Kattani 0 4 апреля, 2010 Опубликовано 4 апреля, 2010 · Жалоба Исходя из чего выбираются размеры кп и её термобарьера на внутреннем слое? Допустимо ли выполнить подключение к planе-у способом, показанным во вложении? Заранее благодарен. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
uriy 5 5 апреля, 2010 Опубликовано 5 апреля, 2010 · Жалоба Я соединяю via вовсе без термобарьера, туда же не будет ничего запаиваться. С термобарьером соединяю только padы. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Kattani 0 5 апреля, 2010 Опубликовано 5 апреля, 2010 · Жалоба С via понятно, спасибо. А как быть с pad-ом? Если вместо via в примере будет pad, то нужно ли расширить plane в месте подключения или оставить как есть? И размеры этого термобарьера как правильно выбрать? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Ant_m 0 5 апреля, 2010 Опубликовано 5 апреля, 2010 · Жалоба На большинство ваших вопросов есть ответы непосредственно у производителя плат. Так что, лучше узнавать, и согласовывать это с тем производством с которым вы работаете. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Kattani 0 5 апреля, 2010 Опубликовано 5 апреля, 2010 · Жалоба Производитель "Резонит". Технологические возможности выложены у них на сайте, но нужных мне данных не нашёл или просто не туда смотрел. Поэтому здесь и спрашиваю. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
uriy 5 5 апреля, 2010 Опубликовано 5 апреля, 2010 · Жалоба http://rezonit.ru/urgent/ml/ Размер минимальной контактной площадки: для металлизированных отверстий 0,4-1,1 мм — +0,5 мм для металлизированных отверстий 1,2-1,6 мм — +0,55 мм для металлизированных отверстий свыше 1,6 мм — +0,8 мм Отдельно не оговорены внутренние и внешние слои так что видимо одинаково. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Michael58 2 6 апреля, 2010 Опубликовано 6 апреля, 2010 · Жалоба Я соединяю via вовсе без термобарьера, туда же не будет ничего запаиваться. С термобарьером соединяю только padы. Если речь идет о высокочастотных сигналах, то ток будет распространяться по поверхности меди, и не сможет проходить через слой меди (Говард Джонсон. Высший курс черной магии, стр.470). Поэтому если соединить слои GND между собой у многослойной платы direct connected VIA, то возвратный ток не будет проходить между слоями, металлизация VIA будет для него преградой. Поэтому для сигналов выше 600-800 mHz лучше использовать via GND с термобарьерами. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
uriy 5 6 апреля, 2010 Опубликовано 6 апреля, 2010 · Жалоба Ariel ничего не понял из ваших слов. Посмотрите в той же книге следующую страницу (471 страницу) там есть картинка и via на ней соединяет два слоя без термобарьеров. Правда я текст еще не прочитал. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
cioma 0 6 апреля, 2010 Опубликовано 6 апреля, 2010 · Жалоба Если речь идет о высокочастотных сигналах, то ток будет распространяться по поверхности меди, и не сможет проходить через слой меди (Говард Джонсон. Высший курс черной магии, стр.470). Поэтому если соединить слои GND между собой у многослойной платы direct connected VIA, то возвратный ток не будет проходить между слоями, металлизация VIA будет для него преградой. Поэтому для сигналов выше 600-800 mHz лучше использовать via GND с термобарьерами. Идея верна, а вывод - нет. Думаю, Вы имели в виду skin-эффект, ну так все зависит от того какие возвратные токи куда текут. В общем случае via соединяется напрямую с соответствующим слоем (питание, земля итп). Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Uladzimir 93 6 апреля, 2010 Опубликовано 6 апреля, 2010 · Жалоба Не путаете ли Via с термобарьерами с Via заполненными медбю? Если речь идет о высокочастотных сигналах, то ток будет распространяться по поверхности меди, и не сможет проходить через слой меди (Говард Джонсон. Высший курс черной магии, стр.470). Поэтому если соединить слои GND между собой у многослойной платы direct connected VIA, то возвратный ток не будет проходить между слоями, металлизация VIA будет для него преградой. Поэтому для сигналов выше 600-800 mHz лучше использовать via GND с термобарьерами. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Michael58 2 7 апреля, 2010 Опубликовано 7 апреля, 2010 · Жалоба Обьясните тогда как возвратный ток с первого, например, слоя, см приложенный рисунок, пойдет во 2-й слой, если он распространяется только по тонкому слою поверхности меди. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
omen 0 7 апреля, 2010 Опубликовано 7 апреля, 2010 (изменено) · Жалоба Действительно, сопротивление, создаваемое перемычкой высокочастотному току будет зависеть от глубины проникновения высокочастонтого сигнала в толщу проводника.Чем выше частота тем, тем меньше глубина проникновения. А следовательно сопротивление будет зависеть от толщины металлизации виа. и причем здесь термобарьер, который совершенно не влияет на толщину металлизации... глубина проникновения для 600МГц - 2.69469 um, 800МГц - 2.33367 um Изменено 7 апреля, 2010 пользователем omen Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
pcbfabru 0 7 апреля, 2010 Опубликовано 7 апреля, 2010 · Жалоба Обьясните тогда как возвратный ток с первого, например, слоя, см приложенный рисунок, пойдет во 2-й слой, если он распространяется только по тонкому слою поверхности меди. Во-первых, даже если вообразить что ток "движется" так как вы вообразили, то как могут помочь термалпады вместо обычных? Во-вторых, высокочастотный ток распространяется по поверхности (это правильно), только по какой поверхности?, По поверхности обращённой к ЭМ полю, т.е. для верхнего слоя по нижней, для внутреннего по обоим, для отверстия по внешней поверхности циллиндрической "втулки" В-третьих, подключние цепи к любой точке объёма проводника искажает эм поле так, что ток в точке подключения направлен в сторну разности потенциалов, т.е. скин-эффект в точке подключения практически не влияет. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
PCBtech 0 7 апреля, 2010 Опубликовано 7 апреля, 2010 · Жалоба Обьясните тогда как возвратный ток с первого, например, слоя, см приложенный рисунок, пойдет во 2-й слой, если он распространяется только по тонкому слою поверхности меди. С первого слоя на второй - вполне понятно как, т.к. ток течет по поверхности меди с обеих сторон, т.е. со стороны диэлектрика - тоже. А вот как с первого слоя ток попадет на третий слой - непонятно, если от течет в поверхностном слое меди. А вот если будут термобарьеры, т.е. дырки в медных полигонах, то через эти дырки ток вполне может по поверхности меди пойти и на третий слой, и на любой другой. Похоже на бред, конечно... Или действительно на "черную магию". А может, кто-нибудь из гуру быстренько промоделирует распространение возвратного тока через полигон для двух вариантов - с via "без термобарьеров", и "с термобарьерами", и покажет нам сечение обоих видов переходных отверстий с плотностью тока, с учетом скин-эффекта? Скажем, для частоты 2.5 ГГц и 5 ГГц. Мне кажется, что знающему человеку такое промоделировать - делов на 15 минут... Кто возьмется? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
pcbfabru 0 7 апреля, 2010 Опубликовано 7 апреля, 2010 · Жалоба С первого слоя на второй - вполне понятно как, т.к. ток течет по поверхности меди с обеих сторон, т.е. со стороны диэлектрика - тоже. А вот как с первого слоя ток попадет на третий слой - непонятно, если от течет в поверхностном слое меди. А вот если будут термобарьеры, т.е. дырки в медных полигонах, то через эти дырки ток вполне может по поверхности меди пойти и на третий слой, и на любой другой. Похоже на бред, конечно... Или действительно на "черную магию". А может, кто-нибудь из гуру быстренько промоделирует распространение возвратного тока через полигон для двух вариантов - с via "без термобарьеров", и "с термобарьерами", и покажет нам сечение обоих видов переходных отверстий с плотностью тока, с учетом скин-эффекта? Скажем, для частоты 2.5 ГГц и 5 ГГц. Мне кажется, что знающему человеку такое промоделировать - делов на 15 минут... Кто возьмется? Не надо ничего мистифицировать. Скин эфект возникает только если есть значимая разность потенциалов между поверхностями в которой он возникает. А какая разность потенциалов будет между внешним и внутренним кольцом термобарьера (практически никакой или будет возникать при мгновеном возрастании нагрузки, и чем тоньше дорожки термобарьера тем больше эффект, которым всё равно можно принебречь). Кроме того, возвратный ток потечёт по ближайшему полигону к проводнику с основным током и другие слои в возвратных токах вообще не учавствуют. Они больше могут понадобиться для подпитки мс в момент просадок и тут то как раз скажется негативная роль вырезов. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться