DS 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба Для выращивания более-менее равномерной пленки окисла толщиной 1 нм нужно, вообще, сверхчистое производство высшего класса. В противном случае неизбежно будут "проплешины" или толщина будет гулять на лапоть туда-сюда. При 4-5 атомных слоях она будет гулять на лапоть, с каким бубном не пляши. Из-за статистики. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
zzzzzzzz 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба При 4-5 атомных слоях она будет гулять на лапоть, с каким бубном не пляши. Из-за статистики. Кто-то уже умеет. Где-то с год назад новость была (от IBM, вроде), что наладили техпроцесс получения диэлектрических пленок в 1 атомный слой. Кагбэ, революция, говорили. :) Но, это не от "британских ученых" было, точно. При такой температуре... Не будет там водорода. И решетка будет хорошая. Эх, не общались Вы с технологами. :) Оне б Вас сильно разочаровали своими "нет!" Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
DS 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба Кто-то уже умеет. Где-то с год назад новость была (от IBM, вроде), что наладили техпроцесс получения диэлектрических пленок в 1 атомный слой. Кагбэ, революция, говорили. :) Но, это не от "британских ученых" было, точно. Вопрос в определении. Для химии сгодится "в среднем 1 атомный слой" - а для электроники "в среднем" не покатит, из-за экспоненты в туннельном эффекте. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
zzzzzzzz 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба Вопрос в определении. Для химии сгодится "в среднем 1 атомный слой" - а для электроники "в среднем" не покатит, из-за экспоненты в туннельном эффекте. Про 1 слой не нашел сходу. Вот кое-что про 1 нм: http://www.3dnews.ru/editorial/main_events_weekly_87/print По словам разработчиков, толщина слоя диэлектрика не превышает одного нанометра, а значит, оказывается возможным создание транзисторов с применением 22-нм техпроцесса. Однако снижение толщины диэлектрика не только положительно влияет на размеры транзистора - заметно улучшаются электронные характеристики транзисторов, пропускающие через себя больший ток при меньшем приложенном напряжении. Отсюда следует, что возрастает производительность уже готовых интегральных микросхем, а значит, будущие 22-нм полупроводниковые устройства, в том числе и процессоры, станут еще более мощными. К сожалению, разработчики пока не стали раскрывать, какой именно материал используется в качестве связывающего атомы кислорода агента. Видимо, это коммерческая тайна, заполучив которую, конкуренты смогут легко добиться тех же результатов, на которые у GlobalFoundries и IBM ушли месяцы работы и инвестиции в размере миллионов долларов. Вот тут немного тоже: http://www.pereplet.ru/krylov/1325.html Диоксид кремния уже более 40 лет используется для изготовления диэлектриков затвора транзистора благодаря легкости его применения в массовом производстве и возможности постоянного повышения производительности транзисторов за счет уменьшения толщины слоя диэлектрика. Специалистам Intel удалось уменьшить толщину слоя диэлектрика до 1,2 нм (что равнозначно всего пяти атомарным слоям) - такой показатель был достигнут на используемой в настоящее время 65-нанометровой технологии производства. Но дальнейшее уменьшение приводит к усилению тока утечки через диэлектрик, в результате чего растут потери тока и тепловыделение. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
DS 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба Тут ничего не сказано про туннельный ток, однако. А на него натупили во всей красе и при гораздо больших толщинах диэлектрика. Т.е. транзистор может и получается с таким диэлектриком, но даром никому не нужен. И обратите внимание на "не более 1 нм" - т.е. есть места, где существенно менее. А там электрон будет перескакивать просто за счет тепловой энергии, безо всякого напряжения. Про 5 атомных слоев что-то мне помнится не то. У Интеля речь шла про так называемый "high-k" диэлектрик, эквивалентний Si02 в 1.2 нм. А это совсем не одно и то же. Там, кажется, окись гафния вместо окиси крмения. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
zzzzzzzz 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба Да, вот немножко подробнее: http://citforum.ru/hardware/microcon/reactor/ Да понятно, что это малоисследованная область. Но, и понятно, что проблемы со временем решат. А насчет туннелирования, - когда-то наткнулись на эффект горячих электронов в стоке NMOS. Погоревали, и придумали LDD. Так и здесь какой-нибудь двухслойный "пирог" сочинят, и кранты туннелированию. :) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
DS 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба Погоревали, и придумали LDD. Так и здесь какой-нибудь двухслойный "пирог" сочинят, и кранты туннелированию. :) На таких расстояниях становится все равно, вакуум или вещество. Начинает стучать расстояние в показателе экспоненты, определяющей вероятность туннелирования. Так что придется придумывать, как повышать k при неизменной толщине - тут вариантов нет. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
zzzzzzzz 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба На таких расстояниях становится все равно, вакуум или вещество. Начинает стучать расстояние в показателе экспоненты, определяющей вероятность туннелирования. Так что придется придумывать, как повышать k при неизменной толщине - тут вариантов нет. Варианты есть всегда. В статейке из предыдущего топика об этом тоже есть. Могу навскидку придумать одно из потенциальных решений. :) Например, поместить чип в сильное поле с нужным вектором. Разрешив, таким образом, только квази-горизонтальные траектории электронов. Свойства сверхтонких пленок - еще не паханное поле. У многих материалов обнаруживаются феноменальные эффекты. Например, про графен только ленивый не слышал. А вообще, чего это мы так закапываемся? Не наше это поле-огород ... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
DS 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба Да я уж говорил, тут как с бубном не пляши, на этих расстояниях электрон размазан в пространстве. Как его не направляй, он может оказаться не там, где ожидаешь. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
BarsMonster 0 4 октября, 2010 Опубликовано 4 октября, 2010 · Жалоба Весьма популярная книжка по технологии была в свое время - С.Зи. С тех пор более качественного учебника по общим вопросам не встречал. Действительно, очень вкусная книжка (Технология СБИС, 1986, если это она конечно), однако это именно о технологиях, про туннелирование и пробой там ни слова :-) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
KriegerNsk 0 4 октября, 2010 Опубликовано 4 октября, 2010 · Жалоба Действительно, очень вкусная книжка (Технология СБИС, 1986, если это она конечно), однако это именно о технологиях, про туннелирование и пробой там ни слова :-) Скорее всего это "Физика полупроводниковых приборов" С. Зи. 1984 г. Она в двух томах кажется. Я по ней в свое время половину лит обзора написал про туннелирование и пробои. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
R1kky 0 14 октября, 2010 Опубликовано 14 октября, 2010 · Жалоба Действительно, очень вкусная книжка (Технология СБИС, 1986, если это она конечно), однако это именно о технологиях, про туннелирование и пробой там ни слова :-) если нужна - скину в djvu и технологию и фпп, нужно - пиши Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
BarsMonster 0 14 октября, 2010 Опубликовано 14 октября, 2010 · Жалоба если нужна - скину в djvu и технологию и фпп, нужно - пиши Спасибо, вроде нагуглилось без проблем. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться