BarsMonster 0 2 октября, 2010 Опубликовано 2 октября, 2010 (изменено) · Жалоба Вопрос о масштабах: Нашел что пробой SiO2 начинается на 0.8 - 1.1 V на нм, а туннелирование через 1нм SiO2 - 10^6 А/м2 даже при 1 вольте. Или я ошибаюсь где-то, или устройства на тунельных эффектах просто не должны работать :-) Что можно почитать по этой теме? Изменено 2 октября, 2010 пользователем BarsMonster Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Tanya 4 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба Что можно почитать по этой теме? А что Вас интересует? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
zzzzzzzz 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба Вопрос о масштабах: Нашел что пробой SiO2 начинается на 0.8 - 1.1 V на нм, а туннелирование через 1нм SiO2 - 10^6 А/м2 даже при 1 вольте. Весьма популярная книжка по технологии была в свое время - С.Зи. С тех пор более качественного учебника по общим вопросам не встречал. Пробой могу подтвердить, - на практике 500 Ао затворы держат около 50 В. Т.е. 1 В на 1 нм. А с туннелированием Вас как-то немного обманывают. 1мкА/1мкм2 случится где-то в районе порядка десятков вольт. Т.е, например, для тех же 50 нм ток в 20 нА можно ожидать где-то в районе 30 В. Естественно, всё определяется качеством окисла. Для очень тонких окислов, правда, работает уже другая физика. Там влияние дефектов окисла и поверхностных состояний значительно сильнее. Возможно, речь шла как раз о толщинах порядка единиц нм. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
nikolascha 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба У нас для окисла 7.5 нм пробой 7-8 В, но, я так понимаю, что пробой начинается с туннелирования, после прохождении определённого заряда через окисел наступает пробой, т.е. окисел разрушается (становится проводящим). Другими словами, при напряжении 5 В окисел пробъётся за несколько часов, на 7 В за несколько секунд, а на 7.5 В за доли секунды. Это, вроде как, известная в литературе зависимость, исходя из которой выбирают напряжение и время программирования, чтобы обеспечить необходимое число циклов стирания/записи ячейки ЭСППЗУ. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
zzzzzzzz 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба У Вас не тот окисел. :) Для памяти ведь используют Si3N4. Да еще и с квази-слоем "ловушек" для заряда. Более корректно посмотреть в сторону диодов Шоттки. Но и там не всё так прямолинейно из-за краевых эффектов. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
nikolascha 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба У Вас не тот окисел. :) Для памяти ведь используют Si3N4. Да еще и с квази-слоем "ловушек" для заряда.Вы наверно имеете ввиду ячейку не на туннелировании, а на горячих носителях... Я конечно не технолог и могу ошибаться, но на 90% у нас в тунельном окисле только SiO2, Si3N4 используется в межслойном диэлектрике между двумя затворами. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Tanya 4 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба Вопрос о масштабах: Нашел что пробой SiO2 начинается на 0.8 - 1.1 V на нм, а туннелирование через 1нм SiO2 - 10^6 А/м2 даже при 1 вольте. Может быть, корень Ваших заблужденией в том, что тут эффекты нелинейные. Например, при толщине 1 нм никакого пробоя не будет. Даже при напряжении больше вольта... А туннелирование тоже нелинейно зависит от расстояния...Очень. Вот и получается, что туннелирование начинается, а пробой кончается... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
zzzzzzzz 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба Вы наверно имеете ввиду ячейку не на туннелировании, а на горячих носителях... Я конечно не технолог и могу ошибаться, но на 90% у нас в тунельном окисле только SiO2, Si3N4 используется в межслойном диэлектрике между двумя затворами. Да всё правильно, первый (нижний) окисел SiO2, но потенциал прикладывается к верхнему затвору. Т.е. начало туннелирования надо пересчитывать, исходя из получаемой напряженности поля в первом окисле, но не из потенциала на верхнем затворе. Впрочем, чего это мы углубляемся, в книжках всё это хорошо расписано. Хоть в том же Зи. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
nikolascha 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба Да всё правильно, первый (нижний) окисел SiO2, но потенциал прикладывается к верхнему затвору. Т.е. начало туннелирования надо пересчитывать, исходя из получаемой напряженности поля в первом окисле, но не из потенциала на верхнем затворе.Я приводил даные как раз для случая, когда напряжение прикладывается к первому (плавающему) затвору, т.е. непосредственно на инжектор, т.к. для программирования на управляющий затвор подаётся напряжение 14-16 В. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
BarsMonster 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба Возможно, речь шла как раз о толщинах порядка единиц нм. Да, в данном случае речь именно о слое в 1нм, понятно что с ростом расстояния туннелирование очень быстро и нелинейно падает. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
zzzzzzzz 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба Да, в данном случае речь именно о слое в 1нм, понятно что с ростом расстояния туннелирование очень быстро и нелинейно падает. Ну, для таких толщин, в несколько межатомных расстояний, остается верить тому, что говорят экспериментаторы. Так как это слабо поддается описанию в классическом виде. Сплошь - чудеса, поверхностные и краевые эффекты. Физика с математикой туда пока заглядывают так, поглядеть. И уползают обратно. :) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
DS 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба А как Вы собираентесь гарнтировать толщину 1 нм ? Это же считанные атомные слои. Из чистой статистики у Вас толщина будет плавать на десятки процентов, а учитывая, что туннельный ток растет по экспоненте - можно получить самый разный результат в одних и тех же условиях. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Tanya 4 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба А как Вы собираентесь гарнтировать толщину 1 нм ? Это же считанные атомные слои. Из чистой статистики у Вас толщина будет плавать на десятки процентов, а учитывая, что туннельный ток растет по экспоненте - можно получить самый разный результат в одних и тех же условиях. Иначе говоря, ток будет течь в самом тонком месте. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
zzzzzzzz 0 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба Иначе говоря, ток будет течь в самом тонком месте. Это как атомы встанут. Все два. :) Где-то читал про японскую установку легирования для глубокого субмикрона. Так вот у неё индикатор дозы показывает в атомах на кв. микрон. :) Типа, поперчить и посолить... Если верить склерозу, межатомное расстояние в кремнии 0.5 нм. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Tanya 4 3 октября, 2010 Опубликовано 3 октября, 2010 · Жалоба Если верить склерозу, межатомное расстояние в кремнии 0.5 нм. Мой склероз подсказывает, что в таком случае кремний был бы неплохим материалом для аэростатов. Ну не совсем, конечно... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться