[ViKo 1]

Попробую ответить нечитателю на то, что осилил понять. Без лишнего цитирования (вообще без цитирования).

 

Смотрим datasheet на Power MOSFET IRF540N. Читаем среди ключевых характеристик:

Ultra Low On-Resistance

Fast Switching

Не говорит ли это, что это транзистор, предназначенный для переключения мощных токов?

 

Смотрим картинку Fig 3. Не видите резкого порога переключения? Так ведь там масштаб по вертикали логарифмический. Нарисуйте в линейном, увидите порог.

 

Про излишнее цитирование. Бывает часто. Так проще отвечать. Я, во всяком случае, стараюсь ограничивать цитату до разумного предела.

 

Вот ваше сообщение - почти весь монитор у меня заняло. И каков к.п.д.? Надо ввести термин - коэффициент полезности сообщения. :)

 

P.S. И, наконец, солидарен с Herz - подозреваю воздействие алкоголя. Признаетесь? :)

[Mike18 0]

Вместо TO-220AB на разведённую плату вполне себе приемлемо мог бы

втиснуться какой-нибудь DTD113ZS или DTD113ES. В рамках коммутации

одной ранее засвеченной в топике "лампочки", разумеется.

 

 

P.S.

 

P.P.S. Кстати, ещё раз за параметр VGS(th) IRF540N.

При 2-х Вольтах на затворе и 250 мкА в стоке, сопротивление некоторых

ключей может быть 8 кОм, а других некоторых, при 4-х Вольтах, и все 16...

Через тернии, так сказать, и от экземпляра к экземпляру. :rolleyes:

Изменено 25 октября, 2011 пользователем Mike18

[ipf 0]

Дабы не плодить темы, подниму старую тему. Подскажите , mosfet irf540n . Gate Threshold Voltage от 2 до 4 вольт. То есть на сколько я понимаю, если у меня контроллер работает от 3.3 вольта то лог. уровень на выходе контроллера 3.3 вольта а значит если я подключу данный мосфет к выводу мк и подам 3.3 вольта я не смогу полностью открыть мосфет? Нужен ШИМ на 12 вольт. Пришлось вернутся к этой теме. Заранее спасибо.

Изменено 19 августа, 2012 пользователем ipf

[proxi 0]

а еще и входная емкость

[Myron 0]

Дабы не плодить темы, подниму старую тему. Подскажите , mosfet irf540n . Gate Threshold Voltage от 2 до 4 вольт. То есть на сколько я понимаю, если у меня контроллер работает от 3.3 вольта то лог. уровень на выходе контроллера 3.3 вольта а значит если я подключу данный мосфет к выводу мк и подам 3.3 вольта я не смогу полностью открыть мосфет? Нужен ШИМ на 12 вольт. Пришлось вернутся к этой теме. Заранее спасибо.

Поскольку порог Мин=2В Мах=4В, то некоторые мосфеты из партии будут стараться переключиться при Ваших 3.3В. Но, т.к. гарантированный ток при этом диапазоне на входе, только 250 мкА, то, практически при приличных токах в нагрузке (несколько А) работать схема не будет. Есть 3 варианта:

- Подобрать мосфет с достаточно малым порогомю

- Использовать специальные ключи верхнего уровня с малым напряжением входа.

- Использовать пристегнутую схемую При этом Q1 должен иметь достаточно малый порог, но может быть маломощным. Модно найти 2 транзистора в корпусе.

[ipf 0]

Можно ли использовать полевик а им открывать затвор на мосфете?

Вот по такой схеме

Изменено 19 августа, 2012 пользователем ipf

[Myron 0]

Можно ли использовать биполярный транзистор а им открывать затвор мосфетA?

Можно. Но в Вашем и в моем варианте с двумя транзисторами или даже только с одним нужно защищать выход МК, которым управляется эта схема. Из-за паразитной емкости коллектор-база может произойти пробой выхода МС при переходах состояний. На встроенную в МК защиту не не рассчитывайте.

[ipf 0]

Между выходом мк и резистором идущим на базу первого транзистора хватит ли диода для защиты?

[DogPawlowa 0]

Можно ли...

1) Напряжение Vcc чему равно? Максимальное напряжение на затворе обычно 10 В

2) ну а тему скорости включения и перегрева наверняка затронули уже.

[ipf 0]

напряжение на Vcc ~12 Волт

[Myron 0]

Между выходом мк и резистором идущим на базу первого транзистора хватит ли диода для защиты?

Последовательный диод - это хорошо. Я еще добавляю TVS на 3.3В и диод на защиту от отрицательного напряжения, если нагрузка подозрительная (с индуктивностью). Вот так будет хорошо для надежной индустриальной разработки.

[ipf 0]

Вот для себя сообразил такую схему

[тау 29]

Вот для себя сообразил такую схему

Поставьте FAN3111E в корпусе SOT23-5 и эта штучка сразу заменит 6 ваших деталей.

[Myron 0]

Вот для себя сообразил такую схему

Полагаю неплохо. Одно замечание. Пробивное обратное напряжение База-Эммитер биполярного транзистора примерно 5.6В. Если нагрузка имеет индуктивный характер. то ему может быть плохо при переключениях. Лучше применить полевик (минимум 12В или с защитой внутри). При применении биполярного транзистора в этом случае, даже с дополнительным диодом шоттки некуда отводить его паразитный ток земля-база при индуктивности в нагрузке и переключениях.

Ну или применяйте ключ верхнего уровня, как например советует тау.

[Plain 226]

или применяйте ключ верхнего уровня, как например советует тау

Ничего подобного. FAN3111E — это обычный нижний драйвер NMOS, и, главное, он нормально выключен, а та самодельщина, что вы обсуждаете — это тоже нижний драйвер, но нормально включённый.

 

Начните с того, что это за нагрузка, и что с ней будет от неопределённо долгого воздействия номинального напряжения питания.