ViKo 1 25 октября, 2011 Опубликовано 25 октября, 2011 · Жалоба Попробую ответить нечитателю на то, что осилил понять. Без лишнего цитирования (вообще без цитирования). Смотрим datasheet на Power MOSFET IRF540N. Читаем среди ключевых характеристик: Ultra Low On-Resistance Fast Switching Не говорит ли это, что это транзистор, предназначенный для переключения мощных токов? Смотрим картинку Fig 3. Не видите резкого порога переключения? Так ведь там масштаб по вертикали логарифмический. Нарисуйте в линейном, увидите порог. Про излишнее цитирование. Бывает часто. Так проще отвечать. Я, во всяком случае, стараюсь ограничивать цитату до разумного предела. Вот ваше сообщение - почти весь монитор у меня заняло. И каков к.п.д.? Надо ввести термин - коэффициент полезности сообщения. :) P.S. И, наконец, солидарен с Herz - подозреваю воздействие алкоголя. Признаетесь? :) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Mike18 0 25 октября, 2011 Опубликовано 25 октября, 2011 (изменено) · Жалоба Вместо TO-220AB на разведённую плату вполне себе приемлемо мог бы втиснуться какой-нибудь DTD113ZS или DTD113ES. В рамках коммутации одной ранее засвеченной в топике "лампочки", разумеется. P.S. P.P.S. Кстати, ещё раз за параметр VGS(th) IRF540N. При 2-х Вольтах на затворе и 250 мкА в стоке, сопротивление некоторых ключей может быть 8 кОм, а других некоторых, при 4-х Вольтах, и все 16... Через тернии, так сказать, и от экземпляра к экземпляру. :rolleyes: Изменено 25 октября, 2011 пользователем Mike18 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ipf 0 19 августа, 2012 Опубликовано 19 августа, 2012 (изменено) · Жалоба Дабы не плодить темы, подниму старую тему. Подскажите , mosfet irf540n . Gate Threshold Voltage от 2 до 4 вольт. То есть на сколько я понимаю, если у меня контроллер работает от 3.3 вольта то лог. уровень на выходе контроллера 3.3 вольта а значит если я подключу данный мосфет к выводу мк и подам 3.3 вольта я не смогу полностью открыть мосфет? Нужен ШИМ на 12 вольт. Пришлось вернутся к этой теме. Заранее спасибо. Изменено 19 августа, 2012 пользователем ipf Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
proxi 0 19 августа, 2012 Опубликовано 19 августа, 2012 · Жалоба а еще и входная емкость Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Myron 0 19 августа, 2012 Опубликовано 19 августа, 2012 · Жалоба Дабы не плодить темы, подниму старую тему. Подскажите , mosfet irf540n . Gate Threshold Voltage от 2 до 4 вольт. То есть на сколько я понимаю, если у меня контроллер работает от 3.3 вольта то лог. уровень на выходе контроллера 3.3 вольта а значит если я подключу данный мосфет к выводу мк и подам 3.3 вольта я не смогу полностью открыть мосфет? Нужен ШИМ на 12 вольт. Пришлось вернутся к этой теме. Заранее спасибо. Поскольку порог Мин=2В Мах=4В, то некоторые мосфеты из партии будут стараться переключиться при Ваших 3.3В. Но, т.к. гарантированный ток при этом диапазоне на входе, только 250 мкА, то, практически при приличных токах в нагрузке (несколько А) работать схема не будет. Есть 3 варианта: - Подобрать мосфет с достаточно малым порогомю - Использовать специальные ключи верхнего уровня с малым напряжением входа. - Использовать пристегнутую схемую При этом Q1 должен иметь достаточно малый порог, но может быть маломощным. Модно найти 2 транзистора в корпусе. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ipf 0 19 августа, 2012 Опубликовано 19 августа, 2012 (изменено) · Жалоба Можно ли использовать полевик а им открывать затвор на мосфете? Вот по такой схеме Изменено 19 августа, 2012 пользователем ipf Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Myron 0 19 августа, 2012 Опубликовано 19 августа, 2012 · Жалоба Можно ли использовать биполярный транзистор а им открывать затвор мосфетA? Можно. Но в Вашем и в моем варианте с двумя транзисторами или даже только с одним нужно защищать выход МК, которым управляется эта схема. Из-за паразитной емкости коллектор-база может произойти пробой выхода МС при переходах состояний. На встроенную в МК защиту не не рассчитывайте. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ipf 0 19 августа, 2012 Опубликовано 19 августа, 2012 · Жалоба Между выходом мк и резистором идущим на базу первого транзистора хватит ли диода для защиты? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
DogPawlowa 0 19 августа, 2012 Опубликовано 19 августа, 2012 · Жалоба Можно ли... 1) Напряжение Vcc чему равно? Максимальное напряжение на затворе обычно 10 В 2) ну а тему скорости включения и перегрева наверняка затронули уже. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ipf 0 19 августа, 2012 Опубликовано 19 августа, 2012 · Жалоба напряжение на Vcc ~12 Волт Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Myron 0 19 августа, 2012 Опубликовано 19 августа, 2012 · Жалоба Между выходом мк и резистором идущим на базу первого транзистора хватит ли диода для защиты? Последовательный диод - это хорошо. Я еще добавляю TVS на 3.3В и диод на защиту от отрицательного напряжения, если нагрузка подозрительная (с индуктивностью). Вот так будет хорошо для надежной индустриальной разработки. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ipf 0 19 августа, 2012 Опубликовано 19 августа, 2012 · Жалоба Вот для себя сообразил такую схему Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
тау 31 19 августа, 2012 Опубликовано 19 августа, 2012 · Жалоба Вот для себя сообразил такую схему Поставьте FAN3111E в корпусе SOT23-5 и эта штучка сразу заменит 6 ваших деталей. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Myron 0 19 августа, 2012 Опубликовано 19 августа, 2012 · Жалоба Вот для себя сообразил такую схему Полагаю неплохо. Одно замечание. Пробивное обратное напряжение База-Эммитер биполярного транзистора примерно 5.6В. Если нагрузка имеет индуктивный характер. то ему может быть плохо при переключениях. Лучше применить полевик (минимум 12В или с защитой внутри). При применении биполярного транзистора в этом случае, даже с дополнительным диодом шоттки некуда отводить его паразитный ток земля-база при индуктивности в нагрузке и переключениях. Ну или применяйте ключ верхнего уровня, как например советует тау. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 201 19 августа, 2012 Опубликовано 19 августа, 2012 · Жалоба или применяйте ключ верхнего уровня, как например советует тау Ничего подобного. FAN3111E — это обычный нижний драйвер NMOS, и, главное, он нормально выключен, а та самодельщина, что вы обсуждаете — это тоже нижний драйвер, но нормально включённый. Начните с того, что это за нагрузка, и что с ней будет от неопределённо долгого воздействия номинального напряжения питания. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться