[rloc 43]

4 часа назад, chip_1 сказал:

мне нужно ее сузить до 10МГц. Как это сделать?

Полосу чего? Перестройки? Резистивный делитель + диод или транзистор по схеме с ОК.

[chip_1 0]

14 hours ago, rloc said:

Полосу чего? Перестройки? Резистивный делитель + диод или транзистор по схеме с ОК.

Вы имеете в виду делитель на входе управляющего вывода ГУНа? Я так и делал.

На фото ширина полосы от зеленого до желтого маркера примерно 200МГц. Изменением напряжения я ее могу только смещать вправо-влево. А мне нужно ее сузить до 10МГц.

[rloc 43]

Ограничитель напряжения на делителе, интеграторе и т.д. (Vbe > -7В)

  

3 часа назад, chip_1 сказал:

Изменением напряжения я ее могу только смещать вправо-влево.

Не понятно, каким образом Вы смещаете полосу. Сформулируйте пожалуйста вопрос точнее или нарисуйте схему.

[vhk 1]

20 hours ago, chip_1 said:

Подскажите пожалуйста, есть ГУН http://prob05c9e.pic20.websiteonline.cn/upload/YSGM232508_Datasheet-huashi.pdf

У него полоса около 200МГц. Изменением напряжения на управляющем выводе только смещает полосу, но мне нужно ее сузить до 10МГц. Как это сделать? Если это невозможно, подскажите вариант недорогого ГУНа на котором полосу можно двигать и изменять ширину. Или что бы полоса была  10-20МГц.

Ограничить напряжение перестройки "снизу" и "сверху" так что бы в заданном диапазоне изменений была перестройка 10 МГц. Если вас правильно понял. Пояснение на рисунке. 

[chip_1 0]

Всё, разобрался!

В тестовом варианте на входе была пила, я регулировал размах этой пилы, поэтому и такую широкую полосу давал ГУН. Отключил, подключил постоянное напряжение и сразу вырос один пик! То, что мне и нужно было!

Благодарю вас!

[Dark_Andrew 1]

Коллеги! 
Вышел каталог известной компании, в котором, в том числе, обзорно описывается развитие синтезаторов линейки ENO, которые реализуют уровень фазового шума -135 дБн/Гц на 10 ГГц, при отстройке 10 кГц. Статья по синтезатору "Малошумящий источник опорной частоты 3,2 ГГц" или ENO-3G-1xM была выложена на форум ранее, на стр.259.

Ссылка на каталог:

Каталог

 

[byRAM 24]

14 часов назад, Dark_Andrew сказал:

Ссылка на каталог:

Каталог

Жму на ссылку - ничего не происходит.

У кого ещё так?

[Dark_Andrew 1]

22 часа назад, byRAM сказал:

Жму на ссылку - ничего не происходит.

У кого ещё так?

Попробуйте эту

http://file.karelia.ru/9qst3z/

[byRAM 24]

29 минут назад, Dark_Andrew сказал:

Попробуйте эту

http://file.karelia.ru/9qst3z/

Спасибо, я разобрался, это только со смартфоном так.

Вечером сел за ПК и открыл без проблем файл от Advantex.

[rloc 43]

1 час назад, Losik сказал:

пропустил что вне основной полосы меняли

Прошу прощения, сначала написал внутри петли, потом поправил. Бывает, думаешь об одном, пишешь о другом.

Может подскажите, какую максимальную емкость можно сделать внутри микросхемы, в разумных габаритах, не в ущерб основной схеме?

[khach 33]

Подскажите плз, где можно почитать литературу по расчету полосы фильтра ФАПЧ с предустановкой ЦАПами. Вот как пример блок схема генератора Agilent. Как выбраны частоты диплексора ФАПЧ (crossower) 230 гц для разделения быстрого и медленного канала, как учитывать ФНЧ ЦАП предустановки обмотки 115Гц? ЖИГ тут показан толко как пример, для варакторных VCO эта проблема тоже  существует, только частоты по-выше.

[Losik 1]

1 hour ago, rloc said:

Прошу прощения, сначала написал внутри петли, потом поправил. Бывает, думаешь об одном, пишешь о другом.

Может подскажите, какую максимальную емкость можно сделать внутри микросхемы, в разумных габаритах, не в ущерб основной схеме?

пример расчёта емкостей pn перехода и ёмкости оксида для cmos технологии (finfet не проверял).

Соответственно можете прикинуть размер транзисторной емкости или её значение, зная размер.

Есть еще варакторы, их емкость более линейна но удельное значение не сильно выше будет.

Еще есть метальные емкости(MIM-MOM), их параметры зависит от технологии.

Если нужна большая емкость набирают стеком, снизу mos устройство, сверху MIM/MOM.

нужно понимать для каких применений емкость, не все подойдут для rf, а для LDO будет норм пойти любая. mos емкость нелинйная.

вот пример набор емкостей доступных в одной из технологии и их параметры, на графиках емкость на квадрат(1umx1um), для low voltage nmos, high voltage nmos, varactors low/high voltages and met cap:

соответсвтенно емкость 100pF для low voltage 165umx165um

если поверх положить метал емкость в стек то получим +27pF

127pF уже норм ескость для LDO на чипе, с ядром ~65umx65um

до 250pF ёмкости считаются норм для стандартных технологий. можно и десяток нан получить, заполняя дырки емкостными структурами.

если есть цифра то там в спец ячейках для заполения(филлеры) емоксть стоит. суммарная емкость может быть очень большой, зависит от цифры.

чем ниже нод тем емкость больше.

+ емкость может быть ограничена величиной утечки, проблема для mos емкостей например ток утечки на выходе CP в PLL попортит жизнь.

 

 

 

 

 

[тау 23]

9 часов назад, khach сказал:

Подскажите плз, где можно почитать литературу по расчету полосы фильтра ФАПЧ с предустановкой ЦАПами.

Имхо, полоса плл определяется из минимума интегрального шума , как обычно. Предустановка цапом не должна, кмк, влиять на выбор полосы, т.к выходной шум важнее иметь на минимуме. А при применении балансного смесителя в качестве ФД полоса захвата/удержания и критическую скорость изменения частоты гуна, можно подсмотреть у Манассевича начиная с уравнения 4.50. Критическую скорость изменения частоты гуна в приведенной схеме сначала рассчитывают из 4.50 (или 4.70) и из этого определяют, на каком участке переходной характеристики ПХ фильтра (115Гц-подозреваю что первого порядка 🙂, но не факт) ближе к установившемуся значению ПХ либо наоборот - на начальном участке, более линейном между мелкими шагами ЦАПа, скорость свипирования перед захватом будет соответствовать двум условиям:

1) Свипирование при поиске точки захвата меньше критической скорости;

2) Диапазон свипирования с учетом 1) точно перекроет погрешность начальной установки ГУН от малоразрядного ЦАПа.

Можно снижать полосу фильтра 115Гц для более надежного захвата. А можно и повышать, если предварительная калибровка ЦАП-ГУНа позволяет это провернуть. Где-то есть компромисс, который в формулах выразить трудно. Цель компромисса - минимальное время на захват петлей при полной надежности захвата.

230Гц взято не от удвоения от 115Гц. возможно просто на порядок или 2 ниже ширины петли. Возможно. Или из энергетических соображений ограничения питания на усилителе ИТУН основной катушки.

Это мои догадки, которые могут быть далеки от реального положения и хитростей, заложенных в ПО разработчиками. Интересно бы услышать более обоснованную версию.

 

[rloc 43]

22 часа назад, Losik сказал:

вот пример набор емкостей доступных в одной из технологии и их параметры

Спасибо, более чем подробно, не ожидал настолько развернутого ответа. Больше для самообразования и общего представления о возможностях современных технологий.

 

Несколько неудобно перед автором темы, Waso. Хорошо бы переместиться в параллельную реальность "Синтезаторы частот. От концепции к продукту".

[khach 33]

12 часов назад, тау сказал:

Это мои догадки, которые могут быть далеки от реального положения и хитростей, заложенных в ПО разработчиками.

Спасибо за развернутый ответ и точные ссылки на формулы Манассевича, будем думать. Если применительно ЖИгов то еще вылезла проблема гистерезиса при быстрой перестроке в зараенне неизвестную сторону (вверх или вниз по полю). Но это для другой темы, даже навено не "Синтезаторы частот. От концепции к продукту" а надо отдельную тему по ЖИГ если кому интересно будет.