[Dragon_Fly 0]

Где можно нарыть детальную информацию по предоставляемым TSMC (и, возможно, другими фабриками) компилируемым блокам памяти? Особенно волнует примерное потребление и оптимальные конфигурации блоков. Я не специалист в ASIC, - прошу заранее простить, если спрашиваю глупость.

 

До сих пор мне попадались лишь отдельные извлечения маркетингового характера, типа такого: “The SRAM cell size is about half that of the 65nm process technology. The high density SRAM 0.242мm2 cell is the smallest available in the 45/40nm generation.”

Где бы найти подробный первоисточник?

 

[cdsinit 0]

Можно посмотреть имеющийся ассортимент здесь: www.design-reuse.com

Характеристики описаны скудно. Для получения дополнительной информации придется связываться с разработчиком.

[Dragon_Fly 0]

Увы, я там вообще никаких характеристик не вижу. Может подскажете хотя бы порядок величин по потреблению или цифири для каких-то частных случаев?

А вообще странно. Должен же быть где-то калькулятор, чтобы мощу считать. Для плисов и процессоров такие калькуляторы выкладывают.

[cdsinit 0]

Увы, я там вообще никаких характеристик не вижу. Может подскажете хотя бы порядок величин по потреблению или цифири для каких-то частных случаев?

А вообще странно. Должен же быть где-то калькулятор, чтобы мощу считать. Для плисов и процессоров такие калькуляторы выкладывают.

Информация почти "от первоисточника" - моделирование на транзисторном уровне с паразитами

Блок ARM 2Kx16 для TSMC65GPlus. Условия Typical.

Блок памяти расходует 16,2 пДж на операцию.

На 1 МГц по идее должен потреблять 16,2 пДж * 1 МГц / 1 Вольт = 0,0162 мА

Что собственно указано в таблице из datasheet, которая для частоты 1 МГц.

Таблица в datasheet получается в результате работы калькулятора, встроенного в компилятор памяти.

[Dragon_Fly 0]

cdsinit, данке щён!!!

 

Пытаюсь зарегится на АРМе, но пока не все могу скачать (а может этого и нет там), потому еще пара вопросов по приведенным цифрам:

1) объем памяти 2килослова? (на всякий случай уточняю)

2) есть ли сведения по статическому потреблению?

3) чтение и запись, видимо, по потреблению одинаковы, так?

4) память однопортовая?

 

[cdsinit 0]

1) объем памяти 2килослова? (на всякий случай уточняю)

2048 слов по 16 бит

2) есть ли сведения по статическому потреблению?

0,12 мВт в Typical,

4,5 мВт в FF/1,1/125/

3) чтение и запись, видимо, по потреблению одинаковы, так?

Примерно одинаковы, это видно по третьей картинке. Хотя и не равны.

4) память однопортовая?

Однопортовая

 

 

[Dragon_Fly 0]

4,5 мВт в FF/1,1/125/

 

это что значит?

 

 

4,5 мВт в FF/1,1/125/

 

это что значит?

 

[cdsinit 0]

FF - "Быстрый" процесс с большими утечками

1,1 - напряжение питания, повышенное на 10%

125 - температура

В этих условиях статическое потребление максимально.

 

[Dragon_Fly 0]

тогда самый последний вопрос: медленный (типичный) процесс на сколько МГц рассчитан?

[cdsinit 0]

тогда самый последний вопрос: медленный (типичный) процесс на сколько МГц рассчитан?

К процессу этот вопрос не применим. Можно сказать, на сколько МГц расчитана конкретная память по этому процессу.

Написано, что у CLK min_period=1.150 нс (типичные условия TT/1,0/25 - процесс/питание/температура)

=> 869 МГц максимум

 

В наихудших условиях (SS/0,9/125) память работает медленнее, и min_period=1.874

=> 533 МГц максимум

 

Микросхема должна проектироваться так, чтобы быть работоспособной как на быстром (FF), так и на медленном (SS) процессах.

Это необходимо для того, чтобы не терять выход годных при неизбежных технологических отклонениях на производстве.

[Dragon_Fly 0]

Спасибо!!