L/t=3*L/п, если пауза 0,3 мкс, то R=3*5600мкГн/0,3мкс=56000Ом=56кОм. На самом деле здесь обязательно вмешаются паразитные ёмкости (монтажа, вторичной обмотки, диода), и неплохо бы подумать хорошо ли для данного случая выбрано такое включение ТТ. Может быть его - в диагональ?

Нашёл: http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=130627

Изменено 2 декабря, 2015 пользователем MikeSchir

[raptor 0]

Еще уменьшая емкость Сr, можно получить картинку как у меня.

выбор оптимальной ёмкости связан со значением индуктивности рассеяния трансформатора или дополнительного дросселя в этой роли.

[Integrator1983 0]

Минимальная пауза должна быть п=3*t, тогда R=L/t=3*L/п, если пауза 0,3 мкс, то R=3*5600мкГн/0,3мкс=56000Ом=56кОм.

 

56k - это ересь.

Вольт-секундный интеграл:

V1*ton=V2*toff.

Если пауза = 2%, рабочий цикл - 98%, то V2=49*V1.

 

По схеме автора топика:Vcsmax=2.5В. 2.5В/1.5Ом=1,66А (ток R24). На вторичке ТТ(+0,5В на диоде) - 3В.

Необходимое напряжение размагничивания - 3В*49=147В. Размагничивающий резистор 147В/1,66А=88Ом min. Плюс запас 50% (на восстановление диода, его емкость и т.п.) - итого 130-150 ом вполне достаточно. Где здесь 56кОм - в упор не вижу.

[MikeSchir 1]

56k - это ересь.

 

По схеме автора топика:Vcsmax=2.5В. 2.5В/1.5Ом=1,66А (ток R24). На вторичке ТТ(+0,5В на диоде) - 3В.

Необходимое напряжение размагничивания - 3В*49=147В. Размагничивающий резистор 147В/1,66А=88Ом min. Плюс запас 50% (на восстановление диода, его емкость и т.п.) - итого 130-150 ом вполне достаточно. Где здесь 56кОм - в упор не вижу.

Пытаясь остановить оппонента выкриками о ереси, Вы показываете, что не готовы слушать кого-нибудь, кроме себя.

И тем не менее продолжим.

А откуда Вы взяли, что после окончания рабочего хода ток во вторичной обмотке =1,66А? Такой величины ток мог протекать во вторичной обмотке, но там протекал ток другой величины около 38 мА.

Uвых=220В; Rнагр-100 Ом; Iвых=220/100=2,2А; Nтр=1,7; амплитуда тока первичной обмотки I1=2,2А*1,7=3,74А; коэффициент трансформации трансформатора тока (ТТ)=корень(5600мкГн/0,56мкГн)=100; ток во вторичной обмотке ТТ=3,74/100=0,0374А=37,4мА. Вот! И чтобы получить на нагрузке ТТ 2,5В (это Ваши данные) нагрузка должна быть=2,5В/0,0374А=66,8 Ом. Но из анализа схемы контроллера LTC3722 можно узнать, что напряжение срабатывания по входу CS=0,3В, т.о. нагрузка ТТ=0,3В/0,0374А=8,02 Ом. При наличии slope compensation нужно поставить немного меньше, но это уже другая сказка :rolleyes: , см. ДШ на контроллер.

Напряжение на вторичной обмотке ТТ U2тт=0,3В+0,5В(напряжение открытого диода)=0,8В; судя по осциллограммам длительность полупериода T/2=7мкс(примерно); максимальный ток намагничивания Iu=(U2тт*T/2)/L2тт(индуктивность вторичной обмотки ТТ)=(0,8В*7мкс)/5600мкГн=0,001А=1,0мА.

Если мы хотим размагнитить ТТ за время равное 2% от T/2, т.е. 0,14мкс, то нам нужно сделать это напряжением прямоугольной формы в 50 раз больше чем мы его намагничивали, т.е. 0,8*50=40В. Если мы будем размагничивать с помощью резистора параллельного вторичной обмотке ТТ, то напряжение будет иметь в идеале экспоненциальную форму, т.е. чтобы сохранить вольт-секунды, его амплитуда будет раза в три больше (пусть 100В), т.о. величина резистора размагничивания будет более 100кОм (100В/1иА=100кОм).

На самом деле в узле с ТТ бал правят паразитные ёмкости и форма напряжения будет отличаться от предполагаемой. Поэтому в схеме в ДШ на контроллер параллельно обмотке ничего нет, но при моделировании поставить что-то нужно.

Вот, как-то так. И где тут ересь?

А ересь – в том, что нужно больше чем 56кОм. Я так думаююю :rolleyes:

 

 

[Integrator1983 0]

ток во вторичной обмотке ТТ=3,74/100=0,0374А=37,4мА.

 

А не подскажите, куда деваются эти 37,4мА после закрытия диода?

 

то нам нужно сделать это напряжением прямоугольной формы

 

И по интервалу накачки Вы, наверное, абсолютно честный интеграл напряжения взяли?

 

напряжение будет иметь в идеале экспоненциальную форму

 

Вспомните, как зависит напряжение индуктивности от dI/dt.

 

Я в своих рассчетах исхожу из того, что ТТ - реальное устройство с конечной Ls (причем, не пренебрежимо малой), для которого выполняется равенство вольт-секундных интегралов со ступенчатой аппроксимацией (V1=Const на интервале t1, V2=Const на интервале t2). Паразитные параметры, экспоненты и логарифмы, а также легкое подмагничивание сердечника ТТ меня особо не интересуют. Эмпирически - размагничивающий резистор раз в 100-500 больше, чем нагрузочный. Как-то так.

[MikeSchir 1]

А не подскажите, куда деваются эти 37,4мА после закрытия диода?

Вообще то закрывается транзисторный ключ, через который протекает ток первичной обмотки ТТ (те самые 3,74А), который и создаёт эти 37,4мА во вторичной, а уже диод закрывается током намагничивания протекающим во вторичной обмотке ТТ в противоположном току нагрузки направлении. После закрытия диода, естественно, тока в цепи нагрузки нет и не может быть :rolleyes:

Здесь бы хорошо бы сослаться на какой нибудь источник, но к сожалению на столе у меня таких нет, а сослаться на ТОЭ (теоретические основы электротехники) - как-то не хочется пугать население форума, тем самым намекая на незнание ОСНОВ :rolleyes:

 

А не подскажите, куда деваются эти 37,4мА после закрытия диода? Или ТТ у Вас идеален?

 

И по интервалу накачки Вы, наверное, абсолютно честный интеграл напряжения взяли?

 

Я в своих рассчетах исхожу из того, что ТТ - реальное устройство с конечной Ls (причем, не пренебрежимо малой), для которого выполняется равенство вольт-секундных интегралов со ступенчатой аппроксимацией. Паразитные параметры, экспоненты, легкое подмагничивание сердечника ТТ меня особо не интересуют. Эмпирически - размагничивающий резистор раз в 100-500 больше, чем нагрузочный. Как-то так.

На первый вопрос я уже ответил.

По второму вопросу могу ответить каламбуром: ТТ идеален в своей реальности, т.к. процессы протекающие в нём при выключении сливаются с процессами выключения транзисторного ключа. В ТОЭ токовый трансформатор - особый трансформатор и рассматривается особо.

По третьему вопросу. Вам неплохо бы самому добавить аргументов и описаний, чтобы на него можно было бы ответить.

По поводу эмпирических величин. Согласен с

раз в 100-500 больше, чем нагрузочный

если бы речь шла о однотактнике, в котором длительность импульса и паузы соизмеримы. Но нам нужно размагнитить ТТ за очень короткое время и здесь хорошо бы было отбросить эмпирику и подумать, особенно если что-то не получается. А эмпирику оставить писателям курсовых и дипломных проектов :rolleyes:

И ещё, в заключение. Обладая и умея пользоваться таким мощным инструментом как симуляторы, взять и посмотреть процессы протекающие в любой точке и на любом участке схемы моделируемого устройства - дело секундное.

Изменено 3 декабря, 2015 пользователем MikeSchir

[Integrator1983 0]

Вообще то закрывается транзисторный ключ, через который протекает ток первичной обмотки ТТ (те самые 3,74А), который и создаёт эти 37,4мА во вторичной, а уже диод закрывается током намагничивания протекающим во вторичной обмотке ТТ в противоположном току нагрузки направлении. После закрытия диода, естественно, тока в цепи нагрузки нет и не может быть

 

Когда у него нет тока в первичной обмотке, он - "чистая" индуктивность

 

Понятно. Позволю себе ответить Вам цитатой ув.Tiro из ветки, ссылу на которую Вы давали выше:

 

Схему замещения нарисуйте, помножьте Lxx на dI/dt. Может что новое узнаете.

 

Также - рекомендую все-таки вспомнить формулу Vl=L*dI/dt и подсмотреть в таблице производных, что происходит с первообразной при смене знака производной.

 

А идеальные реальные трансформаторы, которые вообще особые и не подчиняются общей теории - это не ко мне.

 

если бы речь шла о однотактнике, в котором длительность импульса и паузы соизмеримы.

 

Просто соберите макет и осциллографом посмотрите. Для разных tDt/D.

 

[MikeSchir 1]

Понятно. Позволю себе ответить Вам цитатой ув.Tiro из ветки, ссылу на которую Вы давали выше:

 

Также - рекомендую все-таки вспомнить формулу Vl=L*dI/dt и подсмотреть в таблице производных, что происходит с первообразной при смене знака производной.

Вам наверное понравилось в ответе хамство? Вы наверное не дочитали ту тему до конца? И почему вы так не хотите разъяснить мне, то что, как Вам кажется, я не понял, а Вы всё намеками и намёками :rolleyes:. Где я нарушил закон электромагнитной индукции? подскажите.

А идеальные реальные трансформаторы, которые вообще особые и не подчиняются общей теории - это не ко мне.

Прочитайте мой текст без предвзятости. Я ни слова не сказал о том что ТТ не подчиняются

общей теории

, я наоборот отослал Вас к ТОЭ.

Просто соберите макет и осциллографом посмотрите. Для разных tDt/D.

Не советуйте мне такого :rolleyes: Я уже лет 25 не делаю макетов до опытного образца, это в полном смысле - прошлый век :rolleyes: С помощью симулятора можно решать большинство вопросов проектирования. Что и Вам желаю :rolleyes:

Изменено 3 декабря, 2015 пользователем MikeSchir

[нищеброд 0]

если бы речь шла о однотактнике, в котором длительность импульса и паузы соизмеримы. Но нам нужно размагнитить ТТ за очень короткое время и здесь хорошо бы было отбросить эмпирику и подумать, особенно если что-то не получается.

И ещё, в заключение. Обладая и умея пользоваться таким мощным инструментом как симуляторы, взять и посмотреть процессы протекающие в любой точке и на любом участке схемы моделируемого устройства - дело секундное.

Вот в однотакте у меня время размагничивания токового транса очень маленькое(особенно в режиме ХХ).

Вы вроде ратуете за симулятор, а говорите исключительно буквами.

Изменено 3 декабря, 2015 пользователем нищеброд

[MikeSchir 1]

Вот в однотакте у меня время размагничивания токового транса очень маленькое(особенно в режиме ХХ).

Вы вроде ратуете за симулятор, а говорите исключительно буквами.

Вы поставили ТТ в диагональ однотактного моста, ток в ней не прерывается, что видно по первой диаграмме. И почему Вы считаете что ТТ размагничивается очень быстро? Я этого не вижу. Вы не показали где находится точка n032? На схеме нет номеров узлов.

Мы обычно ставим ТТ непосредственно в сток одного из транзисторов. В этом случае ток в ТТ прерывается и вокруг его вторичной обмотки (L10)не приходится городить ничего лишнего.

А что непонятного я сказал словами? Чего не хватает? Если то, что я Вам написал выше требует подтверждения, промоделируйте сами, а для меня это очевидно.

[_gari 4]

мне вот кажется, что все ранее выступившие по поводу ТТ в определенной степени не правы :rolleyes:

 

MikeSchir, забывает, что трансформатор обратимый девайс, т.е. размагничивание может происходить как по вторичной обмотке, так и по первичной.

 

Скорее вопрос размагничивания во вторичной обмотке следует отнести к размагничиванию индуктивности рассеяния ТТ, а не самой индуктивности вторичной обмотки. В результате величины изменяться примерно на порядок.

 

У Нищеброда в модели индуктивность ТТ L10 сопоставима с параллельно включеной L11.

 

Для примера, Кольцо 20-12-6 N87 100 витков L =15мГн Lr =1,5мГн

 

 

Для расчета трасформатора тока у меня было несколько лет назад кое что написано здесь http://valvol.ru/topic1137.html

Изменено 3 декабря, 2015 пользователем _gari

[FMC 0]

UCC3895 хорошая микросхема, работает нормально. По началу на те же грабли наступал - пытался отлаживать схему при малой нагрузки, там и вправду "ерунда" получается ))). Начинайте сразу с номинальной нагрузки, а для исключения звона на выпрямительных диодах RC цепи достаточно. Считается просто - конденсатор в районе 1000пф для вашего напряжения, больше не надо, иначе потери на резисторах будут большими. Для начала возьмите резистор в районе 10-47 ом, включите источник и померьте период колебаний напряжения на диоде, будут затухающие по экспоненте колебания. дальше зная период по формуле Т=2*Pi* кв.корень (L*C) найдите индуктивность. Величина резистора в RC должна равняться волновому сопротивлению колебательного контура, т.е. кв.корень из (L/C). Замените резистор на получившийся и наступит счастье!!!!

[Vlas 0]

UCC3895 хорошая микросхема, работает нормально. По началу на те же грабли наступал - пытался отлаживать схему при малой нагрузки, там и вправду "ерунда" получается ))). Начинайте сразу с номинальной нагрузки, а для исключения звона на выпрямительных диодах RC цепи достаточно. Считается просто - конденсатор в районе 1000пф для вашего напряжения, больше не надо, иначе потери на резисторах будут большими. Для начала возьмите резистор в районе 10-47 ом, включите источник и померьте период колебаний напряжения на диоде, будут затухающие по экспоненте колебания. дальше зная период по формуле Т=2*Pi* кв.корень (L*C) найдите индуктивность. Величина резистора в RC должна равняться волновому сопротивлению колебательного контура, т.е. кв.корень из (L/C). Замените резистор на получившийся и наступит счастье!!!!

На холостом я уже её укротил. Описанные проблемы относятся к номинальной.