НЕХ 6 18 октября, 2010 Опубликовано 18 октября, 2010 · Жалоба Решил, что панацеей от разлетающихся осколков корпусов транзисторов, будет слежение не только за амплитудой колебаний в контуре, получаемых с трансформатора тока, но и фазой. Синхронный детектор удержит индуктивный характер нагрузки полумоста. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 6 1 ноября, 2010 Опубликовано 1 ноября, 2010 · Жалоба Свеженькое по теме Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant Converter AN_9067.pdf Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
wave48 0 1 ноября, 2010 Опубликовано 1 ноября, 2010 · Жалоба На чём можно изящно решить задачу задержки фронта ? Винтовка Дегтярева плюс джигит. В чём промблемма? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 6 2 ноября, 2010 Опубликовано 2 ноября, 2010 · Жалоба Никаких проблем - задержка, в том виде, как была, не нужна и, более того, вредна. Слишком большое dead time приводит к бОльшим токам при выключении или к жесткому переключению (если прозевать момент смены направления тока). Необходима адаптивная задержка, следящяя за напряжением на стоке. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 6 3 ноября, 2010 Опубликовано 3 ноября, 2010 · Жалоба Причина выхода из строя на малой нагрузке кроется в медленном внутреннем диоде и постоянном слепом dead-time. Вредные заряды не рассасываются из него даже если на затвор подано напряжение ! Когда течёт через канал приличный ток, на сток-исток появляется напряжение и рассасывание носителей происходит быстрее, так как на внутреннем диоде уже обратное напряжение. APT9804.pdf Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 6 4 ноября, 2010 Опубликовано 4 ноября, 2010 · Жалоба перевод статьи попался - придётся ставить MOSFET с быстрым внутренним диодом, благо сегодня их выбор богат. Адаптивный алгоритм мёртвого времени обнаружился лишь у TEA1713 - следят за производной напряжения на силовом ключе. Не попадались ли Вам альтернативные решения ? __________MOSFET_2006_04.pdf TEA1713__AN10881.pdf Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Integrator1983 0 4 ноября, 2010 Опубликовано 4 ноября, 2010 · Жалоба LTC3722-1/2, UCC2895/UCC3895, UCC28950. Внешними цепями организовывается в UC2875/UC3875. Также можно применить DSP и толкового программиста. Первая регулирует DeadTime прямо по напряжению сток-исток, остальные - косвенно - по току моста. Если вставить DSP - как пожелаете. http://www.intersil.com/data/an/an9506.pdf - обратите внимание на Figure 17. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 6 11 ноября, 2010 Опубликовано 11 ноября, 2010 (изменено) · Жалоба А не доводилось ли Вам встречать такое бюджетное решение проблем в ZVS мостах : параллельно внутреннему паразитному диоду устанавливается маленький, МЕДЛЕННЫЙ (стандартный) диодик ? При прохождении возвратного тока заряд накапливается в обоих - внутреннем MOSFET и этом дополнительном, а при закрытии транзистора дополнительный диод ограничил бы скорость роста напряжения на стоке ниже регламентированной производителем транзистора. Изменено 11 ноября, 2010 пользователем НЕХ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Integrator1983 0 11 ноября, 2010 Опубликовано 11 ноября, 2010 · Жалоба Идея не очень понятна - накопить дополнительный заряд в медленном диоде, чтобы потом его рассасывать? (хотя неочевидно, что заряд будет распределяться между внутренним и внешним диодами - скорее всего, в насыщении будет один из них). Если нужно ограничить скорость - поставьте емкость С-И или поиграйтесь цепями затвора. http://de.sitestat.com/infineon/infineon/s...112b40ac9a40688 - стр. 9 - 12 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 6 11 ноября, 2010 Опубликовано 11 ноября, 2010 (изменено) · Жалоба ёмкость С-И стоит. задача не допустить развития вторичного пробоя полевика при рассасывании зарядов body-diode (которые почти никуда не деваются при малом напряжении С-И, оказавшись там после переключения ZVS) CoolMOS(как представитель SuperJunction MOSFET), кстати, несмотря на медленный внутренний диод и большой заряд в нём, не страдают проблемой dV/dt reverse recovery. (Имя проблемы - The activation of the parasitic bipolar transistor during reverse recovery of the internal diode of a power MOSFET used as a fly-back diode in a half-bridge ) Изменено 11 ноября, 2010 пользователем НЕХ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Integrator1983 0 11 ноября, 2010 Опубликовано 11 ноября, 2010 · Жалоба Емкость С-И, затягивая du/dt, позволяет мягко восстановиться оппозитному диоду в момент ZVS - ток восстановления, при том же интегральном значении, "размазан" во времени, критической плотности тока, необходимой для развития вторичного пробоя, не достигается - соответственно, вторичный пробой не происходит. CoolMOS(как представитель SuperJunction MOSFET), кстати, несмотря на медленный внутренний диод и большой заряд в нём, не страдают проблемой dV/dt reverse recovery. На мой взгляд, еще и как страдают! Берем SPW17N80C3 - громадный заряд восстановления (15uC) + канал 0,25 Ом - и видим описанную выше картину. Во всяком случае, мне другого объяснения отказов этих транзисторов в мостовой схеме найти не удалось (пиковый ток в ключе при номинальной нагрузке - 11 А, нагрузка - порядка 60 % от номинала, отказ - при работе от 20 сек до 2 мин в зависимости от партии ключей (партия с лазерной маркировкой вылетала быстро, маркированные краской - работали дольше). При этом, выхода из резонанса не наблюдалось, на полной нагрузке (быстро проскочив указанный диапазон нагрузок) - нормально работали, скорости du/dt не превышались, в корректоре рядом эти же ключи работали при пиковом токе токе, большем в 1,6 раза и более высоких скоростях открытия/закрытия - и прекрасно себя чувствовали). Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 6 13 ноября, 2010 Опубликовано 13 ноября, 2010 (изменено) · Жалоба Так почему же горят ? в статье на русском языке хвалятся, что отказы будут редки... А тут Infineon призывает ставить новые С6 вместо CFD (с быстрым диодом) в резонансники http://www.infineon.com/dgdl/Mastering+the...127903d130171e1 CoolMOS______________.PDF Изменено 13 ноября, 2010 пользователем НЕХ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Integrator1983 0 13 ноября, 2010 Опубликовано 13 ноября, 2010 · Жалоба Так поэтому, если я правильно понимаю, и горят - большой заряд диода не восстанавливается на маленьком сопротивлении канала - включение оппозитного ключа происходит при насыщенном диоде -сквозной ток - плотность тока превышает критическую - вторичный пробой - меняй ключи. После замены на SPW17N80C3 на IXFH23N80Q (с большим в 2 раза сопротивлением канала и меньшим в 15 раз зарядом восстановления диода) - как бабка пошептала. А CoolMOS C6 весчь конечно хорошая, но на базаре его не купишь. А если из-за границы везти - то IXYS или APT мне больше нравятся. Кроме того, С6 на 800 В нету... :crying: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 6 13 ноября, 2010 Опубликовано 13 ноября, 2010 · Жалоба Получается, что кратковременно, CoolMOS выдерживают жесткую коммутацию диода с огромным dI/dt при выходе из ZVS режима, а при продолжительной работе на холостом ходу из-за вкусившего тока внутреннего диода обречены. не сравнивали транзисторы CoolMOS Infineon c разными MESH от ST ? Есть ли различие в характеристиках от разницы в технологиях ? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 6 13 ноября, 2010 Опубликовано 13 ноября, 2010 · Жалоба IXYS производит полевики с сочетанием малого заряда в body-diode (1 мкQ) и, в тоже время, низкой скоростью восстановления dV/dt (5 V/ns). Получается, заряд важнее скорости ? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться