Jump to content

    

Коммутатор положительно питания 12V 70А

Plain, так же мило, как и потери в меди:

 

ширина платы 6,5см - это длина проводника от вх плюса к вых плюсу

ширина дорожки - полплаты, пусть дублируется с другой стороны - полплаты плюс полплаты = одна ширина платы = 30мм

толщина меди 35мкм - сечение проводника 1кв.мм - ток 70А - ро меди мы все знаем - тепловыделение 5,2Вт

 

если толщина меди 70мкм, тепловыделение в 2 раза меньше, но всё равно - 2.5Вт - и это только с плюсовой дорожки. Минусовая такая же.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Порог защиты 50 мА? С учётом размера темы, выглядит на редкость мило.

Почему 50 мА?

Ах... да! Я я то думаю что какое малое сопротивление. Подумаешь три порядка потерял :wacko:.

Вот:

Rds_on(75 гард.С)=0.00125/3=0.00042 Ом

примем: Iзащ=100А, тогда Uds=100*0,00042=0,042 В

Irvds = 1 мА = 0,001 А (точка срабатывания компаратора).

итого: Rvds = Uds/Irvds = 0.042/0.001 = 42 Ом. Для двух транзисторов 62,5 Ом.

 

 

Plain, так же мило, как и потери в меди:

 

ширина платы 6,5см - это длина проводника от вх плюса к вых плюсу

ширина дорожки - полплаты, пусть дублируется с другой стороны - полплаты плюс полплаты = одна ширина платы = 30мм

толщина меди 35мкм - сечение проводника 1кв.мм - ток 70А - ро меди мы все знаем - тепловыделение 5,2Вт

 

если толщина меди 70мкм, тепловыделение в 2 раза меньше, но всё равно - 2.5Вт - и это только с плюсовой дорожки. Минусовая такая же.

 

Дааа.... что то тут надо делать... Думаю пропаивать толстым проводом сечением около 1 мм2, штуки по 3 на каждой стороне.

 

 

Спасибо Вам за замечания!!! На обратной стороне предусмотрел доп провода, а теперь вижу и на top-е тоже надо.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Такая версия ПП:

post-34339-1407761482_thumb.png

post-34339-1407761508_thumb.png

 

Размеры 71*31 мм.

Места вскрытия маски будут пропаяны проводом 1-1,5 мм (0,8-1,8 мм2).

Edited by MegaElektronik

Share this post


Link to post
Share on other sites

я монтаж сделал бы медными шинами, закреплёнными на печатной плате.

ключи выбрал бы в более крупном корпусе - у него механическая прочность выше, например IRF1324.

Не забывайте, что к плате будут подведены толстые провода, которые будут всяко жёстче, чем печатная плата. И все возможные изгибы будут приходиться именно на неё. А у вас там SMD.

 

Если проблемы с медью, то купите, не знаю, медной трубы кусок, что ли. и разрежьте её.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Отчитываюсь. Но ток пока 10А (вопрос по блоку питания и по нагрузке).

Медь 35мкм.

Сопротивление по полюсу на меди 0.9 мОм.

Сопротивление по минус на меди 0.7 мОм.

Сопротивление трёх транзисторов 0.32 мОм.

Т.е. одного 1.07мОм.

Транзистор PSMN1R0-30YLC.

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Продолжу...

Напаял круглый медный провод диаметром 1.4 мм. См. рисунки выше.

На + пять проводков и по входу и по выходу.

На - три проводка.

Итого:

По полюсу 0.46 мОм

По минус 0.34 мОм

На транзисторах как и было 0.32 мОм.

 

Но! Есть неоднозначность сопротивления на клеммах.

В планах сделать нормальные клеммы, а не тяп ляп как сейчас.

Edited by MegaElektronik

Share this post


Link to post
Share on other sites

При 43 А платка нагревается примерно на 20 - 25 градусов.

При таком токе пришлось в затвор транзисторов поставить 10 Ом вместо 0, иначе происходили перезапуски микросхемы.

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Это из-за суммарной емкости 3 шт затворов под 21nF!, микросхема едва тянет. 10 Ом каждому немного спасают, увеличив до 30...50 Ом будет получше. Но все равно, надёжность низкая. Нужно вам подумать о распределении этой коммутащионной емкости. Провод можно и 3mm брать, ещё лучше медную оплетку с оловом запаять в этих местах. Да и расстояние можно сократить было вдвое, тогда с сопротивлением былоб совсем хорошо. Да еще, база транзистора перед драйвером должна быть к земле привязана.

Share this post


Link to post
Share on other sites

У меня близкая задача (Коммутация батарей 24 V, 80 Ампер, горячий резерв), думаю вопрос в рамках топика:

Не могу понять, у модулей, например IXYS, основание к какому-то сигналу подключено? Его не нужно от шасси, к которому прикручиваю, изолировать ?

Там картинка такая:

 

Очень мне нравиться M4 закручивать, а не непонятно как припаиваться, да и крепление к шасси достойное. Но про основание и его подключение к внутреннему кристаллу транзистора в даташите ни слова.

Share this post


Link to post
Share on other sites
в даташите ни слова

VISOL ...

 

не непонятно как припаиваться

Тогда проще обычными транзисторами набрать.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Plain, благодарствую! Спасибо большое!

 

Про "набрать обычными транзисторами"- это как раз то что я не понимаю и не хочу. Как мой 4 AWG проводочек к контакту типа "гайка M4" прикрутить я еще понимаю. А как к TO-220 это 4 AWG (ну, пусть хоть 8 AWG) приматывается- любопытно, но делать не буду.

По-моему, замечательный модуль за свои деньги, и крепление подходящее (200 A в даташите). Не уверен что самопал при штучном производстве лучше выйдет.

Share this post


Link to post
Share on other sites
А как к TO-220 это 4 AWG (ну, пусть хоть 8 AWG) приматывается- любопытно, но делать не буду.

Примерно наподобие как на картинках топикстартера, но TO220 формовать и припаивать как TO252 :)

Share this post


Link to post
Share on other sites
Но про основание и его подключение к внутреннему кристаллу транзистора в даташите ни слова.

Основание изолировано.

В даташите фраза "with Aluminium Nitride Isolation" об этом говорит.

Косвенно еще есть "Isolation Voltage 2500 V~" - это как раз изоляция кристалл-основание.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this